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    JFET单结晶体管缓冲区偏差计算器

    时间:2009-10-20 20:01:40  来源:838电子    作者:   编号:  更新20170523 050431

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      JFET单结晶体管缓冲区偏差计算器
    一款JFET缓冲区(共漏放大器)是很有用的,因为与晶体三极管相比它具有非常高的输入阻抗。

    JFET单结晶体管缓冲区偏差计算器

    N沟道场效应管缓冲区偏差
    VDD (V)
     VRS (V)
    Vp 或 VGS(off) 截止电压 (V)
    IDSS 零栅电压漏极电流 (mA)
    结果:

    IDS (mA)
    RS (Ω)
    VGS (V) 

    公式:

     IDS= IDSS(1-VGS/Vp)2

     RS= VRS/IDS

    VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压,用VGS (off)示。n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID =0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。



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