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    500W宽频带线性放大器于HF频带,要得到500W之输出功率

    时间:2015-01-24 10:26:51  来源:838电子  作者:  编号:  更新日期20170523 050513

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    2M~30MHZ,500W宽频带线性放大器 于HF频带,要得到500W之输出功率,有将数100W输出的功率放大器单体(Power Amp Unit)使用功率分配/合成网路(Network)予以合成的方法,但是要制作损失少的网路,多少需要点技术。图中是以4个功率MOS FET组成并联/推挽(Parallel/Push-pull) 结构,因此不以功率分配/合成网络就可以得到输出500W以上之功率。输入、输出匹配 电路利用RF变压器采宽频带设计,而且由于有负回授之结构,因此功率增益在2M~30MHZ之间有1~1.5db范围之平坦性(Flatness)。

    HZ.gif
    MRF150为Motorola 公司的功率MOS FET,又称为TMOS FET,其在电源电压50V时具 有输出150W之性能,如图所示,此外亦有同样输出150W情形下,只需电源电压28V的MRF140FET,因此可依使用DC电源电压的不同选用,但是使用MRF140时,闸极偏压电 路及输入、输出变压器的阻抗变换比,调谐用电容器 常数等就需要稍加变更,但是可以使用相同的基本电 路及电路基板。但是,所谓的并联推挽接法对功率MOS FET是适合的,而双极三极管则并不见得实用,这是因为双极三极管射极接地的输入阻抗大约是同等级FET源极接地的1/5~1/10左右所致。 然而,复数个FET并联接着使用时,若使用单位增益(Unity Gain)频率高的元件的话,由 于并联阻抗及闸-洩极间容量之关系会形成共振电路,有可能引起振荡,此类振荡是因为比 放大器频带宽度还高的频率产生360°相移(Phase Shift),结果因FET的洩-闸极间容 量Crss 引起振荡,要防止这类振荡,可在不影响放大器增益之情形下,于闸极插入数值低的无感电阻。 
     

     


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  • 不错 匿名 于2016-11-13 10:34:28发布
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