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二极管伏安特性曲线

发布时间:2008-12-17 21:11:08  来源:    作者:   更新20181218 050054

二极管的伏安特性曲线如图1所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线,处于第三象限的是反向伏安特性曲线。根据理论推导,二极管的伏安特性曲线可用下列公式表示:

                                                                               

式中IS 为反向饱和电流,U 二极管两端的电压降,UT =kT/q 称为温度的电压当量,k为玻耳兹曼常数,q 为电子电荷量,T 为热力学温度。对于室温(相当于T=300 K),则有UT=26 mV 

 正向特性 

二极管的正向伏安特性曲线说明如下: 

U0,即处于正向特性区域。正向区又分为三段:

第一段,当0UUth时,正向电流为零,Uth称为死区电压或开启电压。 

第二段,当UUth,且U 较小时,开始出现正向电流,并按指数规律增长。见图1中的曲线的第2段。 

第三段,当UUth,且U 较大时,正向电流增长很快,且正向电压随正向电流增长而增长很小。对应在图1中,正向曲线很陡的第3段。 

二极管的死区电压Uth»0.4 V左右,锗二极管的死区电压Uth»0.1 V左右。 

正向特性曲线第3段对应的正向电压可以认为基本不变,对于硅二极管的正向电压UD»0.70.8V左右,锗二极管的正向电压UD»0.30.4V左右。 

 <a href=http://www.838dz.com/e/search/result/?searchid=13898 target=_blank class=infotextkey>二极管</a>的伏安特性曲线

          二极管的伏安特性曲线

 反向特性

半导体二极管的反向伏安特性曲线说明如下: 

U0时,即处于反向特性区域。反向区分为两个区域:

UBRU0时,反向电流很小,且基本不随反向电压的变化而变化,此时的反向电流也称反向饱和电流IS 

U≥UBR时,反向电流急剧增加,UBR称为反向击穿电压(Breakdown voltage) 

在反向区,硅二极管和锗二极管的特性有所不同。硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡,反向饱和电流也很小;锗二极管的反向击穿特性比较软,过渡比较圆滑,反向饱和电流较大。 


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  • 说的太精彩了。 CD机 于2017-07-11 18:33:27发布
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