二极管1n4148参数-

1N4148中文资料

特征：
．硅外延平面二极管
．电性能相当于二极管:1N4148-1N914 1N4448-1N914B

应用：
快速开关

Absolute Maximum Ratings datasheet 绝对最大额定值Tamb = 25℃ 除非另有说明
Tamb = 25℃, unless otherwise specified二极体

Parameter 参数	Test condition 测试条件	Symbol 符号	Value 数值	Unit 单位
Repetitive peak reverse voltage 反复峰值反向电压		VRRM	100	V
Reverse voltage 反向电压		VR	75	V
Peak forward surge current 峰浪涌电流	tp= 1 μs	IFSM	2	A
Repetitive peak forward current 重复峰值正向电流		IFRM	500	mA
Forward current 正向电流		IF	300	mA
Average forward current 平均正向电流	VR = 0	IFAV	150	mA
Power dissipation 耗散功率	l = 4 mm, TL = 45 ℃	PV	440	mW
Power dissipation 耗散功率	l = 4 mm, TL ≤ 25 ℃	PV	500	mW

Thermal Characteristics热特性表 Tamb = 25℃ 除非另有说明
Tamb = 25 ℃, unless otherwise specified

Parameter 参数	Test condition 测试条件	Symbol符号	Value 数值	Unit 单位
Junction ambient 热阻(结到环境)	l=4mm, TL=constant	RthJA	350	K/W
Junction temperature 结温		Tj	200	℃
Storage temperature range 储存温度范围		Tstg	-65to+200	℃

Electrical Characteristics 电气特性 Tamb = 25℃ 除非另有说明
Tamb = 25 ℃, unless otherwise specified

Parameter 参数	Test condition 测试条件	Part	Symbol 符号	最小	最大	Unit 单位
Forward voltage 正向电压（压降）	IF = 5 mA	1N4448-TR	VF	0.62	0.72	V
	IF = 10 mA	1N4148-TR	VF		1	V
	IF = 100 mA	1N4448-TR	VF		1	V
Reverse current 反向电流	VR = 20 V		IR		25	nA
	VR = 20 V, Tj = 150 ℃		IR		50	μA
	VR = 75 V		IR		5	μA
Breakdown voltage 击穿电压	IR = 100 μA, tp/T = 0.01, tp = 0.3 ms		V(BR)	100		V
Diode capacitance 二极管电容	VR = 0, f = 1 MHz, VHF = 50 mV		CD		4	pF
Rectification efficiency 整流效率	VHF = 2 V, f = 100MHz		ηr	45		%
Reverse recovery time 反向恢复时间	IF =IR = 10mA, iR= 1mA		trr		8	ns
Reverse recovery time 反向恢复时间	IF = 10mA, VR = 6V, iR = 0.1 x IR, RL = 100 Ω		trr		4	ns

特性曲线：

正向电压与结温正向电流与正向电压

正向电流与正向电压反向电流与反向电压

封装及外形：


图1 DO-35封装外形图片	图2 圆柱形贴片封装	图3 扁平1206，0603等等贴片封装

图4 DO35 封装尺寸