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    A1015中文资料参数

    时间:2009-03-22 10:00:08  来源:资料室  作者:  编号:  更新日期20170624 130310

    ↓本文不许可它人转载,只许可引用链接.

     

    本译文译自FAIRCHILE公司 东芝 飞利浦的1015特性与之基本相同  

    命名:2SA1015 如果叫法省略通常的叫法A1015 1015

    2SA1015代换型号:2SA608 管脚排列一是样的

           A1015三极管 排列引脚

    主要参数:

     

    Symbol符号 Parameter 参数 Value数值 Units单位
    VCBO Collector-Base Voltage 集电极-基极电压 -60 V
    VCEO Collector-Emitter Voltage 集电极-射极电压 -50 V
    VEBO Emitter-Base Voltage 射极-基极电压 -5 V
    IC Collector Current 集电极电流 -150 mA
    IB Base Current 基极电流 -50 mA
    PC Collector Power Dissipation 耗散功率 400 mW
     TJ  Junction Temperature 结温838电子 125  ℃
    TSTG Storage Temperature 贮藏温度 -65 ~ 150
     

     

    电参数:

     

    Symbol 符号 Parameter 参数 Test Condition 测试条件 Min 最小 Typ 平均 Max 最大

    Units 单位

    BVCBO Collector-Base Breakdown Voltage集电极-基极击穿电压 IC= -100μA, IE=0 -50 - - V
    BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage集电极-发射极击穿电压 IC= -10mA, IB=0 -50 - - V
    BVEBO Emitter-Base Breakdown Voltage发射极-基极击穿电压 IE= -10μA, IC=0 -5  -  - V
    ICBO Collector Cut-off Current 集电极截止电流 VCB=60V, IE=0 - - -0.1 μA
    IEBO Emitter Cut-off Current 射极截止电流 VEB=5V, IC=0 - - -0.1 μA
    hFE1 hFE2 DC Current Gain直流电流增益 VCE=6V, IC=2mA

    VCE=6V, IC=150mA

    70

    25

     - 400
     VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage集电极-发射极饱和电压 IC=100mA, IB=10mA - -0.1 -0.3 V
    VBE (sat) Base-Emitter Saturation Voltage 基极-射极饱和电压 IC=100mA, IB=10mA - - -1.1 V
    fT Current Gain Bandwidth Product 电流增益带宽 VCE=10V, IC=1mA 80 - - MHz
    Cob Output Capacitance 输出电容 VCB=10V, IE=0, f=1MHz - 4.0 7.0 pF
    NF Noise Figure 噪声系数 VCE=6V, IC=0.1mA RS=10kΩ, f=1Hz - 0.5 6.0 db
     

     

     放大倍数:

     

    后缀符号 O Y GR
    放大倍数 70-140 120-240 200-400
     

     

    A1015特性曲线:

                            静态特性曲线

                 基极-发射饱和电压曲线 集电极-射极饱和电压曲线
     

                             传输特性曲线

                         输出电容曲线

                                                  电流增益带宽曲线

                           直流电流增益曲线

                        外形封装图

     


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