6n137应用电路

发布时间:2009-07-26 11:25:44  来源:资料室    作者:中文资料   更新20250313 070745

作用:6N137/HCPL2601,HCPL2611,HCPL2630,HCPL2631是高速光电耦合器

6N137的内部结构原理如下图所示,信号从脚2和脚3输入,发光二极管发光,经片内光通道传到光敏二极管,反向偏置的光敏管光照后导通,经电流-电压转换后送到与门的一个输入端,与门的另一个输入为使能端,当使能端为高时与门输出高电平,经输出三极管反向后光电隔离器输出低电平。当输入信号电流小于触发阈值或使能端为低时,输出高电平,但这个逻辑高是集电极开路的,可针对接收电路加上拉电阻或电压调整电路。

型号:

单通道: 6N137 , HCPL2601 , HCPL2611
双通道: HCPL2630 , HCPL2631
高速10MBit / s的逻辑门光电

                             引脚图

原理如上图所示,若以脚2为输入,脚3接地,则真值表如附表所列,这相当于非门的传输,若希望在传输过程中不改变逻辑状态,则从脚3输入,脚2接高电平。

 真值表 功能(正逻辑)

Input 输入 Enable 使能

Output 输出

H H L
L H H
H L H
L L H
H NC L
L NC H

绝对最大额定值(Ta= 25 ℃除非另有说明):

Symbol 符号

Parameter 参数

Value 数值

Units 单位

TSTG Storage Temperature 贮藏温度 -55 to +125
TOPR Operating Temperature 操作温度 -40 to +85
TSOL Lead Solder Temperature 焊料温度 260 for 10 sec
EMITTER 发送端
IF DC/Average Forward 直流/平均正向 单通道 50 mA
Input Current 输入电流 双通道(每通道) 30
VE Enable Input Voltage Not to Exceed VCC by more than 500mV 单通道 5.5 V
VR Reverse Input Voltage 反向输入电压 每个通道 5.0 V
PI Power Dissipation 功耗 单通道 100 mW
双通道(每通道) 45
DETECTOR 接收端
VCC (1 minute max) Supply Voltage 电源电压   7.0 V
IO Output Current 输出电流 单通道 50 mA
双通道(每通道) 50
VO Output Voltage 输出电压 每个通道 7.0 V
PO Collector Output 集电极输出 单通道 85 mW
Power Dissipation 功耗 双通道(每通道) 60

建议操作条件:

Symbol 符号

Parameter 参数 最小 最大

Units单位 

IFL Input Current, Low Level 输入电流,低电平 0 250 μA
IFH Input Current, High Level 输入电流,高电平 *6.3 15 mA
VCC Supply Voltage, Output 供电电压,输出 4.5 5.5 V
VEL Enable Voltage, Low Level 使能电压,低电平 0 0.8 V
VEH Enable Voltage, High Level 使能电压,高电平 2.0 VCC V
TA 工作温度范围 -40 +85
N Fan Out (TTL load)扇出期( TTL负载)   8  

电学特性(Ta=0至70 ,除非另有规定) 单独的组件特征:

Symbol 符号  Parameter 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位
VF Input Forward Voltage输入正向电压 IF = 10mA       1.8 V
TA=25℃   1.4 1.75
BVR Input Reverse Breakdown Voltage 输入反向击穿电压 IR = 10μA 5.0     V
CIN Input Capacitance 输入电容 VF = 0, f = 1MHz   60   pF
ΔVF / ΔTA Input Diode Temperature Coefficient 输入二极管温度系数 IF = 10mA   -1.4   mV/℃
DETECTOR 接收端
ICCH High Level Supply Current高电源电流 VCC = 5.5V, IF = 0mA, VE = 0.5V 单通道   7 10 mA
双通道   10 15
ICCL Low Level Supply Current 低电平电源电流 单通道 VCC=5.5V, IF = 10mA   9 13 mA
双通道 VE = 0.5V   14 21
IEL Low Level Enable Current 低电平使能电流 VCC = 5.5V, VE = 0.5V   -0.8 -1.6 mA
IEH High Level Enable Current 高电平使能电流 VCC = 5.5V, VE = 2.0V   -0.6 -1.6 mA
VEH High Level Enable Voltage 高电平使能电压 VCC = 5.5V, IF = 10mA 2.0     V
VEL Low Level Enable Voltage 低电平使能电压 VCC = 5.5V, IF = 10mA(3)     0.8 V

开关特性 (TA= -40℃ to +85℃, VCC= 5V, IF= 7.5mA 除非另有说明):

Symbol 符号

 AC Characteristics交流特性 测试条件 最小 典型 最大 单位
TPHH Propagation Delay Time to Output HIGH Level传递延迟时间到高电平输出 RL=350Ω,CL=15pF(4)(Fig.12) TA=25℃ 20 45 75 ns
      100
TPHL Propagation Delay Time to Output LOW Level传递延迟时间到低电平输出 TA = 25℃(5) 25 45 75  ns  
RL = 350Ω, CL = 15pF (Fig. 12)     100
|TPHL

TPLH|

Pulse Width Distortion 脉宽失真 (RL = 350Ω, CL = 15pF (Fig. 12)   3 35 ns
tr Output Rise Time (10–90%)输出上升时间( 10-90 % ) RL = 350Ω, CL = 15pF(6)(Fig. 12)   50   ns
tf Output Rise Time (90–10%)输出上升时间( 90-10 % ) RL = 350Ω, CL = 15pF(7)(Fig. 12)   12   ns
tELH Enable Propagation Delay Time to Output HIGH Level允许传播延迟时间到高电平输出 IF = 7.5mA, VEH = 3.5V, RL = 350Ω, CL = 15pF(8)(Fig. 13)   20   ns
tEHL Enable Propagation Delay Time to Output LOW Level 允许传播延迟时间到低电平输出 IF = 7.5mA, VEH = 3.5V, RL = 350Ω, CL = 15pF(9)(Fig. 13)   20   ns
|CMH| Common Mode Transient Immunity (at Output HIGH Level) 共模瞬态抑制比(输出高电平) TA=25℃,|VCM| =50V (Peak), IF=0mA, VOH (Min.)= 2.0V, RL = 350Ω(10)(Fig. 14) 6N137, HCPL2630   10,000   V/μs
HCPL2601, HCPL2631 5000 10,000  
|VCM| = 400V HCPL2611 10,000 15,000   V/μs
|CML| Common Mode Transient Immunity (at Output LOW Level) 共模瞬态抑制比(输出低电平) RL = 350Ω, IF = 7.5mA, VOL (Max.)= 0.8V, TA = 25℃(11) (Fig. 14) 6N137, HCPL2630   10,000  
HCPL2601, HCPL2631 5000 10,000  
|VCM| = 400V HCPL2611 10,000 15,000  

电气特性(续) 转移特性(TA = -40 to +85℃ 除非另有说明)

Symbol 符号

DC Characteristics 直流特性 测试条件 最小 典型 最大 Unit 单位
IOH HIGH Level Output Current 高输出电流 VCC = 5.5V, VO = 5.5V, IF = 250μA, VE = 2.0V(2)     100 μA
VOL LOW Level Output Current 低电平输出电流 VCC = 5.5V, IF = 5mA, VE = 2.0V, ICL = 13mA(2)   .35 0.6 V
IFT Input Threshold Current 输入阈值电流 VCC = 5.5V, VO = 0.6V, VE = 2.0V, IOL = 13mA   3 5 mA

 隔离特性(Ta= -40 ℃至+85 ℃ ,除非另有说明. ):

Symbol 符号

Characteristics 特性 测试条件 最小 典型 最大

Unit 单位

II-O Input-Output Insulation Leakage Current 输入输出绝缘泄漏电流 相对湿度 = 45%, TA = 25℃, t = 5s, VI-O = 3000 VDC(12)     1.0* μA
VISO Withstand Insulation Test Voltage 经受绝缘测试电压) RH < 50%, TA = 25℃, II-O ≤ 2μA, t = 1 min.(12) 2500     VRMS
RI-O Resistance (Input to Output)电阻(输入输出 VI-O = 500V(12)   1012   Ω
CI-O Capacitance (Input to Output)电容(输入输出) f = 1MHz(12)   0.6   pF

                     测试电路和波形 tPLH, tPHL, tr and tf

                     测试电路tEHL和tELH

                  测试电路的共模瞬态抗扰度

 光藕隔离器6N137典型应用如图1所示,假设输入端属于模块I,输出端属于模块II。输入端有A、B两种接法,分别得到反相或同相逻辑传输,其中RF为限流电阻。发光二极管正向电流0-250μA,光敏管不导通;发光二极管正向压降1.2-1.7V(典型1.4V),正向电流6.3-15mA,光敏管导通。若以B方法连接,TTL电平输入,Vcc为5V时,RF可选500Ω左右。如果不加限流电阻或阻值很小,6N137仍能工作,但发光二极管导通电流很大对Vcc1有较大冲击,尤其是数字波形较陡时,上升、下降沿的频谱很宽,会造成相当大的尖峰脉冲噪声,而通常印刷电路板的分布电感会使地线吸收不了这种噪声,其峰-峰值可达100mV以上,足以使模拟电路产生自激。所以在可能的情况下,RF应尽量取大。
 
 输出端由模块II供电,Vcc2=4.5~5.5V。在Vcc2(脚8)和地(脚5)之间必须接一个0.1μF高频特性良好的电容,如瓷介质或钽电容,而且应尽量放在脚5和脚8附近(不要超过1cm)。这个电容可以吸收电源线上的纹波,又可以减小光电隔离器接受端开关工作时对电源的冲击。脚7是使能端,当它在0-0.8V时强制输出为高(开路);当它在2.0V-Vcc2时允许接收端工作。
 
 脚6是集电极开路输出端,通常加上拉电阻RL。虽然输出低电平时可吸收电路达13mA,但仍应当根据后级输入电路的需要选择阻值。因为电阻太小会使6N137耗电增大,加大对电源的冲击,使旁路电容无法吸收,而干扰整个模块的电源,甚至把尖峰噪声带到地线上。一般可选4.7kΩ,若后级是TTL输入电路,且只有1到2个负载,则用47kΩ或15kΩ也行。CL是输出负载的等效电容,它和RL影响器件的响应时间,当RL=350Ω,CL=15pF时,响应延迟为25-75ns。

                              图1 6N137典型应用电路

                     图2  隔离介面硬体及的USB转串口转接器介面线路图


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