在线充值 | 手机阅读 | 设为首页
838电子

MARKING贴片丝印代码查询
　
您当前的位置：首页 > 晶体管参数

2SC01-2SC1000三极管参数表

发布时间：2009-02-12 14:38:06  来源：资料室  作者：  更新20260509 173702

型号 　 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 　 备注及替换 　
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC801 日电 RF.PA Si.TMe 75 5 500 13W(Tc=25℃) 175 50 83 -
2SC802 富士通 PA.SW Si.EP 60 4 500 1W(Tc=25℃) 175 30 84B -
2SC803 富士通 PA.SW Si.TP 60 4 1.5A 5W(Tc=25℃) 175 70 84B -
2SC804 Sony RF.Conv.Mix.Osc Si.DB 15 - 20 150 100 50 139 -
2SC805 Sony RF.AF.SW Si.DB 100 5 200 475 120 100 181 -
2SC805A Sony PA.SW Si.EPa 240 5 200 750 175 150 181 2SA923
2SC806 Sony PA Si.TMe 650 10 10A 125W(Tc=25℃) 150 30 102 -
2SC806A Sony PA Si.TMe 700 10.5 10A 125W(Tc=25℃) 150 40 102 -
2SC807 Sony PA Si.TMe 500 10 10A 125W(Tc=25℃) 150 50 102 -
2SC807A Sony PA Si.TMe 580 8 10 125W(Tc=25℃) 150 60 -
2SC808 Sony PA Si.TMe 300 8 5A 80W(Tc=25℃) 150 100 102 -
2SC809 富士通 RF Si.EP 25 3 20 200 150 - 50C -
2SC810 富士通 RF.PA Si.EP 40 3 300 500 150 - 85B -
2SC811 富士通 RF Si.EP - 4 30 180 175 60 50C -
2SC812 富士通 SW Si.EP 20 4 100 250 150 50 49C -
2SC814 日电 RF.PA Si.E 30 5 500 400 125 150 44 -
2SC815 日电 RF.Osc.PA Si.E 60 5 200 250 125 80 138 2SA539
2SC816 三菱 RF Si.EP 60 - 1A 1W 200 100 84B -
2SC817 三菱 RF Si.EP 30 - 20 120 150 80 50C -
2SC818 三菱 RF Si.TP 160 5 100 800 200 20-180 84A -
2SC819 日立 PA Si.EP 65 4 1A 6W(Tc=25℃) 175 - 84C -
2SC820 日立 PA Si.EP 65 4 1.5A 10W(Tc=25℃) 175 - 111 -
2SC821 松下 RF.Conv.Mix.Osc.PA Si.EP 40 4 300 2.5W(Tc=25℃) 175 - 84B -
2SC822 松下 RF.Conv.Mix.Osc.PA Si.EP 40 4 500 2.5W(Tc=25℃) 175 - 84B -
2SC823 日电 RF Si.E 30 3 60 600 150 >30 85B -
2SC824 日电 RF Si.E 50 3 120 650 150 >20 85B -
2SC825 富士通 SW Si.T 300 6 2A 30W(Tc=25℃) 175 75 99 -
2SC826 富士通 RF Si.TMe 100 6 300 700 175 100 84B -
2SC827 富士通 RF.SW Si.TMe 100 6 500 700 175 100 84B -
2SC828 松下 RF.AF Si.EP 30 7 50 400 150 130-520 138 2SA564
2SC828A 松下 RF.AF Si.EP 45 7 50 400 150 130-520 138 2SC564A
2SC829 松下 RF.Conv.Mix.Osc " 30 5 30 400、 150 70-250 138 -
2SC830 日立 PA Si.T 100 4 3A 25W(Tc=25℃) 150 30-200 153 2SB551
2SC831 日电 PA Si.E 50 4 2A 23W(Tc=25℃) 175 15-200 111 -
2SC833 日立.东芝.三洋 SW Si.TMe 450 6 2A 25W(Tc=25℃) 150 80 99 -
2SC836 日电 RF Si 30 4 20 200 125 70 138 AGC
2SC837 日电 RF Si.E 30 4 20 250 125 40 138 -
2SC838 日电 RF.Conv.Mix.Osc Si.E 50 5 30 250 125 80 138 -
2SC839 日电 RF.Conv.Mix.Osc Si.E 50 5 50 250 125 100 138 -
2SC840 松下 PA Si.TMe 100 5 2A 20W(Tc=25℃) 150 60 99 -
2SC840A 松下 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 150 5 2A 20W(Tc=25℃) 150 60 99 -
2SC841 富士通 PA Si.EP 36 - 500 6W(Tc=25℃) 175 50 84B -
2SC842 富士通 PA Si.EP 36 - 1A 10W(Tc=25℃) 175 40 111 -
2SC843 富士通 PA Si.EP 36 - 2A 20W(Tc=25℃) 175 50 111 -
2SC844 富士通 PA Si.EP 40 2 400 3.5W(Tc=25℃) 175 25 84B -
2SC845 富士通 PA Si.EP 55 3.5 400 3.5W(Tc=25℃) 175 25 84B -
2SC847 富士通 RF Si.EP 30 5 200 350 175 160 49C -
2SC848 富士通 RF.LN Si.EP 30 5 200 350 175 160 49C -
2SC849 富士通 SW.AF Si.EP 30 5 300 350 175 160 49C -
2SC850 富士通 SW.PA Si.EP 50 7 500 350 175 160 49C -
2SC851 日电 PA Si.E 50 5 8A 75W(Tc=25℃) 200 50 102A -
2SC852 日电 RF Si.E 45 3 80 500 150 100 85B -
2SC853 日电 RF.PA Si.E 70 5 200 400 125 70 44 2SA545
2SC854 富士通 PA Si.EP 40 2 300 2.5W(Tc=25℃) 175 25 84B -
2SC855 富士通 PA Si.EP 40 2 400 3W(Tc=25℃) 175 25 84B -
2SC856 日立 RF Si.TPa 150 5 50 300 175 50 12A -
2SC857 日立 SW.RF Si.TMe 200 5 50 200 175 80 12A -
2SC858 三洋 RF.LN Si.P 20 - 50 100 125 230 27 -
2SC859 三洋 RF.LN Si.P 20 - 50 100 125 230 27 -
2SC860 三洋 RF Si.EP 15 3 30 80 125 80 205C -
2SC861 日立 PA Si.TMe 450 6 1A 50W(Tc=25℃) 150 50 102 -
2SC862 日立 PA Si.TMe 650 6 5A 50W(Tc=25℃) 150 9 102 -
2SC863 东芝 RF Si.EP 60 4 25 175 150 - 117C -
2SC864 东芝 RF Si.EP 40 4 25 175 150 - 117C -
2SC865 富士通 PA Si.TP 60 - 2A 20W(Tc=25℃) 175 70 83 -
2SC866 富士通 PA Si.TP 60 - 1.5A 5W(Tc=25℃) 175 70 97B -
2SC867 Sony PA.SW Si.TMe 400 10 1A 23W(Tc=25℃) 150 80 100 -
2SC867A Sony RF.PA Si.TMe 520 10 3A 48W(Tc=25℃) 150 80 100 -
2SC868 三菱 SW Si.EP 130 5 30 200 125 90 138B -
2SC869 三菱 SW Si.EP 160 5 30 200 125 90 138B -
2SC870 三菱 RF.AF.LN Si.EP 30 4 30 200 125 160 138B -
2SC871 三菱 RF.AF.LN Si.EP 30 4 30 200 125 250 138B -
2SC872 富士通 PA Si.EP 40 - 400 3.5W(Tc=25℃) 175 25 84C -
2SC873 三洋 - 　 75 4 1A 500 150 60 84B 2SA535.2SA536
2SC874 三洋 - 　 50 4 1A 500 150 60 84B 2SA535.2SA536
2SC875 三洋 RF.PA Si.TP 75 5 200 500 150 100 84B -
2SC876 三洋 RF.PA Si.TP 50 5 200 500 150 100 84B -
2SC877 东光 SW Si.EP 40 4.5 200 300 175 60 49C -
2SC878 东光 SW Si.EP 40 4.5 200 300 175 70 49C -
2SC879 东光 SW Si.EP 60 5 1A 800 175 80 84B -
2SC880 东光 SW Si.EP 60 5 1A 800 175 80 84B -
2SC881 日电 RF.PA Si.E 60 5 200 400 125 70 44 -
2SC882 芝电 RF.Conv.Osc Si.EP 150 5 2A 25W(Tc=25℃) 150 - 102 -
2SC883 芝电 RF.Conv.Osc Si.EP 90 5 2A 25W(Tc=25℃) 150 - 102 -
2SC884 芝电 PA Si.TMe 80 5 2A 15W(Tc=25℃) 150 60 99 -
2SC885 芝电 SW Si.TMe 330 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 35 102 -
2SC886 芝电 SW Si.TMe 270 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 35 102 -
2SC887 芝电 SW Si.TMe 210 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 35 102 -
2SC888 芝电 SW Si.TMe 150 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 35 102 -
2SC889 三菱 RF.AF.LN Si.EP 90 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 35 102 -
2SC890 日电 PA Si.E 40 3 400 750 175 >20 84C -
2SC891 日电 PA Si.E 40 4 600 10.3W(Tc=25℃) 175 >15 115 -
2SC892 日电 PA Si.E 40 4 1.2A 17.7W(Tc=25℃) 175 - 115 -
2SC893 富士通 RF Si.TMe 100 6 500 12W(Tc=25℃) 175 100 97B -
2SC894 Sony RF.SW Si.DB 25 6 100 100 120 100 38 -
2SC895 Sony PA.SW Si.TMe 150 8 2.5A 23.7W 150 120 102 -
2SC896 日电 RF Si.E 55 5 200 300 175 - 46C -
2SC897 日立 PA Si.T 150 6 7A 60W(Tc-25'C) 150 60 102 2SA757
2SC898 日立 PA Si.T 150 5 7A 80W(Tc-25'C) 150 50 102 2SA758
2SC899 日电 RF.AF.LN Si.E 50 5 50 250 125 110 138 -
2SC900 日电 RF.LN Si.E 30 5 30 250 125 400 138 -

晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
本站不保证资料完整性及正确性，您在使用或置换时要严格核对，本数据表仅供参考。

　


来顶一下
返回首页
返回首页
 8/9   首页 上一页 6 7 8 9 下一页 尾页

上一篇：bav99 bav99W快速开关二极管参数

下一篇：2SC1001-2SC2000三极管参数表

发表评论

　共有人参与,请您也说几句看法
　
　 　验证码: 看不清楚,点击刷新 看不清楚,点击刷新
分享到：
最新内容
相关文章
最新评论

关于我们 | 联系我们 | 免责声明
838电子资料 China 中文版  

辽ICP备17001409号-1 辽公网安备21120202000012