2SC01-2SC1000三极管参数表-

型号	制造厂Mnf	用途App.	材料Type	最大额定值 (Ta=25℃)				结温	直流放大系数	封装外形	备注及替换
				VCBO	VEBO	Ic	Pc	Tj	hFE
				(V)	(V)	(mA)	(mW)	(℃)	hFE
2SC11	东芝	SW	Ge.A	18	12	24	55	75	44	12A	-
2SC12	东芝	SW	Si.Me	60	8	250	180	150	20	84A	-
2SC13	东芝	SW	Ge.A	18	12	40	65	75	48	84A	-
2SC14	东芝	SW	Ge.A	18	12	40	65	75	48	84A	-
2SC15	Sony	RF	Si.Me	30	5	50	750	175	30	84C	-
2SC16	东芝	SW	Si.P	25	5	30	250	175	25	49C	-
2SC16A	东芝	SW	Si.P	25	5	50	250	175	30	49C	-
2SC17	东芝	RF	Si.P	20	-	50	250	175	-	49C	-
2SC17A	东芝	RF	Si.P	25	-	30	250	175	-	49C	-
2SC18	东芝	RF	Si.P	25	2	30	250	175	12	49C	-
2SC19	东芝	SW	Si.P	40	5	400	600	150	50	84A	-
2SC20	东芝	RF	Si.P	40	3	400	600	150	-	84A	-
2SC21	东芝	SW	Si.P	60	5.5	2A	60W(Tc=25℃)	150	25	102	-
2SC22	日电	RF	Si.E	75	5	600	13W(Tc=25℃)	175	50	83	-
2SC23	日电	RF	Si.E	75	5	500	13W(Tc=25℃)	175	50	83	-
2SC24	日电	RF	Si.E	100	5	500	13W(Tc=25℃)	175	50	83	-
2SC25	松下	RF.IF.Conv.Mix.Osc	Si.Me	60	-	60	500	150	-	84B	-
2SC26	富士通	RF	Si.Me	60	-	100	500	150	-	79	-
2SC27	富士通	RF	Si.EP	60	5	100	650	175	-	84C	-
2SC28	富士通	RF	Si.EP	40	5	50	225	150	-	84C	-
2SC29	富士通	RF	Si.EP	40	5	25	115	150	-	84C	-
2SC30	日电	RF	Si.E	60	5	80	500	150	-	84B	-
2SC31	日电	RF.PA	Si.E	60	5	200	750	175	-	84B	-
2SC32	日电	RF.PA	Si.E	60	5	200	750	175	-	84B	2SA544
2SC32A	日电	RF.PA	Si.E	60	5	200	750	175	-	84B	-
2SC33	日电	RF	Si.E	45	3	150	150	150	-	50C	-
2SC34	松下	SW	Ge.A	20	20	250	140	75	30	20	-
2SC35	松下	SW	Ge.A	20	20	400	140	75	65	20	-
2SC36	松下	SW	Ge.A	20	20	400	140	75	100	20	-
2SC37	日电	RF.IF.Conv.Mix.PA	Si.E	40	3	200	200	175	-	84B	-
2SC38	日电	RF.IF.Conv.Mix.Osc.	Si.E	40	3	200	750	175	-	84B	-
2SC39	富士通	RF	Si.Me	25	3	50	250	150	-	49C	-
2SC39A	富士通	RF	Si.P	25	3	50	250	150	-	49C	-
2SC40	富士通	RF	Si.Me	25	3	50	250	150	-	49C	-
2SC41	Sony	RF	Si.Me	150	-	5A	50W(Tc=25℃)	150	28	103	-
2SC42	Sony	RF	Si.Me	150	6	5A	50W(Tc=25℃)	150	28	103	-
2SC42A	Sony	RF	Si.Me	200	6	5A	50W(Tc=25℃)	150	40	103	-
2SC43	Sony	RF	Si.Me	100	6	5A	50W(Tc=25℃)	150	28	103	-
2SC44	Sony	RF	Si.Me	50	6	5A	50W(Tc=25℃)	150	28	103	-
2SC45	日电	RF	Si.P	45	-	100	500	150	50	84B	-
2SC46	富士通	RF.IF.Conv.Mix.Osc.SW	Si.Me	60	5	300	600	150	50	84C	-
2SC47	富士通	RF.IF.Conv.Mix.Osc.SW	Si.Me	40	5	300	600	150	50	84C	-
2SC48	富士通	RF.IF.Conv.Mix.Osc.SW	Si.Me	120	5	300	600	150	50	84C	-
2SC49	日电	RF.IF.Conv.Mix.Osc	Si.E	120	6	300	800	175	60	84B	-
2SC50	松下	RF.Conv.Mix.Osc	Ge.A	20	20	200	100	75	-	20	-
2SC51	富士通	RF.IF.Conv.Mix.Osc.PA	Si.Me	60	5	300	1W	150	50	80	-
2SC52	富士通	RF.IF.Conv.Mix.Osc.PA	Si.P	40	5	100	500	150	50	84C	-
2SC53	富士通	RF.IF.Conv.Mix.Osc.PA	Si.P	25	3	100	600	150	50	84C	-
2SC54	富士通	RF.IF.Conv.Mix.Osc.SW	Si.P	40	5	100	300	150	50	49C	-
2SC55	富士通	RF.IF.Conv.Mix.Osc.PA	Si.P	25	3	100	360	150	50	49C	-
2SC56	富士通	RF.Conv.Mix.Osc	Si.P	20	3	25	200	120	-	30	-
2SC57	日电	PA	Si.Me	75	4	500	13W(Tc=25℃)	175	30	83	-
2SC58	松下	RF.IF.Conv.Mix.Osc.PA	Si.Me	60	1.5	60	600	175	50	84A	-
2SC58A	松下	RF.IF.Conv.Mix.Osc.PA	Si.Me	140	1.5	60	600	175	50	84A	-
2SC59	日电	RF	Si.E	120	6	300	800	175	35	84B	-
2SC60	三洋	RF	Ge.A	20	10	20	100	85	-	12B	-
2SC61	富士通	RF.IF.Conv.Mix.Osc.SW	Si.Me	30	5	300	1.2W	175	50	80	-
2SC62	日立	SW	Si.P	40	5	50	360	175	100	49C	-
2SC63	日电	SW	Si.Me	25	3	50	300	150	40	49C	-
2SC64	三洋	RF	Si.Me	80	2	50	600	175	-	84B	-
2SC65	三洋	RF	Si.Me	150	4	50	600	175	30	84B	-
2SC66	三洋	RF	Si.Me	150	2	50	600	175	-	84B	-
2SC67	日电	SW	Si.E	40	5	200	360	175	80	49C	-
2SC68	日电	SW	Si.E	40	5	200	360	150	100	49C	-
2SC69	日电	RF	Si.E	120	6	300	800	175	50	84B	-
2SC70	东芝	RF	Si.TMe	180	-	20	800	150	-	84A	-
2SC71	东芝	SW	Ge.A	18	12	200	150	85	100	84A	-
2SC72	东芝	SW	Ge.A	18	12	200	150	85	100	84A	-
2SC73	Sony	RF.Conv.Mix.Osc	Ge.G	15	-	5	30	75	-	18	2S132 2T73
2SC74	东芝	RF	Si.P	30	5	100	360	175	-	84A	-
2SC75	Sony	IF	Ge.G	15	-	5	30	75	-	18	2S133 2T75
2SC76	Sony	IF	Ge.G	15	-	5	30	75	-	18	2S134 2T76
2SC77	Sony	IF	Ge.G	15	-	5	30	75	-	18	2S135 2T77
2SC78	Sony	RF.Conv.Mix.Osc	Ge.G	15	-	5	30	75	-	18	2S136 2T78
2SC79	富士通	RF.Conv.Mix.Osc	Si.Me	15	3	50	300	175	-	49C	-
2SC80	日电	RF.Conv.Mix.Osc	Si.E	30	3	80	200	175	-	50C	-
2SC81	三菱	PA	Si.Me	50	-	5A	125W(Tc=25℃)	150	30	108	-
2SC82	三菱	PA	Si.Me	100	-	5A	125W(Tc=25℃)	150	30	108	-
2SC83	三菱	PA	Si.Me	150	-	5A	125W(Tc=25℃)	150	30	108	-
2SC84	三菱	SW	Ge.A	25	20	200	120	85	40	12A	-
2SC85	三菱	SW	Ge.A	25	20	400	120	85	30	12A	-
2SC86	三菱	SW	Ge.A	25	20	400	120	85	60	12A	-
2SC87	富士通	RF.Conv.Mix.Osc.SW.PA	Si.Me	30	3	100	600	175	50	84C	-
2SC88	富士通	RF.Conv.Mix.Osc.SW.PA	Si.Me	120	3	100	600	175	50	84C	-
2SC89	日立	SW	Ge.A	25	20	400	120	85	20-100	84A	-
2SC90	日立	SW	Ge.A	25	20	400	120	85	20-120	84A	-
2SC91	日立	SW	Ge.A	25	20	400	120	85	30-200	84A	-
2SC92	日电	PA	Si.E	100	5	2A	20W(Tc=25℃)	175	35	83	-
2SC93	日电	PA	Si.E	80	5	2A	20W(Tc=25℃)	175	35	83	-
2SC94	日电	PA	Si.E	100	5	2A	20W(Tc=25℃)	175	35	83	-
2SC95	东芝	RF.PA	Si.Me	140	-	100	800	150	-	84A	-
2SC96	东芝	チョッパ	Si.EP	25	5	150	500	175	60	88A	2只复合管
2SC97	日电	RF.SW	Si.E	60	5	1A	800	175	60	84B	-
2SC97A	日电	RF.SW	Si.E	80	5	1A	800	175	80	123	2SA571
2SC98	松下	SW	Si.EP	20	5	100	300	175	45	49C	-
2SC99	松下	SW	Si.EP	20	5	100	300	175	80	49C	-
2SC100	日电	RF.SW	Si.E	40	5	200	150	200	60	23	-
晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅）（放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com 本站不保证资料完整性及正确性，您在使用或置换时要严格核对，本数据表仅供参考。