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2SC01-2SC1000三极管参数表

发布时间:2009-02-12 14:38:06  来源:资料室  作者:  更新20260509 173702

型号 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC11 东芝 SW Ge.A 18 12 24 55 75 44 12A -
2SC12 东芝 SW Si.Me 60 8 250 180 150 20 84A -
2SC13 东芝 SW Ge.A 18 12 40 65 75 48 84A -
2SC14 东芝 SW Ge.A 18 12 40 65 75 48 84A -
2SC15 Sony RF Si.Me 30 5 50 750 175 30 84C -
2SC16 东芝 SW Si.P 25 5 30 250 175 25 49C -
2SC16A 东芝 SW Si.P 25 5 50 250 175 30 49C -
2SC17 东芝 RF Si.P 20 - 50 250 175 - 49C -
2SC17A 东芝 RF Si.P 25 - 30 250 175 - 49C -
2SC18 东芝 RF Si.P 25 2 30 250 175 12 49C -
2SC19 东芝 SW Si.P 40 5 400 600 150 50 84A -
2SC20 东芝 RF Si.P 40 3 400 600 150 - 84A -
2SC21 东芝 SW Si.P 60 5.5 2A 60W(Tc=25℃) 150 25 102 -
2SC22 日电 RF Si.E 75 5 600 13W(Tc=25℃) 175 50 83 -
2SC23 日电 RF Si.E 75 5 500 13W(Tc=25℃) 175 50 83 -
2SC24 日电 RF Si.E 100 5 500 13W(Tc=25℃) 175 50 83 -
2SC25 松下 RF.IF.Conv.Mix.Osc Si.Me 60 - 60 500 150 - 84B -
2SC26 富士通 RF Si.Me 60 - 100 500 150 - 79 -
2SC27 富士通 RF Si.EP 60 5 100 650 175 - 84C -
2SC28 富士通 RF Si.EP 40 5 50 225 150 - 84C -
2SC29 富士通 RF Si.EP 40 5 25 115 150 - 84C -
2SC30 日电 RF Si.E 60 5 80 500 150 - 84B -
2SC31 日电 RF.PA Si.E 60 5 200 750 175 - 84B -
2SC32 日电 RF.PA Si.E 60 5 200 750 175 - 84B 2SA544
2SC32A 日电 RF.PA Si.E 60 5 200 750 175 - 84B -
2SC33 日电 RF Si.E 45 3 150 150 150 - 50C -
2SC34 松下 SW Ge.A 20 20 250 140 75 30 20 -
2SC35 松下 SW Ge.A 20 20 400 140 75 65 20 -
2SC36 松下 SW Ge.A 20 20 400 140 75 100 20 -
2SC37 日电 RF.IF.Conv.Mix.PA Si.E 40 3 200 200 175 - 84B -
2SC38 日电 RF.IF.Conv.Mix.Osc. Si.E 40 3 200 750 175 - 84B -
2SC39 富士通 RF Si.Me 25 3 50 250 150 - 49C -
2SC39A 富士通 RF Si.P 25 3 50 250 150 - 49C -
2SC40 富士通 RF Si.Me 25 3 50 250 150 - 49C -
2SC41 Sony RF Si.Me 150 - 5A 50W(Tc=25℃) 150 28 103 -
2SC42 Sony RF Si.Me 150 6 5A 50W(Tc=25℃) 150 28 103 -
2SC42A Sony RF Si.Me 200 6 5A 50W(Tc=25℃) 150 40 103 -
2SC43 Sony RF Si.Me 100 6 5A 50W(Tc=25℃) 150 28 103 -
2SC44 Sony RF Si.Me 50 6 5A 50W(Tc=25℃) 150 28 103 -
2SC45 日电 RF Si.P 45 - 100 500 150 50 84B -
2SC46 富士通 RF.IF.Conv.Mix.Osc.SW Si.Me 60 5 300 600 150 50 84C -
2SC47 富士通 RF.IF.Conv.Mix.Osc.SW Si.Me 40 5 300 600 150 50 84C -
2SC48 富士通 RF.IF.Conv.Mix.Osc.SW Si.Me 120 5 300 600 150 50 84C -
2SC49 日电 RF.IF.Conv.Mix.Osc Si.E 120 6 300 800 175 60 84B -
2SC50 松下 RF.Conv.Mix.Osc Ge.A 20 20 200 100 75 - 20 -
2SC51 富士通 RF.IF.Conv.Mix.Osc.PA Si.Me 60 5 300 1W 150 50 80 -
2SC52 富士通 RF.IF.Conv.Mix.Osc.PA Si.P 40 5 100 500 150 50 84C -
2SC53 富士通 RF.IF.Conv.Mix.Osc.PA Si.P 25 3 100 600 150 50 84C -
2SC54 富士通 RF.IF.Conv.Mix.Osc.SW Si.P 40 5 100 300 150 50 49C -
2SC55 富士通 RF.IF.Conv.Mix.Osc.PA Si.P 25 3 100 360 150 50 49C -
2SC56 富士通 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 20 3 25 200 120 - 30 -
2SC57 日电 PA Si.Me 75 4 500 13W(Tc=25℃) 175 30 83 -
2SC58 松下 RF.IF.Conv.Mix.Osc.PA Si.Me 60 1.5 60 600 175 50 84A -
2SC58A 松下 RF.IF.Conv.Mix.Osc.PA Si.Me 140 1.5 60 600 175 50 84A -
2SC59 日电 RF Si.E 120 6 300 800 175 35 84B -
2SC60 三洋 RF Ge.A 20 10 20 100 85 - 12B -
2SC61 富士通 RF.IF.Conv.Mix.Osc.SW Si.Me 30 5 300 1.2W 175 50 80 -
2SC62 日立 SW Si.P 40 5 50 360 175 100 49C -
2SC63 日电 SW Si.Me 25 3 50 300 150 40 49C -
2SC64 三洋 RF Si.Me 80 2 50 600 175 - 84B -
2SC65 三洋 RF Si.Me 150 4 50 600 175 30 84B -
2SC66 三洋 RF Si.Me 150 2 50 600 175 - 84B -
2SC67 日电 SW Si.E 40 5 200 360 175 80 49C -
2SC68 日电 SW Si.E 40 5 200 360 150 100 49C -
2SC69 日电 RF Si.E 120 6 300 800 175 50 84B -
2SC70 东芝 RF Si.TMe 180 - 20 800 150 - 84A -
2SC71 东芝 SW Ge.A 18 12 200 150 85 100 84A -
2SC72 东芝 SW Ge.A 18 12 200 150 85 100 84A -
2SC73 Sony RF.Conv.Mix.Osc Ge.G 15 - 5 30 75 - 18 2S132 2T73
2SC74 东芝 RF Si.P 30 5 100 360 175 - 84A -
2SC75 Sony IF Ge.G 15 - 5 30 75 - 18 2S133 2T75
2SC76 Sony IF Ge.G 15 - 5 30 75 - 18 2S134 2T76
2SC77 Sony IF Ge.G 15 - 5 30 75 - 18 2S135 2T77
2SC78 Sony RF.Conv.Mix.Osc Ge.G 15 - 5 30 75 - 18 2S136 2T78
2SC79 富士通 RF.Conv.Mix.Osc Si.Me 15 3 50 300 175 - 49C -
2SC80 日电 RF.Conv.Mix.Osc Si.E 30 3 80 200 175 - 50C -
2SC81 三菱 PA Si.Me 50 - 5A 125W(Tc=25℃) 150 30 108 -
2SC82 三菱 PA Si.Me 100 - 5A 125W(Tc=25℃) 150 30 108 -
2SC83 三菱 PA Si.Me 150 - 5A 125W(Tc=25℃) 150 30 108 -
2SC84 三菱 SW Ge.A 25 20 200 120 85 40 12A -
2SC85 三菱 SW Ge.A 25 20 400 120 85 30 12A -
2SC86 三菱 SW Ge.A 25 20 400 120 85 60 12A -
2SC87 富士通 RF.Conv.Mix.Osc.SW.PA Si.Me 30 3 100 600 175 50 84C -
2SC88 富士通 RF.Conv.Mix.Osc.SW.PA Si.Me 120 3 100 600 175 50 84C -
2SC89 日立 SW Ge.A 25 20 400 120 85 20-100 84A -
2SC90 日立 SW Ge.A 25 20 400 120 85 20-120 84A -
2SC91 日立 SW Ge.A 25 20 400 120 85 30-200 84A -
2SC92 日电 PA Si.E 100 5 2A 20W(Tc=25℃) 175 35 83 -
2SC93 日电 PA Si.E 80 5 2A 20W(Tc=25℃) 175 35 83 -
2SC94 日电 PA Si.E 100 5 2A 20W(Tc=25℃) 175 35 83 -
2SC95 东芝 RF.PA Si.Me 140 - 100 800 150 - 84A -
2SC96 东芝 チョッパ Si.EP 25 5 150 500 175 60 88A 2只复合管
2SC97 日电 RF.SW Si.E 60 5 1A 800 175 60 84B -
2SC97A 日电 RF.SW Si.E 80 5 1A 800 175 80 123 2SA571
2SC98 松下 SW Si.EP 20 5 100 300 175 45 49C -
2SC99 松下 SW Si.EP 20 5 100 300 175 80 49C -
2SC100 日电 RF.SW Si.E 40 5 200 150 200 60 23 -

晶体管参数说明:(材料:Ge锗,Si硅) (放大倍数:MIX表示最小值,带有T的表示典型值)www.838dz.com
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