单结晶体管工作原理

在单结晶体管中PN结导通之后，从发射区（P区）向基压（N区）发射了大量的空穴型载流子，I_E增长很快，E和B₁之间变成低阻导通状态，R_B1迅速减小，而E和B₁之间的电压U_E也随着下降。这一段特性曲线的动态电阻为负值，因此称为负阻区。而B₂的电位高于E的电位，空穴型载流子不会向B₂运动，电阻R_B2基本上不变。

 当发射极电流I_E增大到某一数值时，电压U_E下降到最低点。特性由线上的这一点称为谷点V。与此点相对应的是谷点电压U_V和谷点电流I_V。此后，当调节R_P使发射极电流继续增大时，发射极电压略有上升，但变化不大。谷点右边的这部分特性称为饱和区。

综上所述，单结晶体管具有以下特点：

（1）当发射极电压等于峰点电压U_P时，单结晶体管导通。导通之后，当发射极电压小于谷点电压U_V时，单结晶体管就恢复截止。

（2）单结晶体管的峰点电压U_P与外加固定电压U_BB及其分压比有关。而分压比是由管子结构决定的，可以看做常数。

对于分压比不同的管子，或者外加电压U_BB的数值不同时，峰值电压U_P也就不同。

（3）不同单结晶体管的谷点电压U_V和谷点电流I_V都不一样。谷点电压大约在2~5V之间。在触发电路中，常选用稍大一些、U_V低一些和I_V大一些的单结管，以增大输出脉冲幅度和移相范围。

单结晶体管触发电路

单结晶体管触发的单相半控桥式整流电路

  图3  单结晶体管的伏安特性曲线

 1．调节R_P，使U_E从零逐渐增加。当U_E比较小时（U_E＜U_BB＋U_D），单结晶体管内的PN结处于反向偏置，E与B₁之间不能导通，呈现很大电阻。当U_E很小时，有一个很小的反向漏电流。随着U_E的增高，这个电流逐渐变成一个大约几微安的正向漏电流。这一段在图3所示的曲线中称为截止区，即单结晶体管尚未导通的一段。