lm386简介:LM386
是专为低损耗电源所设计的功率放大器集成电路。它的内建增益为20,透过pin 1 和pin8脚位间电容的搭配,增益最高可达200。LM386可使用电池为供应电源,输入电压范围可由4V~12V,无作动时仅消耗4mA电流,且失真低。LM386的内部电路图及引脚排列图如图1、图2所示,表1为其电气特性。
图1. 内部电路图
极限参数: 电源电压 (LM386N-1,-3,LM386M-1)15V 电源电压(LM386N-4)22V 封装耗散 (LM386N)1.25W (LM386M)0.73W (LM386MM-1)0.595W 输入电压±0.4V 储存温度-65℃至+150℃ 操作温度0℃至+70℃ 结温+150℃ 焊接信息 焊接(10秒)260℃ 小外形封装(SOIC和MSOP) 气相(60秒)215℃ 红外(15秒)220℃ 热电阻 qJC (DIP)37℃/W qJA (DIP)107℃/W qJC (SO封装)35℃/W qJA (SO封装)172℃/W qJA (MSOP封装)210℃/W qJC (MSOP封装)56℃/W |
表1. LM386电气特性
- -
Parameter 参数
测试条件
最小
典型
最大
单位
Operating Supply Voltage (VS) 操作电源电压
-
-
LM386N-1,-3,LM386M-1,LM386MM-1
4
-
12
V
LM386N-4
5
-
18
V
Quiescent Current (IQ) 静态电流
VS = 6V, VIN =0
4
8
mA
Output Power (POUT) 输出功率
-
LM386N-1,LM386M-1,LM386MM-1
VS = 6V, RL =8W, THD = 10%
250
325
mW
LM386N-3
VS = 9V, RL =8W, THD = 10%
500
700
-
mW
LM386N-4
VS=16V, RL =32W, THD = 10%
700
1000
-
mW
Voltage Gain (AV) 电压增益
VS = 6V, f = 1 kHz
26
-
dB
10 μF from Pin 1 to 8
46
-
dB
Bandwidth (BW) 宽带
VS = 6V, Pins 1 and 8 Open
300
-
kHz
Total Harmonic Distortion (THD)总谐波失 真
VS = 6V, RL =8W,POUT = 125 mW f = 1 kHz, Pins 1 and 8 Open
-
0.2
-
%
Power Supply Rejection Ratio (PSRR) 电源抑制比
VS=6V, f=1kHz, CBYPASS =10 μF Pins 1 and 8 Open,Referred to Output
-
50
-
dB
Input Resistance (RIN) 输入电阻
-
-
50
-
kΩ
Input Bias Current (IBIAS) 输入偏置电流
VS = 6V, Pins 2 and 3 Open
-
250
-
nA
图3的应用电路为增益20的情形,于pin 1及pin 8间加一个10mF的电容即可使增益变成200,如图4所示。图中10kW的可变电阻是用来调整扬声器音量大小,若直接将Vin输入即为最音量最大的状态。
图3 功放电路工作原理 图4
图5 调幅收音机功率放大器
图6 LM386N-1 LM386N-3 LM386N-4 封装图片
图7 LM386MM-1 封装图片