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2SB系列三极管参数表及代换

发布时间:2009-02-12 14:37:16  来源:资料室  作者:  更新20260509 173402

型号 制造厂Mnf. 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SB1001 日立 AF Si.E -20 -6 -2A 1W(プリント基板使用) 150 200 73 2SD1367
2SB1002 日立 AF Si.E -70 -6 -1A 1W(プリント基板使用) 150 200 73 2SD1368
2SB1003 东芝 AF.PA.SW Si.T -60 -5 -3A 25W(Tc=25℃) 150 5000 51 达林顿内藏阻尼二极管
2SB1004 东芝 AF.PA.SW Si.T -100 -5 -4A 30W(Tc=25℃) 150 4000 51 达林顿内藏阻尼二极管
2SB1005 三垦 AF.PA Si.EP -50 -6 -4A 30W(Tc=25℃) 150 3000 298 达林顿内藏阻尼二极管
2SB1007 ROHM AF.PA Si.EP -80 -5 -700 10W(Tc=25℃) 150 180 74 -
2SB1008 ROHM AF.PA Si.EP -40 -5 -2A 10W(Tc=25℃) 150 20000 74 达林顿
2SB1009 ROHM AF Si.EP -40 -5 -2A 10W(Tc=25℃) 150 180 74 -
2SB1010 ROHM AF Si.EP -40 -5 -2A 750 125 180 334 -
2SB1011 松下 AF Si.TP -400 -5 -100 1.2W 150 150 222 -
2SB1012 日立 PA Si.E -120 -7 -1.5A 8W(Tc=25℃) 150 5000 160 达林顿内藏阻尼二极管
2SB1013 三洋 AF Si.EP -20 -6 -2A 700 150 250 138 -
2SB1014 三洋 AF Si.EP -60 -6 -1A 700 150 250 138 -
2SB1015 东芝 PA Si.T -60 - -3A 20W(Tc=25℃) 150 110 381 -
2SB1016 东芝 PA Si.T -100 - -5A 25W(Tc=25℃) 150 100 381 -
2SB1017 东芝 PA Si.T -80 - -4A 20W(Tc=25℃) 150 100 381 -
2SB1018 东芝 PA.SW Si.T -100 -5 -7A 25W(Tc=25℃) 150 120 381 -
2SB1019 东芝 PA.SW Si.T -70 -5 -7A 75W(Tc=25℃) 150 120 381 -
2SB1020 东芝 PA.SW Si.T -100 -5 -7A 40W(Tc=25℃) 150 6000 381 达林顿内藏阻尼二极管
2SB1021 东芝 PA.SW Si.T -80 -5 -7A 40W(Tc=25℃) 150 6000 381 内藏阻尼二极管达林顿
2SB1022 东芝 PA.SW Si.T -60 -5 -7A 40W(Tc=25℃) 150 6000 381 内藏阻尼二极管达林顿
2SB1023 东芝 PA.SW Si.T -60 -5 -3A 25W(Tc=25℃) 150 5000 381 内藏阻尼二极管达林顿
2SB1024 东芝 PA.SW Si.T -100 -5 -4A 30W(Tc=25℃) 150 4000 381 内藏阻尼二极管达林顿
2SB1025 日立 AF.PA Si.E -120 -5 -1A 1W(プリント基板使用) 150 150 73 2SD1418
2SB1026 日立 AF.PA Si.E -120 -5 -1A 1W(プリント基板使用) 150 110 73 2SD1419
2SB1027 日立 AF.PA Si.E -180 -5 -1.5A 500 150 150 73 2SD1420
2SB1028 日立 AF.PA Si.E -180 -5 -1.5A 500 150 100 73 2SD1421
2SB1029 日立 AF.PA Si.E -100 -5 -2A 500 150 110 73 2SD1122
2SB1030 松下 AF Si.EP -30 -5 -500 300 125 200 376 -
2SB1031 日立 PA Si.E -100 -7 -15A 100W(Tc=25℃) 150 5000 373 内藏阻尼二极管达林顿
2SB1032 日立 PA Si.T -120 -7 -10A 80W(Tc=25℃) 150 5000 373 内藏阻尼二极管达林顿
2SB1033 ROHM PA Si.EP -80 -5 -3A 40W(Tc=25℃) 150 120 268 -
2SB1034 东芝 PA.SW Si.E -80 -8 -2A 15W(Tc=25℃) 150 5000 342 达林顿
2SB1035 三菱 AF.PA Si.E -30 -4 -1A 900 150 150 6 2SD1447
2SB1036 松下 LN Si.EP -120 -5 -20 300 125 350 376 -
2SB1037 三洋 PA Si.EP -150 -5 -1.5A 30W(Tc=25℃) 175 70-200 268 2SD1159
2SB1038 日电 PA Si.E -60 -7 -3A 30W(Tc=25℃) 150 100 370 2SD1310
2SB1039 日电 PA Si.E -100 -7 -4A 40W(Tc=25℃) 150 100 370 -
2SB1040 日电 AF.PA Si.E -20 -6 -2A 600 150 400 186 -
2SB1041 ROHM AF Si.EP -80 -5 -1A 900 135 180 334 -
2SB1042 ROHM AF Si.EP -80 -5 -1A 1W 135 180 360 -
2SB1043 ROHM AF Si.EP -50 -5 -1A 900 135 180 334 -
2SB1044 ROHM AF Si.EP -50 -5 -1A 1W 135 180 360 -
2SB1045 日立 AF Si.E -120 -5 -50 500 150 120 73 2SD1463
2SB1046 日立 AF Si.E -180 -5 -50 500 150 135 73 2SD1464
2SB1047 日立 PA Si.E -180 -5 -50 1W(陶瓷基板使用) 150 60-320 73 2SD1465
2SB1048 日立 AF Si.E -60 -7 -1A 500 150 5000 73 达林顿
2SB1049 松下 AF Si.EP -30 -7 -100 400 150 300 151 -
2SB1050 松下 AF Si.EP -30 -7 -5A 1W 150 200 151 -
2SB1051 ROHM AF Si.EP -40 -5 -300 200 125 180 335 -
2SB1052 松下 PA Si.EP -60 -5 -2A 25W(Tc=25℃) 150 100 364 -
2SB1053 松下 AF Si.EP -40 -5 -100 200 125 150 176 -
2SB1054 松下 PA Si.TP -100 -5 -5A 60W(Tc=25℃) 150 100 82 -
2SB1055 松下 PA Si.TP -120 -5 -6A 70W(Tc=25℃) 150 100 82 -
2SB1056 松下 PA Si.TP -140 -5 -7A 80W(Tc=25℃) 150 100 82 -
2SB1057 松下 PA Si.TP -150 -5 -9A 100W(Tc=25℃) 150 100 82 -
2SB1058 日立 AF Si.EP -20 -6 -2A 750 150 200 138 2SD1489
2SB1059 日立 AF Si.EP -70 -6 -1A 750 150 170 138 2SD1490
2SB1060 日立 AF Si.E -70 -6 -1A 1W 150 220 379 -
2SB1061 日电 PA Si.T -300 -7 -300 15W(Tc=25℃) 150 5000 268 达林顿
2SB1062 松下 AF Si.EP -15 -7 -500 600 150 200 151 -
2SB1063 松下 PA Si.EP -100 -5 -5A 40W(Tc=25℃) 150 100 364 -
2SB1064 - AF.PA Si.EP -60 -5 -3A 30W(Tc=25℃) 150 120 268 -
2SB1065 - AF.PA Si.EP -60 -5 -3A 10W(Tc=25℃) 150 120 74 -
2SB1066 - AF.PA Si.EP -60 -5 -3A 1W 150 120 383 -
2SB1067 东芝 AF.PA.SW Si.E -80 -8 -2A 1.5W 150 5000 384 达林顿
2SB1068 日电 PA Si.E -20 -6 -2A 750 150 350 138 2SD1513
2SB1069 松下 AF.PA Si.EP -40 -5 -3A 25W(Tc=25℃) 150 120 268 -
2SB1070 松下 AF.PA Si.EP -40 -5 -3A 25W(Tc=25℃) 150 120 363 -
2SB1071 松下 AF.PA Si.EP -40 -5 -3A 25W(Tc=25℃) 150 120 364 -
2SB1072 日立 AF.PA Si.T -100 -7 -4A 20W(Tc=25℃) 150 3000 245 内藏阻尼二极管 2SD1520
2SB1073 松下 AF Si.EP -30 -7 -5A 500 150 200 336 -
2SB1074 松下 AF.PA Si.TP -400 -5 -500 1W 150 100 151 -
2SB1075 松下 AF.PA SiEP -50 -5 -2A 1.2W 150 200 222 -
2SB1076 ROHM PA SiEP -40 -5 -2A 1W 135 20000 360 达林顿
2SB1077 日立 AF Si.T -60 -7 -4A 30W(Tc=25℃) 150 5000 268 达林顿
2SB1078 日立 AF Si.T -120 -7 -8A 40W(Tc=25℃) 150 5000 268 达林顿
2SB1079 日立 AF.PA Si.T -100 -7 -20A 100W(Tc=25℃) 150 5000 373 内藏阻尼二极管达林顿
2SB1080 日立 AF Si.E -35 -5 -2A 10W(Tc=25℃) 150 200 234D -
2SB1085 ROHM AF.PA Si.EP -120 -5 -1.5A 20W(Tc=25℃) 150 120 268 -
2SB1086 ROHM AF.PA Si.EP -120 -5 -1.5A 10W(Tc=25℃) 150 120 74 -
2SB1087 日电 PA Si.E -100 -7 -5A 30W(Tc=25℃) 150 8000 268 达林顿
2SB1088 日电 PA.SW Si.E -100 -8 +-10A 60W(Tc=25℃) 150 6000 370 内藏阻尼二极管达林顿
2SB1089 日电 PA Si.E -60 -7 -3A 30W(Tc=25℃) 150 100 268 -
2SB1090 日电 PA Si.E -100 -7 -4A 40W(Tc=25℃) 150 100 268 -
2SB1091 日立 AF.PA Si.T -60 -7 -8A 40W(Tc=25℃) 150 5000 268 达林顿
2SB1092 日立 AF.PA Si.E -80 -7 -1.5A 8W(Tc=25℃) 150 10000 160 达林顿
2SB1093 日电 AF.PA.SW Si.E -80 -8 +-1.5A 1W 150 2000-30000 278 内藏阻尼二极管达林顿
2SB1094 日电 PA Si.E -60 -7 -3A 15W(Tc=25℃) 150 100 96 -
2SB1095 日电 PA Si.E -100 -7 -4A 20W(Tc=25℃) 150 100 96 -
2SB1096 日电 PA Si.T -200 -5 -2A 25W(Tc=25℃) 150 90 96 -
2SB1097 日电 SW Si.E -80 -7 -7A 30W(Tc=25℃) 150 80 96 -
2SB1098 日电 SW Si.E -100 -7 -5A 20W(Tc=25℃) 150 8000 96 内藏阻尼二极管达林顿
2SB1099 日电 PA.SW Si.E -100 -7 -8A 25W(Tc=25℃) 150 6000 96 内藏阻尼二极管达林顿
2SB1100 日电 SW Si.E -100 -8 -10A 30W(Tc=25℃) 150 6000 96 内藏阻尼二极管达林顿

晶体管参数说明:(材料:Ge锗,Si硅) (放大倍数:MIX表示最小值,带有T的表示典型值)www.838dz.com
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