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2SB系列三极管参数表及代换

发布时间:2009-02-12 14:37:16  来源:资料室  作者:  更新20260509 173402

型号 制造厂Mnf. 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SB801 日电 AF Si.E -45 -5 -1A 400 150 100 336 -
2SB802 日电 AF Si.E -60 -5 -1A 400 150 90 336 -
2SB803 日电 AF Si.E -100 -5 -1A 400 150 90 336 -
2SB804 日电 AF Si.E -100 -5 -1A 2W(陶瓷基板使用) 150 200 336 2SD1005
2SB805 日电 AF Si.E -100 -5 -700 2W(陶瓷基板使用) 150 200 336 2SD1006
2SB806 日电 AF Si.E -120 -5 -700 2W(陶瓷基板使用) 150 200 336 2SD1007
2SB807 松下 AF Si.EP -150 -5 -50 1W(プリント基板使用) 150 90-450 336 2SD1009
2SB808 三洋 PA Si.EP -20 -5 -700 250 125 160-960 92 2SD1012
2SB810 日电 AF Si.E -30 -5 -700 350 150 200 42 2SD1020
2SB811 日电 PA Si.E -30 -5 -1A 350 150 200 42 2SD1021
2SB812 松下 PA Si.EP -60 -5 -4A 60W(Tc=25℃) 150 40-250 365 2SD1032
2SB812A 松下 PA Si.EP -80 -5 -4A 60W(Tc=25℃) 150 100 365 2SD1032A
2SB813 三洋 PA Si.TP -60 -5 -4A 40W(Tc=25℃) 150 100 268 -
2SB814 松下 AF.LN Si.EP -120 -5 -20 200 125 180-700 176 -
2SB815 三洋 AF Si.EP -20 -5 -700 200 125 160-960 176 2SD1048
2SB816 三洋 PA.SW Si.P -150 -6 -8A 80W(Tc=25℃) 150 60-200 346 2SD1046
2SB817 三洋 PA.SW Si.P -160 -6 -12A 100W(Tc=25℃) 150 60-200 346 2SD1047
2SB818 日立 AF.PA Si.E -100 -7 -10A 80W(Tc=25℃) 150 2000 332 达林顿内藏阻尼二极管
2SB819 松下 AF Si.EP -50 -5 -1.5A 1W 150 30-220 151 2SD1051
2SB820 日电 PA Si.T -350 -7 -1A 15W(Tc=25℃) 150 50 185 -
2SB821 ROHM LN Sj.EP -50 -5 -300 250 125 270 235 -
2SB822 ROHM AF Sj.EP -40 -5 -2A 750 135 180 235 -
2SB823 三洋 PA Sj.EP -100 -6 -6A 40W(Tc=25℃) 150 100 268 -
2SB824 三洋 PA Sj.EP -60 -6 -5A 30W(Tc=25℃) 150 120 268 -
2SB825 三洋 PA.SW Sj.EP -60 -6 -7A 40W(Tc=25℃) 150 100 268 -
2SB826 三洋 PA.SW Sj.EP -60 -6 -12A 40W(Tc=25℃) 150 100 268 -
2SB827 三洋 PA.SW Sj.EP -60 -6 -7A 60W(Tc=25℃) 150 100 346 -
2SB828 三洋 PA.SW Sj.EP -60 -6 -12A 80W(Tc=25℃) 150 100 346 -
2SB829 三洋 PA.SW Sj.EP -60 -6 -15A 90W(Tc=25℃) 150 100 346 -
2SB830 日立 PA Si.E -20 -6 -2A 900 150 220 251 -
2SB831 日立 PA Si.E -25 -5 -700 150 150 140 176 2SD1101
2SB832 Sony SW.PA Si.Pa -1000 -10 10 25W(Tc=25℃) 120 >50 268 2SD1068
2SB833 东芝 AF.PA.SW Si.T -80 -5 -30A 150W(Tc=25℃) 150 4000 102 达林顿内藏阻尼二极管
2SB834 东芝 AF.PA Si.T -60 - -3A 30W(Tc=25℃) 150 100 268 -
2SB835 松下 AF Si.EP -20 -5 -1A 1W 150 90-360 151 -
2SB836 日立 PA Si.E -25 -5 -2.5A 20W(Tc=25℃) 150 160 245 2SD1077
2SB837 日立 PA Si.E -35 -5 -2.5A 20W(Tc=25℃) 150 160 245 -
2SB838 日立 PA Si.E -50 -4 -2A 20W(Tc=25℃) 150 120 245 -
2SB839 日立 PA Si.E -80 -4 -2A 20W(Tc=25℃) 150 120 245 -
2SB840 日立 PA Si.E -180 -5 -1.5A 20W(Tc=25℃) 150 100 245 2SD1080
2SB841 日立 PA Si.E -180 -5 -1.5A 20W(Tc=25℃) 150 100 245 2SD1081
2SB842 日立 PA Si.E -200 -5 -1.5A 20W(Tc=25℃) 150 100 245 -
2SB843 日立 AF.PA Si.E -50 -8 -5A 10W(Tc=25℃) 150 280 160 -
2SB844 日立 PA Si.E -120 -5 -1A 10W(Tc=25℃) 150 160 245 -
2SB845 日立 PA Si.E -120 -5 -1A 10W(Tc=25℃) 150 100 245 -
2SB846 日立 PA Si.E -25 -5 -1A 10W(Tc=25℃) 150 100 245 -
2SB848 日电 PA Si.T -100 -5 -6A 70W(Tc=25℃) 150 80 162 -
2SB849 日电 PA Si.T -120 -5 -7A 80W(Tc=25℃) 150 80 162 2SD1110
2SB849A 日电 PA Si.T -130 -5 -7A 80W(Tc=25℃) 150 80 162 2SD1110A
2SB850 富士电机 PA Si.EP -40 -7 -10A 50W(Tc=25℃) 150 120 268 -
2SB850A 富士电机 PA Si.EP -80 -7 -10A 50W(Tc=25℃) 150 120 268 -
2SB851 ROHM AF Si.EP -80 -5 -700 750 135 180 235 -
2SB852 ROHM AF Si.EP -40 -6 -300 200 125 10000 335 达林顿
2SB853 日立 PA.SW Si.E -100 -7 -15A 100W(Tc=25℃) 150 3000 332 达林顿
2SB854 日立 PA.SW Si.E -100 -7 -20A 125W(Tc=25℃) 150 3000 332 达林顿
2SB855 日立 PA Si.T -50 -4 -2A 20W(Tc=25℃) 150 100 268 -
2SB856 日立 PA Si.T -50 -4 -3A 25W(Tc=25℃) 150 100 268 -
2SB857 日立 PA Si.T -70 -5 -4A 40W(Tc=25℃) 150 100 268 2SD1133
2SB858 日立 PA Si.T -70 -5 -4A 40W(Tc=25℃) 150 100 268 2SD1134
2SB859 日立 PA Si.T -100 -5 -4A 40W(Tc=25℃) 150 100 268 2SD1135
2SB860 日立 PA Si.T -100 -5 -4A 40W(Tc=25℃) 150 120 268 2SD1137
2SB861 日立 PA Si.T -200 -6 -2A 30W(Tc=25℃) 150 140 268 2SD1138
2SB862 富士电机 AF.PA Si.EP -120 -6 -5A 30W(Tc=25℃) 150 5000 268 达林顿
2SB863 东芝 PA Si.T -140 -5 -10A 100W(Tc=25℃) 150 100 203 -
2SB864 日立 - Si.E -55 - -100 300 125 300 138 -
2SB865 三洋 AF.SW Si.EP -80 -10 -1.5A 900 150 23000 294 2SD1153
2SB867 松下 PA-SW Si.TP -130 -7 -3A 30W(Tc=25℃) 150 150 268 2SD959
2SB868 松下 PA-SW Si.TP -130 -7 -4A 35W(Tc=25℃) 150 150 268 2SD960
2SB869 松下 PA-SW Si.TP -130 -7 -5A 40W(Tc=25℃) 150 150 268 2SD961
2SB870 松下 PA-SW Si.TP -130 -7 -7A 40W(Tc=25℃) 150 150 268 2SD866
2SB871 松下 PA.SW Si.P -40 -7 -10A 40W(Tc=25℃) 150 200 268 -
2SB871A 松下 SW Si.P -50 -5 -10A 40W(Tc=25℃) 150 60-260 268 -
2SB872 松下 PA.SW Si.P -60 -7 -8A 45W(Tc=25℃) 150 4000 268 达林顿ダンパー内藏
2SB872A 松下 SW.PA Si.P -80 -7 -8A 45W 150 1000-10000 268 达林顿内藏阻尼二极管
2SB873 松下 PA Si.EP -30 -7 -5A 1W 150 220 165 -
2SB874 日立 AF.PA Si.E -100 -5 -2A 20W(Tc=25℃) 150 100 16d 2SD1177
2SB875 日立 AF.PA Si.E -100 - 12A 20W(Tc=25℃) 150 100 160 -
2SB876 日立 AF.PA Si.E -120 - -1.5A 20W(Tc=25℃) 150 100 160 -
2SB877 日立 AF.PA Si.E -120 - -1.5A 20WlTc=25℃) 150 100 160 -
2SB878 日立 AF.PA Si.E -180 - -1.5A 10W(Tc=25℃) 150 100 234D -
2SB879 日立 AF.PA Si.E -180 - -1.5A 10W(Tc=25℃) 150 100 234D -
2SB880 三洋 AF.PA Si.EP -70 -6 -4A 30W(Tc=25℃) 150 5000 268 达林顿ダンパー内藏
2SB881 三洋 AF.PA Si.EP -70 -6 -7A 35W(Tc=25℃) 150 5000 268 达林顿ダンパー内藏
2SB882 三洋 AF.PA Si.EP -70 -6 -10A 40W(Tc=25℃) 150 5000 268 达林顿ダンパー内藏
2SB883 三洋 AF.PA Si.EP -70 -6 -15A 70W(Tc=25℃) 150 5000 346 达林顿ダンパー内藏
2SB884 三洋 AF.PA Si.EP -110 -6 -3A 30W(Tc=25℃) 150 4000 268 达林顿ダンパー内藏
2SB885 三洋 AF.PA Si.EP -110 -6 -5A 35W(Tc=25℃) 150 4000 268 达林顿ダンパー内藏
2SB886 三洋 AF.PA Si.EP -110 -6 -8A 40W(Tc=25℃) 150 4000 268 达林顿ダンパー内藏
2SB887 三洋 AF.PA Si.EP -110 -6 -10A 70W(Tc=25℃) 150 4000 346 达林顿ダンパー内藏
2SB888 三洋 AF Si.EP -80 -10 -700 600 150 25000 138 达林顿
2SB889 ROHM AF.PA Si.EP -80 -5 -700 5W(Tc=25℃) 150 180 232 -
2SB890 ROHM AF Si.EP -50 -5 -500 400 125 180 138 -
2SB891 ROHM AF.PA Si.EP -40 -5 -2A 5W(Tc=25℃) 150 180 232 -
2SB892 三洋 PA Si.EP -60 -6 -2A 1W 150 200 294 -
2SB893 三洋 AF Si.EP -20 -7 -3A 750 150 300 138 -
2SB894 松下 AF Si.EP -30 -15 -100 400 150 300 151 2SD1206
2SB895 松下 AF Si.EP -30 -5 -1A 1.2W 150 8000 222 达林顿
2SB895A 松下 AF Si.EP -60 -5 -1A 1200 150 2000-20000 222 达林顿2SD946A
2SB896 松下 PA.SW Si.P -40 -5 -10A 35W(Tc=25℃) 150 130 268 -
2SB896A 松下 SW Si.P -50 -5 -10A 35W(Tc=25℃) 150 60-260 268 -
2SB897 日电 PA Si.E -100 -8 -10A 80W(Tc=25℃) 150 5000 162 达林顿ダンパー内藏
2SB898 日立 AF.PA Si.T -50 - -3A 25W(Tc=25℃) 150 110 267 -
2SB899 日立 AF.PA Si.T -50 - -3A 25W(Tc=25℃) 150 100 268 -
2SB900 日立 AF.PA Si.T -50 - -4A 40W(Tc=25℃) 150 120 268 -

晶体管参数说明:(材料:Ge锗,Si硅) (放大倍数:MIX表示最小值,带有T的表示典型值)www.838dz.com
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 9/16   首页 上一页  型号 制造厂Mnf. 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 备注及替换 VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE (V) (V) (mA) (mW) (℃) 2SB601 日电 PA.SW Si.E达林顿 -100 -7 -5A 30W(Tc=25℃) 150 2000-15000 268 2SD560 2SB603 日电 SW Si.T -500 -7 -500 800 175 >50 84B - 2SB604 松下 PA Si.TMe -70 -5 -4A 30W(Tc=25℃) 150 120 268 - 2SB605 日电 PA Si.E -60 -5 -700 800 150 200 278 2SD571 2SB606 富士通 SW Si.EP -250 -5 -500 800 175 70 84C - 2SB607 松下 PA Ge.A -30 -10 -1A 3W(Tc=25℃) 85 60 84C - 2SB608 日立 PA Si.T -180 -6 -2A 30W(Tc=25℃) 150 60-320 268 - 2SB609 日立 PA Si.E -100 -4 -4A 40W(Tc=25℃) 150 60-320 153 - 2SB611 日立 PA Si.E -150 -6 -7A 60W(Tc=25℃) 150 120 102 - 2SB611A 日立 PA Si.E -150 -6 -7A 60W(Tc=25℃) 150 120 102 - 2SB612 日立 PA Si.E -180 -6 -12A 100W(Tc=25℃) 150 100 102 - 2SB612A 日立 PA Si.E -180 -6 -12A 100W(Tc=25℃) 150 100 102 - 2SB613 日立 PA Si.E -250 -6 -15A 150W(Tc=25℃) 150 120 102 - 2SB615 三菱 - -110 - -7A 80W 150 -     2SB616 日电 PA Si.E -100 -5 -5A 60W(Tc=25℃) 150 80 295 2SD586 2SB616A 日电 PA.SW Si.E -100 -5 -5A 60W(Tc=25℃) 150 80 295 2SD586A 2SB617 日电 PA Si.T -120 -5 -6A 70W(Tc=25℃) 150 80 295 2SD587 2SB617A 日电 PA Si.T -120 -5 -6A 70W(Tc=25℃) 150 80 295 2SD587A 2SB618 日电 PA Si.T -150 -5 -7A 80W(Tc=25℃) 150 80 295 2SD588 2SB618A 日电 PA Si.T -150 -5 -7A 80W(Tc=25℃) 150 80 295 2SD588A 2SB619 松下 PA Ge.A -32 -10 1.3A 300 90 115 12A - 2SB620 松下 PA Si.EP -25 -5 -50 250 125 250 138 - 2SB621 松下 AF Si.EP -30 -5 -1A 750 150 160 138 - 2SB621A 松下 PA Si.EP -60 -5 -1A 750 150 160 138 - 2SB622 三垦 PA Si.TMe -400 -6 -300 800 150 >30 84B 2SD593 2SB624 日电 AF Si.E -30 -5 -700 200 150 200 176 2SD596 2SB625 松下 PA Si.EMe -100 -5 -5A 60W(Tc=25℃) 150 40-200 102 - 2SB626 松下 PA Si.EMe -120 -5 -6A 80W(Tc=25℃) 150 40-200 102 - 2SB627 松下 PA Ge.A -40 -14 -10A 13W(Tc=25℃) 85 150 83 - 2SB628 日电 PA Si.E -160 -5 -1.5A 20W(Tc=25℃) 150 80 268 2SD608 2SB630 日电 PA Si.E -200 -5 -2A 25W(Tc=25℃) 150 80 268 2SD610 2SB631 三洋 PA Si.EP -100 -5 -1A 8W(Tc=25℃) 150 60-320 296 2SD600 2SB632 三洋 PA Si.EP -25 -5 -2A 10W(Tc=25℃) 150 60-320 296 2SD612 2SB633 三洋 PA Si.EP -100 -6 -6A 40W(Tc=25℃) 150 40-320 268 2SD613 2SB634 三洋 PA Si.EMe -120 -6 -7A 60W(Tc=25℃) 150 40-320 102 - 2SB635 松下 AF Ge.A -32 -10 -150 150 85 180 297 - 2SB636 松下 PA Ge.A -32 -10 -150 150 85 90 297 - 2SB637 日立 AF Si.E -50 -5 -100 300 125 160-800 138 - 2SB638 日立 PA Si.EPa -100 -7 -10A 80W(Tc=25℃) 150 1000-20000 102 达林顿内藏阻尼二极管 2SB639 日立 PA Si.EPa -100 -7 -10A 100W(Tc=25℃) 150 1000-20000 102 达林顿内藏阻尼二极管 2SB640 松下 PA Ge.A -25 -6 -300 150 85 150 297 - 2SB641 松下 PA Si.EP -30 -7 -100 400 135 200 151 - 2SB642 松下 PA Si.EP -60 -7 -100 400 135 200 151 - 2SB643 松下 PA Si.EP -30 -7 -500 600 135 160 151 2SD638 2SB644 松下 PA Si.EP -60 -7 -500 600 135 160 151 2SD639 2SB645 东芝 PA Si.TMe -200 -5 -15A 150W(Tc=25℃) 150 40-140 102 2SD665 2SB646 日立 PA Si.E -120 -5 -50 900 150 60-320 251 2SD666 2SB646A 日立 PA Si.E -120 -5 -50 900 150 60-320 251 2SD666A 2SB647 日立 PA Si.E -120 -5 -1A 900 150 60-320 251 2SD667 2SB647A 日立 PA Si.E -120 -5 -1A 900 150 60-320 251 2SD667A 2SB648 日立 PA Si.E -180 -5 -50 1W 150 60-320 160 2SD668 2SB648A 日立 PA Si.E -180 -5 -50 1W 150 60-320 160 2SD668A 2SB649 日立 PA Si.E -180 -5 -1.5A 1W 150 60-320 160 2SD669 2SB649A 日立 PA Si.E -180 -5 -1.5A 1W 150 60-320 160 2SD669A 2SB650 日立 PA Si.EPa -100 -7 -15A 100W(Tc=25℃) 150 1000-20000 102 达林顿内藏阻尼二极管 2SB651 -   2SB652 -   2SB653 日立 PA Si.T -120 -5 -7A 60W(Tc=25℃) 150 60-200 102 2SD673 2SB653A 日立 PA Si.T -120 -5 -7A 60W(Tc=25℃) 150 60-200 102 2SD673A 2SB654 日立 PA Si.T -120 -5 -7A 80W(Tc=25℃) 150 60-200 102 2SD674 2SB654A 日立 PA Si.T -120 -5 -7A 80W(Tc=25℃) 150 60-200 102 2SD674A 2SB655 日立 PA Si.T -160 -5 -12A 100W(Tc=25℃) 150 60-200 102 2SD675 2SB655A 日立 PA Si.T -160 -5 -12A 100W(Tc=25℃) 150 60-200 102 2SD675A 2SB656 日立 PA Si.T -160 -5 -12A 125W(Tc=25℃) 150 60-200 102 2SD676 2SB656A 日立 PA Si.T -160 -5 -12A 125W(Tc=25℃) 150 60-200 102 2SD676A 2SB668 松下 PA Si.EMe -60 -5 -3A 25W(Tc=25℃) 150 4000 268 达林顿 2SB668A 松下 PA Si.EMe -80 -5 -3A 25W(Tc=25℃) 150 2000 268 达林顿 2SB669 松下 PA Si.EMe -70 -5 -4A 40W(Tc=25℃) 150 4000 268 达林顿 2SB669A 松下 PA Si.EMe -90 -5 -4A 40W(Tc=25℃) 150 3000 268 达林顿 2SB673 东芝 SW Si.T -100 -5 -7A 40W(Tc=25℃) 150 2000-15000 268 达林顿2SD633 2SB674 东芝 SW Si.T -80 -5 -7A 40W(Tc=25℃) 150 2000-15000 268 达林顿2SD634 2SB675 东芝 SW Si.T -60 -5 -7A 40W(Tc=25℃) 150 2000-15000 268 达林顿2SD635 2SB676 东芝 SW.PA Si.E -100 -5 -4A 30W(Tc=25℃) 150 >2000 268 达林顿 2SB677 东芝 SW.PA Si.E -60 -5 -3A 25W(Tc=25℃) 150 >2000 268 达林顿 2SB678 东芝 PA.SW Si.E -100 -10 -1.5A 800 175 >2000 84B 达林顿2SD688 2SB679 东芝 PA.SW Si.E -100 -10 -1.5A 10W(Tc=25℃) 150 >2000 268 达林顿2SD689 2SB681 东芝 PA Si.TMe -150 -5 -12A 100W(Tc=25℃) 150 40-140 102 2SD551 2SB682 三菱 PA Si.TMe -100 -5 -4A 30W(Tc=25℃) 150 55-300 301B 2SD712 2SB683 三菱 PA Si.TMe -100 -5 -5A 40W(Tc=25℃) 150 55-300 301B 2SD713 2SB685 三菱 PA Si.EP -110 -5 -7A 80W(Tc=25℃) 150 2000-24000 341 达林顿 2SB686 东芝 PA Si.T -100 -5 -6A 60W(Tc=25℃) 150 55-160 179 2SD716 2SB688 东芝 PA Si.T -120 -5 -8A 80W(Tc=25℃) 150 55-160 179 2SD718 2SB689 日立 PA Si.T -100 -4 -4A 40W(Tc=25℃) 150 50-250 268 - 2SB690 日立 PA Si.T -100 -5 -4A 40W(Tc=25℃) 150 60-240 268 2SD726 2SB691 松下 PA Si.EMe -130 -5 -5A 60W(Tc=25℃) 150 100 365 2SD727 2SB692 松下 PA Si.EMe -150 -5 -6A 70W(Tc=25℃) 150 100 365 2SD728 2SB693 日立 SW.PA Si.EPa -100 -7 -20A 125W(Tc=25℃) 150 1000-20000 102 达林顿内藏电阻 2SB694 日立 SW.PA Si.EPa -100 -7 -25A 125W(Tc=25℃) 150 1000-20000 102 达林顿内藏电阻 2SB695 松下 SW.PA Si.EMe -170 -5 -7A 80W(Tc=25℃) 150 100 365 2SD731 2SB696 三洋 SW.PA Si.EMe -150 -6 -8A 80W(Tc=25℃) 150 40-320 102 2SD732 2SB697 三洋 SW.PA Si.EMe -160 -6 -12A 100W 150 40-320 102 2SD733 2SB698 三洋 SW.PA Si.EP -25 -5 -700 600 150 60-560 138 2SD734 2SB699 日立 SW.PA Si.T -160 -5 -12A 100W(Tc=25℃) 150 35-200 332 2SD735 2SB700 日立 SW.PA Si.T -160 -5 -12A 100W(Tc=25℃) 150 60-200 332 2SD736 2SB700A 日立 PA Si.T -160 -5 -12A 100W(Tc=25℃) 150 60-200 332 2SD736A

晶体管参数说明:(材料:Ge锗,Si硅) (放大倍数:MIX表示最小值,带有T的表示典型值)www.838dz.com
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