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2SC01-2SC1000三极管参数表

发布时间:2009-02-12 14:38:06  来源:资料室  作者:  更新20260613 001451

型号 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC501 东芝 RF Si.EP 60 5 300 750 175 - 84B 2SA501
2SC502 东芝 PA Si.EP 60 5 1A 10W(Tc=25℃) 150 30 84C -
2SC503 东芝 RF.SW Si.E 100 5 600 800 175 30-300 84B 2SA503
2SC504 东芝 RF.SW Si.E 80 5 600 800 175 30-300 84B 2SA504
2SC505 东芝 RF.SW Si.T 300 3 200 600 175 40-140 84B -
2SC506 东芝 RF.SW Si.T 200 3 200 600 175 40-140 84B -
2SC507 东芝 RF.SW Si.T 170 5 100 750 175 70 84B -
2SC508 东芝 SW Si.T 180 5 4A 20W(Tc=25℃) 150 40 99 -
2SC509 东芝 PA.SW Si.E 35 5 800 600 150 70-240 138 2SA509
2SC510 东芝 PA.SW Si.T 140 5 1.5A 800 175 30-150 84B 2SA510
2SC511 东芝 PA.SW Si.T 120 5 1A 800 150 - 84B 2SA511
2SC512 东芝 PA.SW Si.T 100 5 1.5A 800 175 30-150 84B 2SA512
2SC513 东芝 PA.SW Si.T 70 5 1A 800 150 - 84B 2SA513
2SC514 东芝 PA.SW Si.TMe 300 3 100 4W(Tc=25℃) 150 - 98A -
2SC515 东芝 PA.SW Si.TMe 300 3 100 6W(Tc=25℃) 150 - 99 -
2SC515A 东芝 PA.SW Si.T 300 5 150 20W(Tc=25℃) 175 40-170 99 -
2SC516 东芝 RF.PA Si.DB 100 5 1.5A 800 175 60 84B -
2SC516A 东芝 RF.PA Si.DB 140 5 1.5A 800 175 60 84B -
2SC517 东芝 PA Si.EP 60 4 2A 10W(Tc=25℃) 175 10-140 97B -
2SC518 东芝 PA Si.TMe 140 5 5A 50W(Tc=25℃) 150 40 102 -
2SC518A 东芝 PA Si.TMe 180 5 5A 50W(Tc=25℃) 150 40 102 -
2SC519 东芝 PA Si.TMe 110 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 30-300 102 -
2SC519A 东芝 PA Si.TMe 130 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 30-300 102 -
2SC520 东芝 PA Si.TMe 80 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 30-300 102 -
2SC520A 东芝 PA Si.TMe 100 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 30-300 102 -
2SC521 东芝 PA Si.TMe 50 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 30-300 102 -
2SC521A 东芝 PA Si.TMe 70 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 30-300 102 -
2SC522 东芝 PA Si.T 140 5 1.5A 10W(Tc=25℃) 175 30-150 97B -
2SC523 东芝 PA Si.T 120 5 1.5A 10W(Tc=25℃) 175 - 97B -
2SC524 东芝 PA Si.T 100 5 1.5A 10W(Tc=25℃) 175 30-150 97B -
2SC525 东芝 PA Si.T 70 5 1.5A 10W(Tc=25℃) 150 - 97B -
2SC526 松下 PA Si.TMe 165 5 55 2.3W(Tc=25℃) 175 - 84B -
2SC527 松下 RF Si.P 35 3 10 130 175 - 50C -
2SC528 日立 RF.PA Si.EP 20 5 150 200 125 100 37 -
2SC529 日立 RF.AF Si.P 30 5 100 100 125 160 36 -
2SC530 日立 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 30 5 100 100 125 - 36 -
2SC531 日立 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 30 5 100 100 125 - 36 -
2SC532 日立 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 30 5 100 100 125 - 36 -
2SC533 日立 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 30 5 100 100 125 - 36 -
2SC534 日立 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 30 5 100 100 125 - 36 -
2SC535 日立 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 30 4 20 100 125 35-200 138 -
2SC536 三洋 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 40 5 100 200 125 320 138 -
2SC537 三洋 RF.Conv.Mix.Osc. Si.P 20 5 100 200 125 120 27 -
2SC538 松下 RF.AF Si.EP 25 5 50 300 175 250 49C 2SA550
2SC538A 松下 RF.AF Si.EP 45 5 50 300 175 250 49C 2SA550A
2SC539 松下 RF Si.EP 25 5 50 300 175 250 49C -
2SC540 日电 RF.AF.LN Si.E 30 5 100 150 150 270 23 -
2SC541 富士通 PA Si.EP 50 4 1A 7W(Tc=25℃) 200 30 84B -
2SC542 富士通 PA Si.EP 65 4 1.5A 11.6W(Tc=25℃) 200 25 111 -
2SC543 富士通 PA Si.EP 65 4 3A 23W(Tc=25℃) 200 20 111 -
2SC544 三洋 RF.Conv.Mix.Osc. Si.EP 40 4 30 120 125 60 27 -
2SC545 三洋 RF.Conv.Mix.Osc. Si.EP 20 4 30 120 125 60 27 -
2SC546 三洋 RF.Conv.Mix.Osc. Si.EP 30 - 30 150 125 - 27 -
2SC547 东芝 PA Si.EP 65 4 1A 6W(Tc=25℃) 175 >10 84B -
2SC548 东芝 RF.PA Si.EP 36 4 500 6W(Tc=25℃) 175 - 84B -
2SC549 东芝 PA Si.EP 65 4 1.5A 10W(Tc=25℃) 175 >10 111 -
2SC550 东芝 PA Si.EP 36 4 1.5A 10W(Tc=25℃) 175 - 111 -
2SC551 东芝 PA Si.EP 65 4 3A 20W(Tc=25℃) 175 >10 111 -
2SC552 东芝 PA Si.EP 36 4 3A 20W(Tc=25℃) 175 - 111 -
2SC553 东芝 PA Si.EP 55 4 3A 20W(Tc=25℃) 175 - 111 -
2SC554 东芝 PA Si.EP 36 4 500 6W(Tc=25℃) 175 - 84B -
2SC555 东芝 PA Si.EP 55 3.5 400 4.2W(Tc=25℃) 175 - 84B -
2SC556 东芝 RF.PA Si.EP 40 2 400 750 150 - 84B -
2SC557 东芝 PA Si.EP 40 3.5 2A 20W(Tc=25℃) 175 50 111 -
2SC558 东芝 PA Si.TMe 250 5 5A 50W(Tc=25℃) 150 40 102 -
2SC559 东芝 PA Si.EP 60 5 300 600 175 80 84B -
2SC560 东芝 RF Si.EP 80 5 800 800 175 30-120 84B 2SA560
2SC561 富士通 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 20 2 25 200 125 - 30 -
2SC562 松下 RF Si.P 40 4 25 130 175 >26 117C AGC
2SC563 松下 RF Si.EP 40 4 25 145 175 >38 117C -
2SC563A 松下 RF Si.EP 40 4 25 300 175 >38 117C -
2SC564 富士通 SW Si.EP 50 5 500 650 175 50 84B -
2SC565 富士通 SW Si.EP 50 5 200 350 175 45 49C -
2SC566 日电 RF.PA Si.E 50 4 300 800 175 70 85B -
2SC567 日电 RF Si.E 30 3 20 200 150 - 50C -
2SC568 日电 RF Si.E 30 3 20 200 150 - 50C -
2SC569 东光 SW Si.EP 40 4.5 150 150 150 60 22 KT200
2SC570 东光 SW Si.EP 40 4.5 200 300 150 60 28 KT210
2SC571 松下 PA Si.EP 36 4 500 6W(Tc=25℃) 175 70 84B -
2SC572 松下 PA Si.EP 36 4 1A 10W(Tc=25℃) 175 80 111 -
2SC573 松下 PA Si.EP 36 4 2A 20W(Tc=25℃) 175 80 111 -
2SC574 松下 RF.PA Si.EP 80 4 1A 7.5W(Tc=25℃) 175 >5 110 -
2SC575 松下 RF.PA Si.EP 80 4 1A 5W(Tc=25℃) 175 20 84C -
2SC576 松下 RF.SW Si.EP 40 5 500 360 200 40 49C -
2SC577 松下 RF.SW Si.EP 40 5 500 360 200 80 49C -
2SC578 日电 SW Si.E 60 5 500 600 175 60 84B -
2SC579 日电 SW Si.E 30 5 200 360 175 80 49C -
2SC580 日电 RFConv.Mix.Osc.PA Si.E 60 5 1A 800 175 60 84B -
2SC581 松下 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 30 5 30 140 175 - 50C -
2SC582 松下 PA Si.Me 300 3 100 6.5W(Tc=70℃) 150 65 99 -
2SC583 松下 RF.Conv.Mix.Osc Si.Me 30 2.5 20 200 200 25-150 50C -
2SC584 松下 RF.PA Si.Me 80 4 2A 17.5W(Tc=25℃) 200 10 111 -
2SC585 松下 PA Si.EP 65 4 3A 20W(Tc=25℃) 175 80 111 -
2SC586 松下 PA Si.EMe 150 6 5A 50W(Tc=25℃) 150 30 102 -
2SC587 松下.Sony.东芝 RF Si.P 45 5 30 300 175 - 49C -
2SC587A 松下.Sony.东芝 RF Si.P 45 5 30 300 175 - 49C -
2SC588 富士通.Sony RF Si.DB 30 5 100 600 175 - 84B -
2SC589 Sony.松下 RF Si.DB 165 5 80 750 175 40 84B -
2SC590 日电.三菱 RF Si.DB 120 5 300 800 175 70 84B -
2SC591 富士通.日电 RF.PA Si.DB 100 4 1.5A 20W(Tc=25℃) 175 10-40 83 -
2SC592 富士通 PA Si.TP 75 4 2.5A 13W(Tc=25℃) 175 60 111 -
2SC593 松下 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 50 5 30 165 175 40-160 50C -
2SC594 富士通.日电.三菱.东芝 RF.PA Si.E 60 5 200 750 175 40-240 84B -
2SC595 冲.东芝.富士通.日电 SW Si.EP 30 5 200 300 150 60 49C -
2SC596 日电.富士通 RF.PA Si.EP 60 5 500 800 175 25-100 85B -
2SC597 东芝.松下 PA Si.EP 65 4 1A 6W(Tc-25℃) 175 - 84B -
2SC598 东芝.冲.日电.松下 PA Si.EP 65 4 1.5A 10W(Tc=25℃) 175 - 111 -
2SC599 三菱 PA Si.EP 60 4 1.5A 20W(Tc=25℃) 200 30 114 -
2SC600 东芝.日电.松下 PA Si.EP 65 4 3A 20W(Tc=25℃) 175 - 111 -

晶体管参数说明:(材料:Ge锗,Si硅) (放大倍数:MIX表示最小值,带有T的表示典型值)www.838dz.com
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