2sc三极管参数资料-

型号	制造厂Mnf	用途App.	材料Type	最大额定值 (Ta=25℃)				结温	直流放大系数	封装外形	备注及替换
				VCBO	VEBO	Ic	Pc	Tj	hFE
				(V)	(V)	(mA)	(mW)	(℃)	hFE
2SC601	松下.富士通	-	RF.SW	Si.EP	40	5	100	300	175	49C
2SC602	东芝.冲.富士通	RF	Si.EP	30	3	30	200	150	-	50C	-
2SC603	日电	Ch	Si.E	7	7	50	200	150	100	47	2只复合管双方向性
2SC604	日电	RF.AF	Si.E	45	5	100	150	150	-	23	-
2SC605	日电	RF.Conv.Mix.Osc	Si	30	4	20	150	150	60	23	AGC
2SC606	日电	RF.Conv.Mix.Osc	Si	30	4	20	150	150	60	23	AGC
2SC607	日立	PA	Si.T	75	4	600	1W	175	-	84A	-
2SC608	日立	PA	Si.T	75	4	1.5A	10W(Tc=25℃)	175	-	97B	-
2SC609	日立	PA	Si.T	75	4	1.5A	10W(Tc-25℃)	175	-	97B	-
2SC610	松下	"	Si.TP	100	4	10A	100W(Tc=25℃)	175	50	109	-
2SC611	日电.冲.富士东芝、松下	RF.Conv.Mix.Osc	Sj.EP	20	3	20	200	150	-	50C	-
2SC612	东芝.日电.松下	RF	Sj.EP	35	2	20	180	175	-	50C	-
2SC613	日电	SW	Sj.EP	40	5	200	360	200	80	49C	-
2SC614	三洋	Osc.PA	Si.P	80	4	1.5A	7.5W(Tc=25℃)	175	80	84B	-
2SC615	三洋	Osc.PA	Si.P	30	4	1.5A	7.5W(Tc=25℃)	175	80	84B	-
2SC616	三洋	Osc.PA	Si.P	80	-	1.5A	13W(Tc=25℃)	175	-	83	-
2SC617	三洋	Osc.PA	Si.P	30	-	1.5A	13W(Tc=25℃)	175	-	83	-
2SC618	富士通	RF	Si.EP	25	4	25	150	150	-	50C	-
2SC618A	富士通	RF	Si.EP	25	4	25	150	150	-	50C	-
2SC619	三菱	SW.PA	Si.EP	30	5	200	250	125	110	138B	-
2SC620	三菱	RF.PA	Si.EP	50	5	200	250	125	90	138B	-
2SC621	三菱	RF.Conv.Mix.Osc.SW	Si.EP	25	4	100	150	150	75	8A	-
2SC622	三菱	RF.Conv.Mix.Osc	Si.EP	25	4	100	150	150	75	11A	-
2SC623	东光	SW	Si.EP	40	4.5	150	150	150	60	22	KT-2003
2SC624	东光	SW	Si.EP	40	4.5	200	300	150	60	28	KT-2103
2SC626	日电	RF.Conv.Mix.Osc.PA	Si.E	50	5	200	750	175	-	84B	-
2SC627	富士通	RF.AF.SW	Si.T	200	4	100	700	175	80	84B	-
2SC628	日电	RF.PA	Si.E	40	4	500	2.5W(Tc=25℃)	175	40	84B	-
2SC629	Sony	RF.Conv.Mix.Osc	Si.DB	18	-	30	150	120	30	38	-
2SC631	Sony	RF.AF.LN	Si.E	25	6	100	250	120	350	38	-
2SC631A	Sony	RF.AF.LN	Si.E	25	6	200	250	120	400	38	2SA704
2SC632	Sony	RF.LN	"	40	6	loo	250	120	350	38	-
2SC632A	Sony	RF.LN	Si.E	50	6	200	250	120	400	38	2SA705
2SC633	Sony	RF.Conv.Mix.Osc.SW	"	25	6	100	250	120	400	38	-
2SC633A	Sony	RF.Conv.Mix.Osc.SW	Si.E	25	6	200	250	120	400	38	2SA677
2SC634	Sony	"	"	40	6	100	250	120	400	38	-
2SC634A	Sony	RF.Conv.Mix.Osc.SW	Si.E	50	6	200	250	120	400	38	2SA678
2SC635	日电	PA	Si.E	65	4	1.5A	10W(Tc=25℃)	175	15-200	111	-
2SC636	日电	PA	Si.E	65	4	3A	20W(Tc=25℃)	175	15-200	111	-
2SC637	日电	PA	Si.E	40	4	1A	10W(Tc=25℃)	175	>20	111	-
2SC638	日电	PA	Si.E	40	4	2A	20W(Tc=25℃)	175	>20	111	-
2SC639	日电	SW	Si.E	40	5	200	360	200	90	49C	-
2SC640	日电	Ri	Si.E	30	5	100	150	150	270	23	-
2SC641	日立	SW.RF	Si.EP	40	5	100	100	150	45-160	138	-
2SC642	东芝	PA	Si.TMe	1100	5	1A	50W(Tc=25℃)	150	30-160	102	水平偏向用
2SC642A	东芝	PA	Si.TMe	1500	5	1A	50W(Tc=25℃)	150	30-160	102	水平偏向用
2SC643	东芝	PA	Si.TMe	1100	5	2.5A	50W(Tc=25℃)	150	>7	102	-
2SC643A	东芝	PA	Si.TMe	1500	5	2.5A	50W(Tc=25℃)	150	>5	102	水平偏向用
2SC644	松下	RF.AF.LN	Si.EP	30	5	50	150	125	250	138	-
2SC645	松下	RF.Conv.Mix.Osc	Si.EP	30	5	30	140	175	40-150	243	-
2SC646	松下	PA	Si.TMe	60	5	4A	25W(Tc=25℃)	150	55	102	-
2SC647	松下	PA	Si.TMe	80	5	5A	50W(Tc=70℃)	150	40	102	-
2SC648	日立	RF	Si.E	30	-	30	100	150	280	182C	-
2SC649	日立	RF.AF.LN	Si.E	30	6	30	200	175	120	12A	-
2SC650	日立	RF.AF.LN	Si.E	30	6	30	200	175	250	12A	-
2SC651	日电	PA	Si.E	45	4	300	750	150	20-200	84B	-
2SC652	日电	PA	Si.E	40	3	300	750	150	>20	84B	-
2SC653	日电	RF	Si.E	25	3	20	200	150	-	50C	-
2SC654	日电	RF	Si.E	40	3	300	800	150	-	85B	-
2SC655	松下	RF.AF.PA	Si.EP	10	2	10	75	125	400	34	-
2SC656	松下	RF	Si.EP	10	2	5	50	125	-	34	-
2SC657	Sony	RF.Conv.Mix.Osc	Si.DB	18	-	30	150	120	50	38	-
2SC658	三菱	RF.Conv.Mix.Osc	Si.DB	25	4	20	150	150	60	8A	-
2SC659	三菱	RF.Conv.Mix.Osc	Si.DB	25	4	20	150	150	60	8A	-
2SC660	三菱	RF.Conv.Mix	Si.P	25	4	20	150	150	60	11A	AGC
2SC661	三菱	RF.Conv.Mix	Si.P	25	4	20	150	150	60	11A	AGC
2SC662	三菱	RF.Conv.Mix.Osc	Si.EP	25	2	20	150	150	-	9	-
2SC663	三菱	RF.Conv.Mix.Osc	Si.EP	25	2	20	150	150	10-300	11A	-
2SC664	日立	PA.SW	Si.T	100	5	5A	50W(Tc=25℃)	150	80	102	-
2SC665	日立	PA.SW	Si.T	130	6	7A	50W(Tc=25℃)	150	30-130	102	-
2SC668	三洋	RF.Conv.Mix	Si.TP	25	3	30	150	125	25-560	92	-
2SC669	ソ二ー	PA	Si.E	30	5	2A	1W	175	70	181	-
2SC669A	ソ二ー	PA	Si.EMe	100	6	3A	10W(Tc=25℃)	175	170-400	181	-
2SC674	三洋	RF.Conv.Mix.	Si.TP	25	4	30	150	125	40-320	92	-
2SC675	芝电	SW	Si.Me	250	6	7A	50W(Tc=25℃)	180	30	102	-
2SC676	芝电	SW	Si.Me	200	6	7A	50W(Tc=25℃)	180	30	102	-
2SC677	芝电	SW	Si.Me	150	6	7A	50W(Tc=25℃)	180	40	102	-
2SC678	芝电	SW	Si.Me	100	6	7A	50W(Tc=25℃)	180	40	102	-
2SC679	日立	PA	Si.T	300	6	2A	30W(Tc=25℃)	175	60	153	-
2SC680	日立	PA	Si.T	200	6	2A	12.5W(Tc=25℃)	150	180	153	-
2SC680A	日立	PA	Si.T	200	6	2A	12.5W(Tc=25℃)	150	180	153	-
2SC681	日立	SW	Si.T	200	5	6A	50W(Tc=25℃)	150	-	102	水平偏向用
2SC681A	日立	PA	Si.T	250	5	6A	50W(Tc=25℃)	150	-	102	水平偏向用
2SC682	日立	RF	Si.P	20	3	20	180	175	60	9	AGC
2SC683	日立	RF	Si.P	20	3	20	180	175	60	9	AGC
2SC684	日立	RF.Conv.Mix.Osc	Si.EP	30	2	50	200	125	>40	37	-
2SC685	日立	PA	Si.T	300	4	100	4W(Tc=25℃)	150	60-120	153	-
2SC685A	日立	PA	Si.TPa	300	4	100	6.5W(Tc≦70℃)	150	60	153	-
2SC686	日电	RF	Si.E	150	6	50	800	175	90	84B	-
2SC687	松下	SW	Si.EP	150	6	5A	50W(Tc=25℃)	150	30	102	-
2SC688	三菱	PA	Si.EP	60	4	1.5A	20W(Tc=25℃)	200	-	114	-
2SC689	日立	SW	Si.EP	40	5	100	300	175	85	49C	-
2SC690	三菱	PA	Si.EP	60	5	3A	30W(Tc=25℃)	175	50	113	-
2SC690A	三菱	PA	Si.EP	60	5	4A	35W(Tc=25℃)	175	50	113	-
2SC691	三菱	PA	Si.EP	60	4	0	8.6W(Tc=25℃)	175	50	113	-
2SC692	三菱	PA	Si.EP	60	5	1A	15W(Tc=25℃)	175	50	113	-
2SC693	三洋	RF.LN	Si.P	40	5	50	100	125	160-960	138	-
2SC694	三洋	RF.LN	Si.P	40	5	50	100	125	160-960	138	-
2SC695	日电	AF.RF	Si.E	20	5	30	100	150	150	23	-
2SC696	松下	PA	Si.EP	100	5	3A	750	175	55	84B	2SA546
2SC696A	松下	PA	Si.EP	130	5	3A	750	175	55	84B	2SA546A
2SC697	松下	PA	Si.EP	100	5	3A	10W(Tc=25℃)	175	55	97B	2SA547
2SC697A	松下	PA	Si.EP	130	5	3A	10W(Tc=25℃)	175	55	97B	2SA547A
2SC698	日电	RF.PA	Si.E	100	5	3A	10W(Tc=25℃)	175	80	97B	-
2SC699	三菱	PA	Si.TP	50	4	1A	10W(Tc=25℃)	200	-	97B	-
2SC700	三菱	PA	Si.EP	60	3	500	5W(Tc=25℃)	200	-	84C	-
晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅）（放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com 本站不保证资料完整性及正确性，您在使用或置换时要严格核对，本数据表仅供参考。

2SC01-2SC1000三极管参数表