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2SC2001-2SC3000三极管参数表

发布时间：2009-02-12 14:31:55  来源：资料室  作者：  更新20260615 001449

型号 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC2501 新电元 SW Si.T 500 7 3A 40W(Tc=25℃) 150 20 268 T3V40F1
2SC2502 新电元 SW Si.T 500 7 6A 50W(Tc=25℃) 150 20 268 T6V40F1
2SC2503 新电元 SW Si.T 500 7 8A 80W(Tc=25℃) 150 20 198 T8V40F1
2SC2504 新电元 SW Si.T 500 7 10A 100W(Tc=25℃) 150 20 198 T10V40F1
2SC2505 新电元 SW Si.T 500 7 3A 60W(Tc=25℃) 150 20 204 T3M40F1
2SC2506 新电元 SW Si.T 500 7 6A 80W(Tc=25℃) 150 20 204 T6M40F1
2SC2507 新电元 SW Si.T 500 7 20A 200W(Tc=25℃) 150 20 202 T20M40F1
2SC2508 东芝 PA Si.EP 40 4 6A 50W(Tc=25℃) 175 10-150 325 -
2SC2509 东芝 PA Si.EP 40 4 5A 20W(Tc=25℃) 150 >20 268B -
2SC2510 东芝 PA Si.EP 60 4 20A 250W(Tc=25℃) 175 >10 281 -
2SC2511 日立 RF.Mix Si.E 60 4 100 320 125 41-175 138 -
2SC2512 日立 RF.Mix Si.E 30 3 50 300 150 >30 138C -
2SC2516 日电 SW Si.E 150 12 5A 30W(Tc=25℃) 150 40-200 268 2SA1069
2SC2517 日电 SW Si.E 150 12 5A 30W(Tc=25℃) 150 40-200 268 -
2SC2518 日电 SW Si.T 500 8 5A 40W(Tc=25℃) 150 20-80 268 -
2SC2519 松下 RF Si.EP 30 5 30 250 125 230 276 -
2SC2522 富士通 PA Si.P 120 5 12A 120W(Tc=25℃) 150 110 102 2SA1072
2SC2522A 富士通 PA Si.P 150 5 12A 120W(Tc=25℃) 150 110 102 2SA1072A
2SC2523 富士通 PA Si.P 160 5 12A 120W(Tc=25℃) 150 110 102 2SA1073
2SC2525 富士通 PA Si.P 120 5 12A 120W(Tc=25℃) 150 110 163 2SA1075
2SC2526 富士通 PA Si.P 160 5 12A 120W(Tc=25℃) 150 110 163 2SA1076
2SC2527 富士通 PA Si.P 120 5 10A 60W(Tc=25℃) 150 110 268 2SA1077
2SC2528 富士通 PA Si.P 120 5 2A 25W(Tc=25℃) 150 120 268 2SA1078
2SC2529 富士通 PA Si.P 160 5 2A 25W(Tc=25℃) 150 120 268 2SA1079
2SC2530 富士通 PA Si.P 40 7 500 20W(Tc=25℃) 150 150 268 -
2SC2531 东芝 PA Si.P - -
2SC2532 东芝 RF.AF Si.E 40 10 300 150 125 25000 176 达林顿
2SC2533 东芝 RF.AF Si.E - -
2SC2534 东芝 SW Si.T 500 6 2A 20W(Tc=25℃) 150 >20 268 -
2SC2535 东芝 SW Si.T 500 6 5A 40W(Tc=25℃) 150 >10 268 -
2SC2536 东芝 SW Si.T 500 6 7A 80W(Tc=25℃) 150 >10 179 -
2SC2537 三菱 SW Si.TP 410 8 10A 100W(Tc=25℃) 150 30 341 -
2SC2538 三菱 RF.PA Si,EP 40 4 400 700 135 80 242 -
2SC2539 三菱 RF.PA Si,EP 35 4 4A 35W(Tc=25℃) 175 50 272 -
2SC2540 三菱 RF.PA Si,EP 35 4 10A 75W(Tc=25℃) 175 60 303 -
2SC2541 三菱 SW Si.TP 500 7 10A 100W(Tc=25℃) 150 20-45 341 -
2SC2542 富士电机 SW Si.TP 450 7 5A 40W(Tc=25℃) 150 >10 268 -
2SC2543 日立 AF.LN Si.E 90 5 100 400 150 250-1200 138 2SA1081
2SC2544 日立 AF.LN Si.E 120 5 100 400 150 250-800 138 2SA1082
2SC2545 日立 AF Si.E 60 5 100 400 150 250-1200 138 2SA1083
2SC2546 日立 AF Si.E 90 5 100 400 150 250-1200 138 2SA1084
2SC2547 日立 AF Si.E 120 5 100 400 150 250-800 138 2SA1085
2SC2548 东芝 RF Si.E 20 2 30 250 125 120 138C -
2SC2549 Sony RF Si.E 15 2 30 250 100 20-200 138C -
2SC2550 东芝 RF.SW Si.E 60 8 200 300 175 70-400 49C 2SA1090
2SC2551 东芝 RF Si.T 300 6 100 400 150 90 138 -
2SC2552 东芝 SW Si.T 500 7 2A 20W(Tc=25℃) 150 30 268 -
2SC2553 东芝 SW Si.T 500 7 5A 40W(Tc=25℃) 150 20 268 -
2SC2555 东芝 SW Si.T 500 7 8A 80W(Tc=25℃) 150 17 203 -
2SC2556 松下 RF Si.EP 130 5 1A 1.2W 150 220 222 -
2SC2556A 松下 RF Si.EP 180 5 1A 1.2W 150 150-350 222 -
2SC2557 松下 RF Si.EP 60 5 50 400 150 450 138 2SA1092
2SC2558 日电 PA Si.E 35 3 250 8.3W(Tc=25℃) 200 60 326 -
2SC2559 日电 PA Si.E 35 3 1.5A 17.5W(Tc=25℃) 200 60 326 -
2SC2561 松下 RF Si.EP 30 5 30 250 125 110 276 -
2SC2562 东芝 SW Si.E 60 5 5A 25W(Tc=25℃) 150 70-240 268 2SA1012
2SC2563 东芝 PA Si.E 120 5 8A 80W(Tc=25℃) 150 120 179 -
2SC2564 东芝 PA Si.E 140 5 12A 120W(Tc=25℃) 150 55-240 125 2SA1094
2SC2565 东芝 PA Si.E 160 5 15A 150W(Tc=25℃) 150 55-240 125 2SA1095
2SC2566 日电 RF Si.E 35 3 250 6W(Tc=25℃) 200 100 85B -
2SC2567 松下 RF Si.EP 35 5 50 100 125 350 293 -
2SC2567A 松下 RF Si.EP 55 5 50 100 125 350 293 -
2SC2568 日电 PA Si.T 300 7 200 10W(Tc=25℃) 150 80 225 -
2SC2569 富士电机 SW Si.TP 150 7 6A 40W(Tc=25℃) 150 80 321 -
2SC2570 日电 RF Si.E 25 3 70 250 150 40-200 138C -
2SC2570A 日电 RF Si.E 25 3 70 600 150 40-200 138C -
2SC2571-1 - 100 - 10A 95W - -
2SC2571-2 - 130 - 10A 95W - -
2SC2572 日电 SW Si.E 60 8 200 360 200 200 49C -
2SC2575 三菱 AF.RF Si.E 50 6 200 300 125 90-800 138B -
2SC2577 三垦 PA Si.TMe 120 6 6A 60W(Tc=25℃) 150 80 324 -
2SC2578 三垦 PA Si.TMe 140 6 7A 70W(Tc=25℃) 150 80 324 -
2SC2579 三垦 PA Si.TMe 160 6 8A 80W(Tc=25℃) 150 80 324 -
2SC2580 三垦 PA Si.TMe 180 6 9A 90W(Tc=25℃) 150 80 324 -
2SC2581 三垦 PA Si.TMe 200 6 10A 100W(Tc=25℃) 150 80 324 -
2SC2582 松下 RF Si.EP 45 5 1A 1.2W 150 160 236 -
2SC2584 日电 PA Si.E 38 3 4A 40W(Tc=25℃) 200 60 327 -
2SC2585 日电 RF Si.E 25 3 65 400 200 100 314 -
2SC2586 日电 PA Si.E 35 3 400 7W(Tc=25℃) 200 60 84B -
2SC2587 日电 PA Si.E 150 5 10A 120W(Tc=25℃) 150 150 340 -
2SC2587A 日电 PA Si.E 150 5 10A 120W(Tc=25℃) 150 150 340 -
2SC2588 日电 PA Si.T 130 5 12A 120W(Tc=25℃) 150 150 340 -
2SC2588A 日电 PA Si.T 130 5 12A 120W(Tc=25℃) 150 150 340 -
2SC2589 日电 PA Si.E 180 5 10A 200W(Tc=25℃) 150 90 102 -
2SC2590 松下 PA Si.EP 120 5 500 5W 150 65-330 222 2SA1110
2SC2591 松下 PA Si.EP 150 5 1A 20W(Tc=25℃) 150 90-330 268 2SA1111
2SC2592 松下 PA Si.EP 180 5 1A 20W(Tc=25℃) 150 90-330 268 2SA1112
2SC2593 Sony RF Si.E 20 20 50 140 60? 700 138D 双方向性
2SC2594 松下 AF.PA Si.EP 40 7 5A 10W(Tc=25℃) 150 140-450 236 -
2SC2595 松下 PA Si.EP 36 3 ICM1.2A 10W(Tc=25℃) 175 50 338 -
2SC2596 松下 PA Si.EP 36 3 ICM4A 20W(Tc=25℃) 175 50 338 -
2SC2597 松下 PA Si.EP 36 3 ICM6A 30W(Tc=25℃) 175 50 338 -
2SC2598 富士通 Diff.SW Si.P 20 3 70 200/unit 175 80 264B -
2SC2599 富士通 RF.LN Si.EP 20 3 20 200 175 80 262 -
2SC2600 富士通 RF Si.EP 25 2.5 40 350 200 80 170 -

晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
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