2SD-晶体三极管资料-Transistor-

2SD-晶体三极管性能资料及互换

型号	制造厂Mnf.	用途App.	材料Type	最大额定值 (Ta=25℃)				结温	直流放大系数	封装外形	备注及替换
				VCBO	VEBO	Ic	Pc	Tj	hFE
				(V)	(V)	(mA)	(mW)	(℃)	hFE
2SD901	日电	PA	Si.EP	200	5	2A	25W(Tc=25℃)	150	100	268	-
2SD902	三洋	PA	Si.TP	350	5	4A	80W(Tc=25℃)	150	100	102	-
2SD903	三洋	SW	Si.TMe	1500	6	7A	50W(Tc=25℃)	150	5-11.5	102	内藏阻尼二极管
2SD904	三洋	SW	Si.TMe	1500	6	7A	50W(Tc=25℃)	150	4月10日	102	水平偏向用
2SD905	日立	SW	Si.T	1400	5	8A	50W(Tc=25℃)	150	20	102	水平偏向用
2SD906	日立	SW	Si.T	1400	5	8A	50W(Tc=25℃)	150	17	102	水平偏向用
2SD907	富士电机	AF.PA	Si.TP	80	7	10A	80W(Tc=25℃)	150	120	211	-
2SD908	富士电机	AF.PA	Si.TP	120	7	10A	80W(Tc=25℃)	150	120	211	-
2SD909	富士电机	AF.PA	Si.TP	80	7	15A	80W(Tc=25℃)	150	120	211	-
2SD910	富士电机	AF.PA	Si.TP	120	7	15A	80W(Tc=25℃)	150	120	211	-
2SD911	富士电机	PA	Si.TP	80	7	15A	100W(Tc=25℃)	150	120	102	-
2SD912	富士电机	PA	Si.TP	120	7	15A	100W(Tc=25℃)	150	120	102	-
2SD913	富士电机	SW	Si.TP	200	7	25A	150W(Tc=25℃)	150	>20	172	-
2SD914	富士电机	SW	Si.TP	200	7	25A	150W(Tc=25℃)	150	>20	172	-
2SD915	富士电机	SW	Si.TP	600	6	30A	200W(Tc=25℃)	150	300	318	达林顿
2SD916	富士电机	SW.PA	Si.TP	60	6	7A	30W(Tc=25℃)	150	>800	268	达林顿
2SD917	松下	SW	Si.TP	330	6	7A	70W(Tc=25℃)	150	30	365	-
2SD918	日电	PA	Si.T	250	5	2A	80W(Tc=25℃)	150	100	295	-
2SD919	松下	AF	Si.EP	30	5	500	400	125	85-340	276	2SB780
2SD920	富士电机	PA	Si.TP	200	6	5A	100W(Tc=25℃)	150	>700	102	-
2SD921	富士电机	PA	Si.TP	200	6	5A	80W(Tc=25℃)	150	>700	211	-
2SD922	富士电机	PA	Si.TP	150	6	10A	100W(Tc=25℃)	150	>700	102	-
2SD923	富士电机	PA	Si.TP	150	6	10A	80W(Tc=25℃)	150	>700	211	-
2SD926	日立	AF.PA	Si.T	50	-	4A	30W(Tc=25℃)	150	100	268	-
2SD927	日立	AF.PA	Si.T	60	-	4A	30W(Tc=25℃)	150	100	268	-
2SD928	日立	AF.PA	Si.T	80	-	4A	30W(Tc=25℃)	150	100	268	-
2SD929	富士电机	PA	Si.TP	200	6	5A	80W(Tc=25℃)	150	>700	102	-
2SD930	富士电机	AF.PA	Si.TP	200	6	5A	30W(Tc=25℃)	150	5000	268	达林顿
2SD931	富士电机	PA	Si.TP	200	6	5A	50W(Tc=25℃)	150	>700	102	-
2SD932	日立	FF	Si.T	500	7	6A	80W(Tc=25℃)	150	1500	332	达林顿
2SD933	日立	FF	Si.T	300	7	6A	80W(Tc=25℃)	150	1500	102	达林顿内藏阻尼二极管
2SD934	日立	FF	Si.T	300	7	6A	80W(Tc=25℃)	150	1500	332	达林顿内藏阻尼二极管
2SD935	松下	FF	Si.TP	250	7	5A	60W(Tc=25℃)	150	100	365	-
2SD936	东芝	SW	Si.TMe	300	6	+30A,-47A	400W(Tc=25℃)	150	>150	319	-
2SD937	东芝	SW	Si.TMe	400	6	+30A,-47A	400W(Tc=25℃)	150	>150	319	-
2SD938	东芝	SW	Si.TMe	600	6	+30A,-47A	400W(Tc=25℃)	150	>150	319	-
2SD939	东芝	SW	Si.TMe	300	6	+40A,-47A	400W(Tc=25℃)	150	>150	319	-
2SD940	东芝	SW	Si.TMe	400	6	+40A,-47A	400W(Tc=25℃)	150	>150	319	-
2SD941	东芝	SW	Si.TMe	600	6	+40A,-47A	400W(Tc=25℃)	150	>150	319	-
2SD942	东芝	SW	Si.TMe	300	6	+50A,-47A	400W(Tc=25℃)	150	>150	319	-
2SD943	东芝	SW	Si.TMe	400	6	+50A,-47A	400W(Tc=25℃)	150	>150	319	-
2SD944	ROHM	-	Si.EP	40	-	2A	5W(Tc=25℃)	-	>4000	232	2SB786
2SD946	松下	AF	Si.EP	30	5	1A	1.2W	150	2000-20000	222	达林顿
2SD946A	松下	AF	Si.EP	60	5	1A	1.2W	150	2000-20000	222	达林顿2SB895A
2SD947	ROHM	AF.PA	Si.EP	40	6	2A	5W(Tc=25℃)	150	20000	74	达林顿
2SD948	松下	SW	Si.TMe	1600	5	1A	25W(Tc=25℃)	130	4	153	水平偏向用
2SD949	松下	SW	Si.TMe	1500	5	2A	40W(Tc=25℃)	130	4	102	水平偏向用
2SD950	松下	SW	Si.TMe	1500	5	Icp 4.5A	42W(Tc=25℃)	130	3月8日	102	水平偏向用内藏阻尼二极管
2SD951	松下	SW	Si.TMe	1500	5	Icp 5A	65W(Tc=25℃)	130	3月12日	102	水平偏向用内藏阻尼二极管
2SD952	松下	SW	Si.TMe	1500	5	Icp 5A	70W(Tc=25℃)	130	4月12日	102	水平偏向用内藏阻尼二极管
2SD953	松下	SW	Si.TMe	1500	5	Icp 7A	95W(Tc=25℃)	130	3月8日	102	内藏阻尼二极管
2SD954	松下	SW	Si.TMe	1500	5	5A	95W(Tc=25℃)	130	7	102	水平偏向用
2SD955	日立	AF	Si.E	120	5	50	625	150	120	138D	-
2SD956	日立	SW	Si.T	1500	6	2.5A	50W(Tc=25℃)	150	-	102	水平偏向用内藏阻尼二极管
2SD957	日立	SW	Si.T	1500	6	6A	50W(Tc=25℃)	150	-	102	水平偏向用内藏阻尼二极管
2SD957A	日立	SW	Si.T	1500	6	6A	50W(Tc=25℃)	150	-	102	水平偏向用内藏阻尼二极管
2SD958	松下	AF.LN	Si.EP	120	7	20	400	150	180-1040	151	2SB788
2SD959	松下	SW	Si.EP	130	7	4A	30W(Tc=25℃)	150	60-260	268	2SB867
2SD960	松下	SW	Si.EP	130	7	4A	35W(Tc=25℃)	150	60-260	268	2SB868
2SD961	松下	SW	Si.EP	130	7	5A	40W(Tc=25℃)	150	60-260	268	2SB869
2SD962	三垦	PA	Si.TP	200	6	5A	80W(Tc=25℃)	150	3000	102	达林顿
2SD963	三垦	PA	Si.TP	200	6	5A	100W(Tc=25℃)	150	3000	102	达林顿
2SD965	松下	AF	Si.EP	40	7	5A	750	150	180-600	138	-
2SD966	松下	AF	Si.EP	40	7	5A	1W	150	180-600	165	-
2SD967	松下	AF	Si.EP	30	5	200	400	135	7000	151	达林顿
2SD968	松下	AF	Si.EP	100	5	500	1W(プリント基板使用)	150	65-330	336	2SB789
2SD968A	松下	AF	Si.EP	120	5	500	500	150	65-330	336	2SB793A
2SD969	松下	AF	Si.EP	25	7	500	600	135	65-220	151	2SB790
2SD970	日立	SW	Si.T	120	7	8A	50W(Tc=25℃)	150	1000-20000	268	2SB791
2SD971	三垦	PA	Si.TP	300	6	6A	50W(Tc=25℃)	150	2000	298	达林顿
2SD972	三垦	PA	Si.TP	50	6	4A	30W(Tc=25℃)	150	3000	298	达林顿
2SD973	松下	AF	Si.EP	30	5	1A	1W	150	60-340	151	2SB793
2SD973A	松下	AF	Si.EP	60	5	1A	1W	150	85-340	151	-
2SD974	日立	SW	Si.E	120	5	1A	900	150	>150	251	水平偏向用
2SD975	日立	SW	Si.E	150	5	2A	1W	150	>150	160	水平偏向用
2SD976	日立	SW	Si.T	300	6	7A	50W(Tc=25℃)	150	>25	268	水平偏向用
2SD976A	日立	SW	Si.T	350	6	7A	50W(Tc=25℃)	150	>25	268	水平偏向用
2SD977	三洋	SW	Si.TP	450	6	4A	40W(Tc=25℃)	150	300	267	达林顿
2SD978	三洋	SW	Si.TP	450	6	5A	40W(Tc=25℃)	150	300	268	达林顿
2SD979	三洋	SW	Si.TP	450	6	10A	100W(Tc=25℃)	150	900	346	-
2SD980	三洋	SW	Si.TP	450	6	7A	100W(Tc=25℃)	150	900	346	-
2SD981	富士电机	PA	Si.TP	200	6	5A	100W(Tc=25℃)	150	3000	102	达林顿
2SD982	富士电机	PA	Si.TP	200	6	5A	40W(Tc=25℃)	150	3000	268	达林顿
2SD983	富士电机	PA	Si.TP	150	6	6A	40W(Tc=25℃)	150	3000	268	达林顿
2SD985	日电	PA.SW	Si.E	150	8	1.5A	10W(Tc=25℃)	150	2000-30000	225	达林顿
2SD986	日电	PA.SW	Si.E	150	8	1.5A	10W(Tc=25℃)	150	2000-30000	225	达林顿
2SD987	日电	SW	Si.T	500	8	5A	40W(Tc=25℃)	150	>100	268	达林顿
2SD990	日立	SW	Si.T	100	6	3A	30W(Tc=25℃)	150	>500	268	-
2SD991	日立	SW	Si.T	300	7	6A	50W(Tc=25℃)	150	>500	268	内藏阻尼二极管
2SD992	日电	PA.SW	Si.E	30	5	2A	10W(Tc=25℃)	150	>50	186	-
2SD993	三洋	SW	Si.TMe	1500	6	3A	50W(Tc=25℃)	150	10	102	水平偏向用
2SD994	三洋	SW	Si.TMe	1500	6	8A	50W(Tc=25℃)	150	10	102	水平偏向用
2SD995	三洋	SW	Si.TMe	2500	6	3A	50W(Tc=25℃)	150	10	102	水平偏向用
2SD997	日电	PA	Si.T	250	5	10A	200W(Tc=Z5℃)	150	80	102	2SB796
2SD998	日电	PA	Si.E	100	8	1.5A	10W(Tc=25℃)	150	7000	225	达林顿
2SD999	日电	PA	Si.E	30	5	1A	2W(陶瓷基板使用)	150	200	336	2SB798
2SD1000	日电	PA	Si.E	60	5	700	2W(陶瓷基板使用)	150	200	336	2SB799
晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅）（放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com 本站不保证资料完整性及正确性，您在使用或置换时要严格核对，本数据表仅供参考。

2SD系列三极管参数表及代换