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2SD系列三极管参数表及代换

发布时间：2009-02-12 14:39:01  来源：资料室  作者：  更新20260509 173711

2SD-晶体三极管性能资料及互换

 

型号 　 　 制造厂Mnf. 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 　 备注及替换 　
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SD1101 日立 AF Si.E 25 6 700 150 150 140 176 2SB831
2SD1102 日立 SW Si.T 1200 6 4A 50W(Tc=25℃) 150 10 102 水平偏向用
2SD1103 日立 SW Si.T 1200 6 5A 50W(Tc=25℃) 150 12 102 水平偏向用
2SD1104 日立 SW Si.T 1200 6 6A 50W(Tc=25℃) 150 12 102 水平偏向用
2SD1105 松下 PA Si.DJ 120 7 15A 200W(Tc=25℃) 150 80 102 -
2SD1106 日电 PA Si.T 450 7 50A 400W(Tc=25℃) 150 300 359 达林顿
2SD1107 日电 PA Si.T 500 7 50A 400W(Tc=25℃) 150 300 359 达林顿
2SD1109 日电 PA Si.T 100 5 6A 70W(Tc=25℃) 150 80 162 -
2SD1109A 日电 PA Si.T 120 5 6A 70W(Tc=25℃) 150 80 162 -
2SD1110 日电 PA Si.T 120 5 7A 80W(Tc=25℃) 150 80 162 2SB849
2SD1110A 日电 PA Si.T 130 5 7A 80W(Tc=25℃) 150 80 162 2SB849A
2SD1111 三洋 AF Si.EP 80 10 700 600 150 25000 138 达林顿
2SD1112 松下 AF Si.TP 350 7 200 10W(Tc=25℃) 150 120 361 -
2SD1113 日立 PA Si.T 300 7 6A 40W(Tc=25℃) 150 3000 268 达林顿内藏阻尼二极管
2SD1114 日立 PA Si.T 400 7 6A 50W(Tc=25℃) 150 3000 268 达林顿内藏阻尼二极管
2SD1115 日立 PA Si.T 400 7 3A 40W(Tc=25℃) 150 3000 268 达林顿内藏阻尼二极管
2SD1116 日立 PA Si.T 400 7 3A 40W(Tc=25℃) 150 3000 268 达林顿
2SD1117 富士电机 PA Si.TP 40 7 10A 50W(Tc=25℃) 150 120 268 -
2SD1117A 富士电机 PA Si.TP 80 7 10A 50W(Tc=25℃) 150 120 268 -
2SD1118 富士电机 SW Si.TP 80 15 10A 50W(Tc=25℃) 150 400 268 -
2SD1119 松下 AF Si.EP 40 7 3A 500 150 260 336 -
2SD1120 松下 PA Si.TP 200 6 2A 40W(Tc=25℃) 150 1000 268 -
2SD1121 松下 PA Si.TP 200 6 3A 50W(Tc=25℃) 150 1000 268 -
2SD1122 松下 PA Si.TP 200 6 5A 80W(Tc=25℃) 150 1000 365 -
2SD1123 松下 PA Si.TP 200 6 8A 100W(Tc=25℃) 150 1000 365 -
2SD1124 松下 PA Si.TP 80 6 8A 80W(Tc=25℃) 150 1000 365 -
2SD1125 松下 PA Si.TP 80 6 12A 100W(Tc=25℃) 150 1000 365 -
2SD1126 日立 PA,SW Si.T 120 7 10A 50W(Tc=25℃) 150 3000 268 达林顿内藏阻尼二极管
2SD1127 日立 PA,SW Si.T 120 7 10A 50W(Tc=25℃) 150 3000 268 达林顿内藏阻尼二极管
2SD1128 富士电机 PA Si.TP 150 6 5A 30W(Tc=25℃) 150 5000 268 达林顿
2SD1129 日立 PA.SW Si.E 100 7 15A 100W(Tc=25℃) 150 3000 332 达林顿
2SD1130 日立 PA.SW Si.E 100 7 20A 100W(Tc=25℃) 150 3000 332 达林顿
2SD1131 日立 PA Si.T 50 4 4A 40W(Tc=25℃) 150 100 268 -
2SD1132 日立 PA Si.T 60 4 4A 40W(Tc=25℃) 150 100 268 -
2SD1133 日立 PA Si.T 70 5 4A 40W(Tc=25℃) 150 100 268 2SB857
2SD1134 日立 PA Si.T 70 5 4A 40W(Tc=25℃) 150 100 268 2SB858
2SD1135 日立 PA Si.T 100 5 4A 40W(Tc=25℃) 150 100 268 2SB859
2SD1136 日立 PA Si.T 200 5 4A 30W(Tc=25℃) 150 45 268 水平偏向用
2SD1137 日立 PA Si.T 100 4 4A 40W(Tc=25℃) 150 120 268 2SB860
2SD1138 日立 PA Si.T 200 6 2A 30W(Tc=25℃) 150 140 268 2SB861
2SD1139 日立 PA Si.T 200 6 2A 30W(Tc=25℃) 150 120 268 -
2SD1140 东芝 SW Si.E 30 10 1.5A 900 150 7000 241 达林顿
2SD1141 日立 PA Si.T 400 7 6A 40W(Tc=25℃) 150 3000 268 达林顿内藏阻尼二极管
2SD1142 日电 SW Si.TMe 1500 5 3.5A 50W(Tc=25℃) 150 12 102 水平偏向用
2SD1143 日电 SW Si.TMe 1500 5 5A 50W(Tc=25℃) 150 12 102 水平偏向用
2SD1145 三洋 AF.SW Si.EP 60 6 5A 900 150 100-560 294 -
2SD1146 Sony AF Si.E 50 50 2A 900 150 300 294 -
2SD1147 富士电机 PA Si.TP 120 6 5A 30W(Tc=25℃) 150 5000 268 达林顿
2SD1148 东芝 PA Si.T 140 5 10A 100W(Tc=25℃) 150 100 203 -
2SD1149 松下 AF Si.EP 100 15 20 200 125 1000 176 -
2SD1150 三洋 SW Si.EP 350 6 6A 40W(Tc=25℃) 150 60 268 水平偏向用
2SD1151 松下 SW Si.TMe 1500 5 5A 95W(Tc=25℃) 130 40-150 102 达林顿内藏阻尼二极管
2SD1152 日立 AF Si.E 55 - 100 200 125 500 138 -
2SD1153 三洋 AF.SW Si.EP 80 10 1.5A 900 150 >4000 294 2SB865(达林顿)
2SD1154 松下 SW Si.E 350 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 30 102 水平偏向用
2SD1155 富士电机 SW Si.TP 400 6 50A 300W(Tc=25℃) 150 400 254 达林顿
2SD1156 三菱 PA Si.EP loo 5 5A 58W(Tc=25℃) 150 110 358 -
2SD1157 富士电机 AF.PA Si.TP 80 10 4A 25W(Tc=25℃) 150 400 268 -
2SD1158 " AF.PA.SW Si.TP 80 10 8A 40W(Tc=25℃) 150 400 268 -
2SD1159 三洋 SW Si.T 200 6 4.5A 40W(Tc=25℃) 150 80 268 水平偏向用
2SD1160 东芝 PA.SW Si.E 50 6 2A 1W 150 200 344 内藏阻尼二极管
2SD1161 三洋 AF Si.EP 30 5 30 150 150 180 176 -
2SD1162 日电 SW Si.T 500 10 10A 40W(Tc=25℃) 150 400-3000 268 达林顿
2SD1163 日立 SW Si.T 300 6 7A 40W(Tc=25℃) 150 40 268 水平偏向用
2SD1163A 日立 SW Si.T 350 6 7A 40W(Tc=25℃) 150 40 268 水平偏向用
2SD1164 日电 PA Si.E 150 8 1.5A 10W(Tc=25℃) 150 8000 186 达林顿
2SD1165 东芝 SW Si.TMe 1000 6 100A 1250W(Tc=25℃) 125 150 356 达林顿
2SD1166 东芝 SW Si.TMe 1000 6 200A 2500W(Tc=25℃) 125 200 357 达林顿
2SD1168 松下 SW Si,TMe 1500 5 5A 50W(Tc=25℃) 130 15 102 -
2SD1169 松下 PA Si.TP 150 20 5A 40W(Tc=25℃) 150 10000 268 达林顿
2SD1170 三垦 PA Si.TMe 120 6 6A 70W(Tc=25℃) 150 4000 324 达林顿
2SD1171 松下 SW Si.TMe 1500 5 5A 50W(Tc=25℃) 130 15 102 水平偏向用ダンプ内藏
2SD1172 松下 SW Si.TMe 1500 5 5A 65W(Tc=25℃) 130 15 102 水平偏向用ダンプ内藏
2SD1173 松下 SW Si.TMe 1500 5 5A 70W(Tc=25℃) 130 15 102 水平偏向用ダンプ内藏
2SD1174 松下 SW Si.TMe 1500 5 5A 95W(Tc=25℃) 130 15 102 水平偏向用ダンプ内藏
2SD1175 松下 SW Si.TMe 1500 5 5A 100W(Tc=25℃) 130 15 102 水平偏向用ダンプ内藏
2SD1176 松下 PA.SW Si.P 60 7 8A 45W(Tc=25℃) 150 4000 268 达林顿内藏阻尼二极管
2SD1176A 松下 SW Si.P 80 7 8A 45W(Tc=25℃) 150 1000-10000 268 达林顿2SB872A
2SD1177 日立 AF.PA Si.E 100 5 2A 20W(Tc=25℃) 150 100 160 2SB874
2SD1178 日立 AF.PA Si.E 100 - 2A 20W(Tc=25℃) 150 100 160 -
2SD1179 日立 AF.PA Si.T 120 - 1.5A 20W(Tc=25℃) 150 100 160 -
2SD1180 日立 AF.PA Si.E 120 - 1.5A 10W(Tc=25℃) 150 100 160 -
2SD1181 日立 AF.PA Si.E 180 - 1.5A 10W(Tc=25℃) 150 140 234D -
2SD1182 日立 AF.PA Si.E 180 - 1.5A 50W(Tc=25℃) 150 140 234D -
2SD1183 日立 SW Si.T 1200 6 3A 50W(Tc=25℃) 150 14 102 -
2SD1184 日立 SW Si.T 1500 6 3A 50W(Tc=25℃) 150 14 102 -
2SD1185 日立 SW Si.T 1200 6 5A 50W(Tc=25℃) 150 15 102 -
2SD1186 日立 SW Si.T 1500 6 5A 50W(Tc=25℃) 150 15 102 -
2SD1187 东芝 AF.PA.SW Si.T 100 5 10A 80W(Tc=25℃) 150 110 203 -
2SD1189 ROHM AF.PA Si.EP 40 5 2A 5W(Tc=25℃) 150 180 232 -
2SD1190 三洋 PA Si.EP 70 6 4A 30W(Tc=25℃) 150 5000 268 达林顿内藏阻尼二极管
2SD1191 三洋 PA Si.EP 70 6 7A 35W(Tc=25℃) 150 5000 268 达林顿内藏阻尼二极管
2SD1192 三洋 PA Si.EP 70 6 10A 40W(Tc=25℃) 150 5000 268 达林顿内藏阻尼二极管
2SD1193 三洋 PA Si.EP 70 6 15A 70W(Tc=25℃) 150 5000 346 达林顿内藏阻尼二极管
2SD1194 三洋 PA Si.TP 110 6 3A 30W(Tc=25℃) 150 4000 268 达林顿内藏阻尼二极管
2SD1195 三洋 PA Si.TP 110 6 5A 35W(Tc=25℃) 150 4000 268 达林顿内藏阻尼二极管
2SD1196 三洋 PA Si.TP 110 6 8A 40W(Tc=125℃) 150 4000 268 达林顿内藏阻尼二极管
2SD1197 三洋 PA Si.TP 110 6 10A 70W(Tc=25℃) 150 4000 346 达林顿内藏电阻
2SD1198 松下 AF Si.EP 30 5 1A 750 150 7000 151 达林顿
2SD1198A 松下 AF Si.EP 60 5 1A 750 150 2000-20000 151 达林顿
2SD1199 松下 AF Si.EP 40 15 50 400 150 300 151 -
2SD1200 ROHM AF.PA Si.EP 80 5 700 5W(Tc=25℃) 150 180 232 -

晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
本站不保证资料完整性及正确性，您在使用或置换时要严格核对，本数据表仅供参考。

　


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