2SD-晶体三极管资料-Transistor-

2SD-晶体三极管性能资料及互换

型号	制造厂Mnf.	用途App.	材料Type	最大额定值 (Ta=25℃)				结温	直流放大系数	封装外形	备注及替换
				VCBO	VEBO	Ic	Pc	Tj	hFE
				(V)	(V)	(mA)	(mW)	(℃)	hFE
2SD1001	日电	PA	Si.E	80	5	300	2W(陶瓷基板使用)	150	200	336	2SB800
2SD1002	日电	PA	Si.E	45	5	1A	400	150	100	336	-
2SD1003	日电	PA	Si.E	60	5	1A	400	150	90	336	-
2SD1004	日电	PA	Si.E	100	5	1A	400	150	90	336	-
2SD1005	日电	PA	Si.E	100	5	1A	2W(陶瓷基板使用)	150	200	336	2SB804
2SD1006	日电	PA	Si.E	100	5	700	2W(陶瓷基板使用)	150	200	336	2SB805
2SD1007	日电	PA	Si.E	120	5	700	2W(陶瓷基板使用)	150	200	336	2SB806
2SD1009	松下	AF	Si.EP	150	5	50	1W(プリント基板使用)	150	90-450	336	2SB807
2SD1010	松下	AF	Si.EP	50	15	50	300	125	400-2000	138	-
2SD1011	松下	AF	Si.EP	100	15	20	300	125	400-2000	138	-
2SD1012	三洋	PA	Si.EP	20	5	700	250	125	160-960	92	2SB808
2SD1014	-			50	-	2A	900	-
2SD1015	Sony	SW	Si.E	140	50	2A	900	150	150-1500	259	双方向性
2SD1016	三洋	SW	Si.TMe	1500	6	7A	50W(Tc=25℃)	150	7	102	水平偏向用
2SD1017	日电	PA	Si.T	250	5	2A	50W(Tc=25℃)	150	40-250	162	-
2SD1018	日电	PA	Si.T	250	5	4A	80W(Tc=25℃)	150	40-250	162	-
2SD1020	日电	AF	Si.E	30	5	700	350	150	200	42	2SB810
2SD1021	日电	PA	Si.E	30	5	1A	350	150	200	42	2SB811
2SD1022	新电元	SW	Si.T	100	7	5A	30W(Tc=25℃)	150	>1500	268	达林顿T5L10
2SD1023	新电元	PA.SW	Si.TP	200	7	5A	30W(Tc=25℃)	150	3000	268	达林顿内藏阻尼二极管
2SD1024	新电元	SW	Si.T	100	7	8A	50W(Tc=25℃)	150	>1500	268	达林顿T8L10
2SD1025	新电元	PA.SW	Si.TP	200	7	8A	50W(Tc=25℃)	150	3000	268	达林顿内藏阻尼二极管
2SD1026	新电元	PA.SW	Si.TP	100	7	15A	100W(Tc=25℃)	150	4000	119	达林顿内藏阻尼二极管
2SD1027	新电元	PA.SW	Si.TP	200	7	15A	100W(Tc=25℃)	150	3000	119	达林顿内藏阻尼二极管
2SD1029	三洋	PA	Si.TP	60	5	4A	40W(Tc=25℃)	150	120	268	-
2SD1030	松下	AF	Si.EP	50	15	50	200	125	400-2000	176	-
2SD1031	三垦	PA	Si.TMe	120	6	6A	50W(Tc=25℃)	150	4000	298	达林顿
2SD1032	松下	PA	Si.TP	60	5	4A	60W(Tc=25℃)	150	40-250	365	2SB812
2SD1032A	松下	PA	Si.TP	80	5	4A	60W(Tc=25℃)	150	100	365	-
2SD1032B	松下	PA	Si.TP	100	5	4A	60W(Tc=25℃)	150	100	365	-
2SD1033	日电	PA	Si.T	200	5	2A	20W(Tc=25℃)	150	40-200	185	2SB768
2SD1034	东芝	SW	Si.TMe	600	6	300A	1250W(Tc=25℃)	125	300	356	-
2SD1035	富士通	SW	Si.P	150	100	3A	40W(Tc=25℃)	150	50	268	达林顿
2SD1036	富士通	SW	Si.P	150	100	15A	150W(Tc=25℃)	150	35	163	-
2SD1037	富士通	SW	Si.P	150	100	30A	180W(Tc=25℃)	150	35	163	-
2SD1038	富士通	SW	Si.P	150	100	40A	180W(Tc=25℃)	150	40	163	-
2SD1039	富士通	SW	Si.P	150	100	3A	40W(Tc=25℃)	150	50	99	-
2SD1040	富士通	SW	Si.P	150	100	15A	150W(Tc=25℃)	150	35	102	-
2SD1040A	富士通	PA.SW	Si.P	150	100	15A	120W(Tc=25℃)	175	85	102	-
2SD1041	富士通	SW	Si.P	150	100	30A	180W(Tc=25℃)	150	35	102	-
2SD1042	富士通	SW	Si.P	150	100	40A	180W(Tc=25℃)	150	40	299	-
2SD1043	松下	PA	Si.TP	430	10	5A	80W(Tc=25℃)	150	1000	102	达林顿内藏阻尼二极管
2SD1044	松下	PA	Si.DJ	100	6	6A	60W(Tc=25℃)	150	700-10000	365	达林顿内藏阻尼二极管
2SD1044A	松下	PA	Si.DJ	170	6	6A	60W(Tc=25℃)	150	4000	365	达林顿
2SD1045	日立	AF.SW	Si.E	30	6	3A	900	150	160-800	251	-
2SD1046	三洋	PA.SW	Si.P	150	6	8A	80W(Tc=25℃)	150	60-200	346	2SB816
2SD1047	三洋	PA.SW	Si.P	160	6	12A	100W(Tc=25℃)	150	60-200	346	2SB817
2SD1048	三洋	AF	Si.EP	20	5	700	200	125	160-960	176	2SB815
2SD1049	富士电机	SW	Si.TP	120	7	25A	80W(Tc=25℃)	150	>20	211	-
2SD1050	日立	SW	Si.E	100	7	10A	80W(Tc=25℃)	150	2000	332	达林顿内藏阻尼二极管
2SD1051	松下	SW	Si.EP	50	5	1.5A	1W	150	30-220	151	2SB819
2SD1052	东芝	SW	Si.T	50	7	3A	30W(Tc=25℃)	150	400	268	-
2SD1052A	东芝	PA	Si.T	50	7	3A	30W(Tc=25℃)	150	800	268	-
2SD1053	日电	SW	Si.T	400	7	1A	15W(Tc=25℃)	150	50	185	-
2SD1054	日立	SW	Si.T	300	-	3A	80W(Tc-25℃)	150	20	102	-
2SD1055	ROHM	AF	Si.EP	40	5	2A	750	135	180	235	-
2SD1056	富士电机	SW.PA	Si.TP	600	6	50A	400W(Tc=25℃)	150	>100	254	达林顿
2SD1059	三洋	PA	Si.TP	100	6	6A	40W(Tc=25℃)	150	110	268	-
2SD1060	三洋	PA	Si.EP	60	6	5A	30W(Tc=25℃)	150	120	268	-
2SD1061	三洋	PA.SW	Si.EP	60	6	7A	40W(Tc=25℃)	150	110	268	-
2SD1062	三洋	PA.SW	Si.EP	60	6	12A	40W(Tc=25℃)	150	110	268	-
2SD1063	三洋	PA.SW	Si.EP	60	6	7A	60W(Tc=25℃)	150	110	346	-
2SD1064	三洋	PA.SW	Si.EP	60	6	12A	80W(Tc=25℃)	150	110	346	-
2SD1065	三洋	PA.SW	Si.EP	60	6	15A	90W(Tc=25℃)	150	110	346	-
2SD1066	富士电机	SW	Si.TP	600	6	100A	770W(Tc=25℃)	125	>100	221	达林顿
2SD1067	富士电机	SW	Si.TP	600	6	30A	200W(Tc=25℃)	150	200	254	达林顿
2SD1068	Sony	SW	Si.Pa	1000	10	10	25W(Tc=25℃)	120	>50	268	2SB832
2SD1069	东芝	SW	Si.T	300	6	7A	40W(Tc=25℃)	150	20	268	水平偏向用
2SD1070	日电	PA.SW	Si.E	100	7	10A	60W(Tc=25℃)	150	40-200	162	-
2SD1071	富士电机	PA	Si.TP	300	6	6A	40W(Tc=25℃)	150	1500	268	达林顿
2SD1072	富士电机	SW	Si.TP	450	20	5A	40W(Tc=25℃)	150	2500	268	达林顿
2SD1073	富士电机	PA	Si.TP	300	6	4A	40W(Tc=25℃)	150	3000	268	达林顿
2SD1074	日立	PA	Si.E	120	5	1A	10W(Tc=25℃)	150	160	245	-
2SD1075	日立	PA	Si.E	120	5	1A	10W(Tc=25℃)	150	100	245	-
2SD1076	日立	PA	Si.E	25	5	2.5A	20W(Tc=25℃)	150	160	245	-
2SD1077	日立	PA	Si.E	35	5	2.5A	20W(Tc=25℃)	150	160	245	-
2SD1078	日立	PA	Si.E	50	4	2A	20W(Tc=25℃)	150	100	245	-
2SD1079	日立	PA	Si.E	80	4	2A	20W(Tc=25℃)	150	100	245	-
2SD1080	日立	PA	Si.E	180	-	1.5A	20W(Tc=25℃)	150	100	245	2SB840
2SD1081	日立	PA	Si.E	180	-	1.5A	20W(Tc=25℃)	150	100	245	2SB841
2SD1082	日立	PA	Si.E	200	5	1.5A	20W(Tc=25℃)	150	100	245	-
2SD1083	日立	PA.SW	Si.EP	150	5	2A	10W(Tc=25℃)	150	200	245	水平偏向用
2SD1084	日立	PA	Si.T	500	4	50A	400W(Tc=25℃)	150	300	351	达林顿
2SD1085	日立	PA	Si.E	300	7	3A	40W(Tc=25℃)	150	3000	268	达林顿内藏阻尼二极管
2SD1087	东芝	AF.PA.SW	Si.T	100	5	15A	100W(Tc=25℃)	150	3000	125	达林顿
2SD1088	东芝	AF.PA.SW	Si.T	300	5	6A	30W(Tc=25℃)	150	5000	268	达林顿
2SD1089	东芝	AF.PA.SW	Si.T	350	5	6A	30W(Tc=25℃)	150	1000	268	达林顿
2SD1090	东芝	PA	Si.T	200	5	5A	80W(Tc=25℃)	150	1000	203	-
2SD1091	松下	PA	Si.TP	170	6	4A	40W(Tc=25℃)	150	5000	268	达林顿内藏阻尼二极管
2SD1092	东芝	PA	Si.T	45	6	4A	80W(Tc=25℃)	150	1000	203	-
2SD1093	日立	PA.SW	Si.T	1000	6	7A	50W(Tc=25℃)	150	20	102	-
2SD1094	日立	SW	Si.T	1000	6	10A	50W(Tc=25℃)	150	30	102	-
2SD1095	日立	SW	Si.T	1200	6	1.5A	50W(Tc=25℃)	150	8	102	水平偏向用
2SD1096	日立	PA	Si.E	25	5	1A	10W(Tc=25℃)	150	140	245	-
2SD1097	日立	SW	Si.T	1200	6	2.5A	50W(Tc=25℃)	150	8	102	水平偏向用
2SD1098	日立	SW	Si.T	1200	6	3A	50W(Tc=25℃)	150	8	102	水平偏向用
2SD1099	日立	SW	Si.T	1200	6	5A	50W(Tc=25℃)	150	12	102	水平偏向用
2SD1100	日立	AF	Si.E	20	6	2A	900	150	400	251	-
晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅）（放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com 本站不保证资料完整性及正确性，您在使用或置换时要严格核对，本数据表仅供参考。

2SD系列三极管参数表及代换