2SD-晶体三极管资料-Transistor-

2SD-晶体三极管性能资料及互换

型号	制造厂Mnf.	用途App.	材料Type	最大额定值 (Ta=25℃)				结温	直流放大系数	封装外形	备注及替换
				VCBO	VEBO	Ic	Pc	Tj	hFE
				(V)	(V)	(mA)	(mW)	(℃)	hFE
2SD101	东芝	PA	Ge.A	80	6	600	250	75	70	77	-
2SD102	东芝	PA	Si.DJ	110	10	3A	25W(Tc=25℃)	150	30-300	99	-
2SD103	东芝	PA.SW	Si.DJ	80	10	3A	25W(Tc=25℃)	150	30-300	99	-
2SD104	东芝	PA	Ge.A	20	6	400	150	75	90	12A	-
2SD105	东芝	PA	Ge.A	20	6	400	150	75	60	12A	-
2SD107	东芝	PA	Si.TP	80	10	5A	50W(Tc=25℃)	150	4000	102	-
2SD108	东芝	PA	Si.TP	80	10	5A	50W(Tc=25℃)	150	4000	102	达林顿接续
2SD110	东芝	PA	Si.DJ	130	10	10A	100W(Tc=25.C)	150	30-300	102	-
2SD111	东芝	PA	Si.DJ	100	10	10A	100W(Tc=25℃)	150	30-300	102	-
2SD113	东芝	PA	Si.DJ	100	10	30A	200W(Tc=25℃)	150	30-300	102	-
2SD114	东芝	PA	Si.DJ	70	10	30A	200W(Tc=25℃)	150	30-300	102	-
2SD116	富士通	PA	Si.TMe	100	6	7A	75W(Tc=25℃)	175	100	102	-
2SD117	富士通	PA	Si.TMe	150	6	7A	75W(Tc=25℃)	175	100	102	-
2SD118	东芝	PA	Si.DJ	130	10	7A	100W(Tc-25℃)	150	30-200	102	-
2SD119	东芝	PA	Si.DJ	100	10	7A	100W(Tc=25℃)	150	30-200	102	-
2SD120	日立	SW	Si.DJ	60	12	1.5A	4W(Tc=25℃)	175	60	84B	-
2SD121	日立	SW	Si.DJ	100	12	1.5A	4W(Tc=25℃)	175	60	84B	-
2SD122	日立	SW	Si.DJ	60	12	3A	15W(Tc=25℃)	175	40	83	-
2SD123	日立	SW	Si.DJ	100	12	3A	15W(Tc=25℃)	175	40	83	-
2SD124	日立	SW	Si.DJ	60	10	6A	60W(Tc=25℃)	175	30	102	-
2SD124A	日立	SW	Si.DJ	75	10	7A	60W(Tc=25℃)	175	40	102	-
2SD125	日立	SW	Si.DJ	100	10	6A	60W(Tc=25℃)	175	40	102	-
2SD125A	日立	SW	Si.DJ	100	10	7A	60W(Tc=25℃)	175	40	102	-
2SD126	日立	PA.SW	Si.DJ	150	5	7A	60W(Tc=25℃)	175	10	102	-
2SD127	Sony	PA	Ge.A	23	-	500	250	85	82
2SD127A	Sony	PA	Ge.A	23	-	500	250	85	82	12A	-
2SD128	Sony	PA	Ge.A	32	-	500	250	85	82	12A	-
2SD128A	Sony	PA	Ge.A	32	-	500	250	85	82	12A	-
2SD129	东芝	PA	Si.DJ	90	10	3A	25W(Tc=25℃)	150	30-200	99	-
2SD130	东芝	PA	Si.DJ	60	10	3A	25W(Tc=25℃)	150	30-200	99	-
2SD131	东芝	PA	Si.T	100	5	5A	50W(Tc=25℃)	150	60	102	-
2SD132	日电	PA	Si.EMe	100	6	20A	150W(Tc=25℃)	175	40	106	-
2SD134	Sony	SW	Ge.G	60	3	5	30	65	40	18	-
2SD136	富士通	PA	Si.T	200	3	100	4W(Tc=25℃)	150	80	98A	-
2SD137	富士通	PA	Si.T	300	3	100	4W(Tc=25℃)	150	80	98A	-
2SD138	富士通	PA.SW	Si.T	200	3	1A	30W(Tc=25℃)	175	75	101	-
2SD139	富士通	PA.SW	Si.T	300	3	1A	30W(Tc=25℃)	175	75	101	-
2SD140	-										TRANSISTOR JVC SPECIAL
2SD141	日电	PA	Si.E	20	5	3A	15W(Tc=25℃)	175	80	150	-
2SD142	日电	PA	Si.E	40	5	3A	15W(Tc=25℃)	175	80	150	-
2SD143	日电	PA	Si.E	80	5	2A	15W(Tc=25℃)	175	80	150	-
2SD144	日电	PA	Si.E	100	5	2A	15W(Tc=25℃)	175	80	150	-
2SD146	富士通	PA.SW	Si.DJ	40	5	1A	20W(Tc=25℃)	175	60	101	-
2SD147	富士通	PA.SW	Si.DJ	60	5	1A	20W(Tc=25℃)	175	50	101	-
2SD148	富士通	SW	Si.DJ	70	5	2A	20W(Tc=25℃)	175	35	101	-
2SD149	富士通	PA.SW	Si.DJ	70	5	1A	800	175	40	84B	-
2SD150	日电	PA	Si.E	50	5	1A	15W(Tc=25℃)	150	80	150	2SA613
2SD151	日电	SW	Si.EMe	100	6	10A	120W(Tc=25℃)	175	35	102	-
2SD152	日电	PA	Si.E	150	6	1A	15W(Tc=25℃)	175	70	150	-
2SD153	日电	PA.SW	Si.TMe	250	6	10A	120W(Tc=25℃)	175	70	200	-
2SD154	日电	PA	Si.EMe	80	5	3A	25W(Tc=25℃)	150	65	150	-
2SD155	日电	PA	Si.EMe	80	5	3A	25W(Tc=25℃)	150	65	134	2SA616
2SD156	富士通	PA	Si.T	200	3	100	4W(Tc=70℃)	150	80	99	-
2SD157	富士通	PA	Si.T	300	3	100	4W(Tc=70℃)	150	80	99	-
2SD158	富士通	PA.SW	Si.T	200	3	1A	30W(Tc=25℃)	175	75	99	-
2SD159	富士通	PA.SW	Si.T	300	3	1A	30W(Tc=25℃)	175	75	99	-
2SD160	富士通	PA.SW	Si.DJ	100	8	1.5A	25W(Tc=25℃)	175	50	83	-
2SD161	富士通	PA	Si.DJ	120	12	10A	100W(Tc=25℃)	175	30	102	-
2SD162	富士通	AF.PA	Ge.A	20	2.5	30	65	85	80	4	2SB262
2SD163	三垦	PA.SW	Si.DJ	60	6	10A	100W(Tc=25℃)	150	30	102	-
2SD164	三垦	PA.SW	Si.DJ	100	6	10A	100W(Tc=25℃)	150	30	102	-
2SD165	三垦	PA.SW	Si.DJ	150	6	10A	100W(Tc=25℃)	150	30	102	-
2SD166	三垦	PA.SW	Si.DJ	200	6	10A	100W(Tc=25℃)	150	30	102	-
2SD167	富士通	AF.PA	Ge.A	20	2.5	500	200	85	120	12A	-
2SD168	富士通	SW	Si.DJ	80	6	10A	50W(Tc=25℃)	175	2500	102	达林顿接续
2SD170	日立	PA	Ge.A	25	6	500	200	85	150	12A	2SB370
2SD170A	日立	PA	Ge.A	32	12	500	200	85	150	12A	2SB370A
2SD171	Sony	PA	Si.TMe	450	-	3.5A	125W(Tc=25℃)	150	70	102	-
2SD172	富士通	PA.SW	Si.DJ	60	6	10A	100W(Tc=25℃)	175	25	102	-
2SD173	富士通	PA.SW	Si.DJ	100	6	10A	100W(Tc=25℃)	175	25	102	-
2SD174	富士通	PA	Si.DJ	60	6	5A	50W(Tc=25℃)	175	25	102	-
2SD175	富士通	PA.SW	Si.DJ	100	6	5A	50W(Tc=25℃)	175	25	102	-
2SD176	富士通	PA.SW	Si.DJ	90	12	10A	100W(Tc=25℃)	175	25	102	-
2SD177	富士通	PA.SW	Si.DJ	120	12	10A	100W(Tc=25℃)	175	25	102	-
2SD178	松下	PA	Ge.A	20	6	300	225	75	90	17	2SB178
2SD178A	松下	PA	Ge.A	40	6	300	225	75	90	17	2SB178A
2SD179	日电	PA.SW	Si.TMe	300	6	40A	580W(Tc=25℃)	175	30	201	-
2SD179	日电	PA.SW								201	-
2SD180	日电	PA	Si.EMe	80	7	6A	60W(Tc=25℃)	150	60	102	2SA626
2SD181	日电	PA.SW	Si.TMe	150	7	15A	100W(Tc=25℃)	175	60	102	-
2SD181A	日电	PA.SW	Si.TMe	250	7	10A	100W(Tc=25℃)	175	60	102	-
2SD182	富士通	PA	Si.DJ	40	12	1A	10W(Tc=25℃)	175	35	83	-
2SD183	富士通	PA	Si.DJ	100	12	1A	10W(Tc=25℃)	175	35	83	-
2SD184	富士通	SW	Si.DJ	60	12	1.5A	25W(Tc=25℃)	175	35	83	-
2SD185	富士通	SW	Si.DJ	100	12	1.5A	25W(Tc=25℃)	175	35	83	-
2SD186	三洋	PA	Ge.A	25	12	150	200	85	-	12A	-
2SD187	三洋	PA	Ge.A	25	12	150	200	85	100	12A	2SB187
2SD188	日电	PA	Si.EMe	100	7	7A	60W(Tc=25℃)	150	60	102	2SA627
2SD189	松下	PA	Si.TMe	80	5	5A	50W(Tc=75℃)	150	50	102	-
2SD189A	松下	PA	Si.TMe	100	5	5A	50W(Tc=75℃)	150	50	102	-
2SD190	日立	PA	Si.T	300	3	100	4W(Tc=25℃)	150	60	98A	-
2SD191	东芝	PA	Ge.A	30	12	150	150	75	80	84A	-
2SD192	东芝	PA	Ge.A	30	12	150	150	75	80	84A	-
2SD193	东芝	SW	Ge.A	35	12	400	250	85	100	84A	-
2SD194	东芝	PA	Ge.A	32	12	400	250	85	75	84A	-
2SD195	富士通	SW	Ge.A	20	15	50	150	85	70	12A	-
2SD196	富士通	SW	Si.DJ	100	12	10A	125W(Tc=25℃)	175	25	109	-
2SD196A	富士通	PA.SW	Si.DJ	100	12	10A	150W(Tc=25℃)	175	25	109	-
2SD197	富士通	SW	Si.DJ	130	12	10A	125W(Tc=25℃)	175	25	109	-
2SD197A	富士通	PA.SW	Si.DJ	130	12	10A	150W(Tc=25℃)	175	25	109	-
2SD198	松下	PA	Si.TMe	300	6	1A	25W(Tc=75℃)	150	120	102	-
2SD199	松下	PA	Si.TMe	800	6	500	25W(Tc=75℃)	150	55	102	-
2SD200	松下	SW	Si.TMe	1500	5	2.5A	15W(Tc=90℃)	130	2.5	102	水平偏向用
2SD200A	松下	SW	Si.Me	1500	5	2.5A	10W(Tc=90℃)	115	2.5	102	-
晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅）（放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com 本站不保证资料完整性及正确性，您在使用或置换时要严格核对，本数据表仅供参考。

2SD系列三极管参数表及代换