2SD-晶体三极管资料-Transistor-

2SD-晶体三极管性能资料及互换

型号	制造厂Mnf.	用途App.	材料Type	最大额定值 (Ta=25℃)				结温	直流放大系数	封装外形	备注及替换
				VCBO	VEBO	Ic	Pc	Tj	hFE
				(V)	(V)	(mA)	(mW)	(℃)	hFE
2SD301	富士通	SW	Si.DJ	80	6	10A	50W(Tc=25℃)	175	2500	102	达林顿接续
2SD310	-	PA.SW	Si.T	800	10	15A	150W(Tc=25℃)	150	20	102	-
2SD311	-	PA.SW	Si.T	800	10	15A	150W(Tc=25℃)	150	40	102	-
2SD312	松下	PA	Si.TMe	800	6	500	25W(Tc=100℃)	150	60	102	-
2SD313	三洋	PA	Si.T	60	5	3A	30W(Tc=25℃)	150	40-320	268	-
2SD314	三洋	PA	Si.T	60	5	3A	30W(Tc=25℃)	150	40-320	267	-
2SD315	三洋	PA	Si.T	60	5	4A	35W(Tc=25℃)	150	40-320	99	2SB509
2SD316	Sony	PA	Si.TMe	80	5	7A	80W(Tc=25℃)	150	70	102	-
2SD317	松下	PA	Si.T	60	8	3A	25W(Tc=25℃)	150	60	268	-
2SD317A	松下	PA	Si.T	80	8	3A	25W(Tc=25℃)	150	60	268	-
2SD318	松下	PA	Si.T	60	8	3A	25W(Tc=25℃)	150	60	267	-
2SD318A	松下	PA	Si.T	80	8	3A	25W(Tc=25℃)	150	60	267	-
2SD319	松下	PA	Si.DJ	110	7	10A	100W(Tc=25℃)	150	35	102	-
2SD320	三洋	PA.SW	Si.T	300	6	2A	50W(Tc=25℃)	150	-	102	-
2SD321	松下	PA.SW	Si.TMe	250	6	6A	60W(Tc=75℃)	150	40	102	-
2SD322	日电	PA	Si.TMe	120	7	7A	80W(Tc=25℃)	150	60	102	-
2SD323	日电	PA	Si.TMe	150	7	7A	80W(Tc=25℃)	150	60	102	-
2SD324	松下	PA	Si.TMe	300	3	100	10W(Tc=70℃)	150	80	153	-
2SD325	三洋	PA	Si.T	35	5	1.5A	10W(Tc=25℃)	150	40-320	268	2SB511
2SD326	Sony	PA.SW	Si.TMe	330	5	1A	23W(Tc=25℃)	150	80	100	-
2SD327	日电	PA	Si.E	40	5	500	250	125	140	138	2SA723
2SD328	日电	PA.SW	Si.E	100	7	1A	800	150	100	84B	2SB510
2SD329	富士通	SW	Si.DJ	70	5	1A	800	175	40	84C	-
2SD330	三洋	PA	Si.T	50	5	2A	20W(Tc=25℃)	150	40-320	268	2SB514
2SD331	三洋	PA	Si.T	50	5	2A	20W(Tc=25℃)	150	40-320	267	2SB515
2SD332	三洋	PA	Si.DJ	130	10	7A	65W(Tc=25℃)	150	40-200	102	-
2SD334	松下	PA	Si.DJ	110	7	6A	75W(Tc=25℃)	150	100	102	-
2SD334A	松下	PA	Si.DJ	130	7	6A	75W(Tc=25℃)	150	100	102	-
2SD335	日电	PA	Si.EMe	80	7	3A	30W(Tc=25℃)	150	80	102	-
2SD336	日电	PA	Si.E	40	5	500	750	135	140	45	2SA707
2SD338	Sony	PA	Si.EMe	70	8	7A	60W(Tc=25℃)	150	50	102	-
2SD339	Sony	PA	Si.EMe	90	8	10A	80W(Tc=25℃)	150	50	102	-
2SD340	Sony	PA	Si.EMe	110	8	12A	100W(Tc=25℃)	150	50	102	-
2SD341	日立	PA.SW	Si.DJ	100	7	15A	115W(Tc=25℃)	200	20-70	102	-
2SD342	Sony	PA	Si.DJ	70	-	3A	35W(Tc=25℃)	150	100	268	-
2SD343	Sony	PA	Si.DJ	70	-	3A	35W(Tc=25℃)	150	100	267	-
2SD344	Sony	PA	Si.DJ	70	-	3A	35W(Tc=25℃)	150	100	268	-
2SD345	Sony	PA	Si.DJ	70	-	3A	35W(Tc=25℃)	150	100	267	-
2SD346	Sony	PA	Si.EMe	60	-	5A	25W(Tc=25℃)	150	50	268	-
2SD347	Sony	PA	Si.EMe	60	-	5A	25W(Tc=25℃)	150	50	267	-
2SD348	三洋	SW	Si.TMe	1500	6	7A	50W(Tc=25℃)	150	>4,5	102	水平偏向用
2SD349	日电	AF	Si.E	30	5	50	150	125	500	176	-
2SD350	松下	SW	Si.TMe	1500	5	5A	35W(Tc=90℃)	130	>3	102	水平偏向用
2SD350A	松下	PA	Si.Me	1500	5	5A	22W(Tr=25℃)	115	>3	102	-
2SD351	松下	PA	Si.TMe	650	6	5A	80W(Tc=25℃)	150	15	102	-
2SD352	松下	PA	Ge.A	32	10	1A	650	90	150	12B	-
2SD353	三洋	PA	Si.TMe	150	6	2A	60W(Tc=25℃)	150	40-170	102	-
2SD355	三菱	PA	Si.EP	30	4	1A	800	135	150	242	2SB525
2SD356	三菱	PA	Si.EP	90	5	800	10W(Tc=25℃)	150	100	180	2SB526
2SD357	三菱	PA	Si.EP	110	5	800	10W(Tc=25℃)	150	100	180	2SB527
2SD358	三菱	PA	Si.EP	130	5	800	10W(Tc=25℃)	150	100	180	2SB528
2SD359	三菱	PA	Si.EP	40	5	2A	10W(Tc=25℃)	150	110	180	2SB529
2SD360	三菱	PA	Si.EP	40	5	2A	10W(Tc=25℃)	150	120	180	-
2SD361	三菱	PA	Si.EP	60	5	1.5A	10W(Tc=25℃)	150	110	180	2SB524
2SD362	日电	SW.PA	Si.EMe	150	8	5A	40W(Tc=25℃)	150	45	134	-
2SD363	日电	SW	Si.TMe	250	6	30A	200W(Tc=25℃)	175	30	106	-
2SD363A	日电	SW	Si.TMe	350	6	30A	200W(Tc=25℃)	175	30	106	-
2SD364	日电	SW	Si.TMe	450	6	30A	200W(Tc=25℃)	175	30	106	-
2SD365	松下	PA	Si.TMe	60	5	3A	25W(Tc=25℃)	150	70	268	2SB512
2SD365A	松下	PA	Si.TMe	80	5	3A	25W(Tc=25℃)	150	70	268	2SB512A
2SD366	松下	PA	Si.TMe	60	5	3A	25W(Tc=25℃)	150	70	267	2SB513
2SD366A	松下	PA	Si.TMe	80	5	3A	25W(Tc=25℃)	150	70	267	2SB513A
2SD367	松下	PA	Ge.A	25	6	300	150	85	150	12B	-
2SD368	三洋	SW	Si.TMe	1300	6	5A	50W(Tc=25℃)	150	8	102	水平偏向用
2SD369	东芝	PA	Si.DJ	80	10	10A	100W(Tc=25℃)	150	100	102	-
2SD370	东芝	-		110	-	8A	80W(Tc=25℃)	-		102	-
2SD371	东芝	PA	Si.TMe	100	5	6A	50W(Tc=25℃)	150	40-240	102	2SB531
2SD372	日电	SW	Si.TMe	150	6	30A	200W(Tc=25℃)	175	40	106	-
2SD373	日电	SW	Si.TMe	250	6	30A	200W(Tc=25℃)	175	40	106	-
2SD373A	日电	SW	Si.TMe	350	6	30A	200W(Tc=25℃)	175	30	106	-
2SD374	日电	SW	Si.TMe	450	6	30A	200W(Tc=25℃)	175	30	106	-
2SD375	日电	PA.SW	Si.TMe	150	7	10A	100W(Tc=25℃)	175	60	102	-
2SD376	日电	PA.SW	Si.TMe	250	7	10A	100W(Tc=25℃)	175	40	102	-
2SD376A	日电	PA.SW	Si.TMe	300	7	10A	100W(Tc=25℃)	175	50	102	-
2SD377	日电	PA.SW	Si.TMe	450	7	10A	100W(Tc=25℃)	175	30	102	-
2SD378	日电	PA.SW	Si.E	100	12	2A	1W	175	80	84B	-
2SD379	松下	PA	Si.EMe	80	5	5A	60W(Tc=75℃)	150	100	102	-
2SD380	松下	SW	Si.TMe	1500	5	5A	50W(Tc=75℃)	130	>5	102	水平偏向用
2SD380A	松下	PA	Si.Me	1500	5	5A	50W(Tc=25℃)	130	>7.5	102	-
2SD381	日电	PA	Si.E	130	5	1.5A	20W(Tc=25℃)	150	110	268	2SB536
2SD382	日电	PA	Si.E	130	5	1.5A	20W(Tc=25℃)	150	110	267	2SB537
2SD383	日立	PA	Si.T	300	6	5A	100W(Tc=25℃)	150	80	102	-
2SD384	新电元	PA.SW	Si.DJ达林顿	80	4	7A	30W(Tc=25℃)	150	5000	204	-
2SD385	新电元	PA.SW	Si.DJ达林顿	100	4	7A	30W(Tc=25℃)	150	5000	204	-
2SD386	三洋	PA	Si.TMe	200	6	2A	25W(Tc=25℃)	150	40-320	268	-
2SD386A	三洋	PA	Si.TP	200	6	2A	25W(Tc=25℃)	150	40-320	268	-
2SD387	三洋	PA	Si.TMe	200	6	2A	25W(Tc=25℃)	150	40-320	267	-
2SD387A	三洋	PA	Si.TP	200	6	2A	25W(Tc=25℃)	150	40-320	267	-
2SD388	日电	PA	Si.TP	150	7	8A	80W(Tc=25℃)	150	80	102	2SB541
2SD389	松下	PA	Si.DJ	60	8	4A	40W(Tc=25℃)	150	70	268	-
2SD389A	松下	PA	Si.DJ	80	8	4A	40W(Tc=25℃)	150	70	268	-
2SD390	松下	PA	Si.DJ	60	8	3A	25W(Tc=25℃)	150	70	267	-
2SD390A	松下	PA	Si.DJ	80	8	3A	25W(Tc=25℃)	150	70	267	-
2SD392	三菱	PA	Si.EP	20	5	300	300	125	150	138B	2SB542
2SD393	三菱	PA.SW	Si.EbMe	500	5	6A	100W(Tc=25℃)	150	7	102	-
2SD394	三菱	PA.SW	Si.EbMe	700	5	6A	100W(Tc=25℃)	150	7	102	-
2SD395	三菱	PA.SW	Si.EbMe	700	5	8A	100W(Tc=25℃)	150	8	102	-
2SD396	日立	PA.SW	Si.TMe	700	6	15A	125W(Tc=25℃)	150	30	102	-
2SD400	三洋	PA	Si.EP	25	5	1A	900	150	60-560	294	2SB544
晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅）（放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com 本站不保证资料完整性及正确性，您在使用或置换时要严格核对，本数据表仅供参考。

2SD系列三极管参数表及代换