2SD-晶体三极管资料-Transistor-

2SD-晶体三极管性能资料及互换

型号	制造厂Mnf.	用途App.	材料Type	最大额定值 (Ta=25℃)				结温	直流放大系数	封装外形	备注及替换
				VCBO	VEBO	Ic	Pc	Tj	hFE
				(V)	(V)	(mA)	(mW)	(℃)	hFE
2SD201	三垦	PA.SW	Si.DJ	90	6	6A	50W(Tc=25℃)	150	40	102	-
2SD202	三垦	PA.SW	Si.DJ	110	6	6A	50W(Tc=25℃)	150	40	102	-
2SD203	三垦	PA.SW	Si.DJ	130	6	6A	50W(Tc=25℃)	150	40	102	-
2SD204	日电	PA	Si.E	60	5	700	6W(Tc=25℃)	150	80	84B	-
2SD205	日电	PA	Si.E	60	5	700	1W	150	80	97B	-
2SD206	新电元	PA.SW	Si.DJ	50	8	10A	150W(Tc=25℃)	150	20	102	-
2SD206A	新电元	PA.SW	Si.DJ	50	8	10A	150W(Tc=25℃)	150	20	102	-
2SD207	新电元	PA.SW	Si.DJ	100	8	10A	150W(Tc=25℃)	150	20	102	-
2SD207A	新电元	PA.SW	Si.DJ	100	8	10A	150W(Tc=25℃)	150	20	102	-
2SD208	新电元	PA.SW	Si.DJ	150	8	10A	150W(Tc=25℃)	150	20	102	-
2SD208A	新电元	PA.SW	Si.DJ	150	8	10A	150W(Tc=25℃)	150	20	102	-
2SD211	三垦	PA.SW	Si.DJ	60	6	10A	100W(Tc=25℃)	150	30	102	-
2SD212	三垦	PA.SW	Si.DJ	90	6	1A	100W(Tc=25℃)	150	30	102	-
2SD213	三垦	PA.SW	Si.DJ	110	6	10A	100W(Tc=25℃)	150	30	102	-
2SD214	三垦	PA.SW	Si.DJ	130	6	10A	100W(Tc=25℃)	150	30	102	-
2SD215	富士通	PA	Si.DJ	40	5	1A	800	175	70	84B	-
2SD216	富士通	PA	Si.DJ	60	5	1A	800	175	70	84B	-
2SD217	日电	PA	Si.EMe	120	7	7A	60W(Tc=25℃)	150	60	102	2SA648
2SD218	日电	PA	Si.EMe	150	7	7A	60W(Tc=25℃)	150	60	102	2SA649
2SD219	三垦	PA.SW	Si.DJ	40	6	1A	500	150	80	84B	-
2SD220	三垦	PA.SW	Si.DJ	80	6	1A	500	150	80	84B	-
2SD221	三垦	PA.SW	Si.DJ	110	6	1A	500	150	80	84B	-
2SD222	三垦	PA.SW	Si.DJ	40	7	1.5A	10W(Tc=25℃)	150	80	97B	-
2SD223	三垦	PA.SW	Si.DJ	80	7	1.5A	10W(Tc-25℃)	150	60	97B	-
2SD224	三垦	PA.SW	Si.DJ	110	7	1.5A	10W(Tc=25℃)	150	40	97B	-
2SD226	松下	PA	Si.DJ	40	8	3A	25W(Tc=25℃)	150	50	99	-
2SD226A	松下	PA	Si.DJ	60	8	3A	25W(Tc=25℃)	150	50	99	-
2SD226B	松下	PA	Si.DJ	80	8	3A	25W(Tc=25℃)	150	50	99	-
2SD227	日电	PA	Si.E	30	5	300	250	125	150	138	2SA642
2SD228	日电	PA	Si.E	30	-	300	400	125	120	44	-
2SD231	富士通	SW.AF	Si.TMe	50	5	30A	125W(Tc=25℃)	175	25	102	-
2SD232	富士通	SW.AF	Si.TMe	120	7	30A	125W(Tc=25℃)	175	25	102	-
2SD232A	富士通	SW.AF	Si.TMe	160	7	30A	125W(Tc=25℃)	175	25	102	-
2SD234	东芝	PA	Si.T	60	10	3A	25W(Tc=25℃)	150	40-240	268	2SB434
2SD235	东芝	PA	Si.T	50	10	3A	25W(Tc=25℃)	150	40-240	268	2SB435
2SD236	三垦	PA.SW	Si.DJ	40	7	1A	10W(Tc=25℃)	150	80	99	-
2SD237	三垦	PA.SW	Si.DJ	80	7	1A	10W(Tc=25℃)	150	60	99	-
2SD238	三垦	PA.SW	Si.DJ	110	7	1A	10W(Tc=25℃)	150	40	99	-
2SD241	三垦	PA.SW	Si.DJ	60	7	4A	25W(Tc=25℃)	150	80	100	-
2SD242	三垦	PA.SW	Si.DJ	90	7	4A	25W(Tc=25℃)	150	80	100	-
2SD243	三垦	PA.SW	Si.DJ	110	7	4A	25W(Tc=25℃)	150	60	100	-
2SD244	三垦	PA.SW	Si.DJ	130	7	4A	25W(Tc=25℃)	150	60	100	-
2SD246	松下	PA.SW	Si.Me	1500	5	4.5A	16W(Tc=90℃)	115	>2	102	水平偏向桶
2SD247	芝电	PA	Si.TMe	80	5	5A	50W(Tc=25℃)	150	60	102	-
2SD249	富士通	PA.SW	Si.DJ	50	5	30A	125W(Tc=25℃)	175	10-75	102	-
2SD250	富士通	PA.SW	Si.DJ	100	7	30A	125W(Tc=25℃)	175	10-75	102	-
2SD251	富士通	SW.AF	Si.TMe	200	5	2A	30W(Tc=25℃)	175	100	99	-
2SD254	日电	PA	Si.EMe	70	5	3A	20W(Tc=25℃)	150	65	150	-
2SD255	日电	PA	Si.EMe	70	5	3A	20W(Tc=25℃)	150	65	134	2SA615
2SD256	三垦	PA.SW	Si.DJ	60	6	4A	25W(Tc=25℃)	150	80	99	-
2SD257	三垦	PA.SW	Si.DJ	90	6	4A	25W(Tc=25℃)	150	80	99	-
2SD258	三垦	PA.SW	Si.DJ	110	6	4A	25W(Tc=25℃)	150	80	99	-
2SD259	三垦	PA.SW	Si.DJ	130	6	4A	25W(Tc=25℃)	150	80	99	-
2SD260	芝电	PA	Si.TMe	100	5	5A	50W(Tc=25℃)	150	60	102	-
2SD261	日电	PA	Si.E	40	5	500	500	125	140	44	2SA643
2SD262	Sony	PA	Si.TMe	300	-	12A	125W(Tc=25℃)	150	50	102	-
2SD265	-	PA.SW	Si.T	800	10	6A	100W(Tc=25℃)	150	20	102	-
2SD266	-	PA.SW	Si.T	800	10	6A	100W(Tc=25℃)	150	40	102	-
2SD271	-	PA	Si.T	800	10	2A	30W(Tc=25℃)	150	20	100	-
2SD272	-	PA	Si.T	800	10	2A	30W(Tc=25℃)	150	40	100	-
2SD273	-	PA.SW	Si.T	800	10	5A	80W(Tc=25℃)	150	20	102	-
2SD274	-	PA.SW	Si.T	800	10	5A	80W(Tc=25℃)	150	40	102	-
2SD280	-			600	-	6A	100W	-	350-3000	TO-3	-
2SD283	日电	PA.SW	Si.E	120	5	5A	25W(Tc=25℃)	150	55	134	-
2SD284	日电	PA.SW	Si.E	120	5	5A	25W(Tc=25℃)	150	80	134	2SB550
2SD285	日电	PA.SW	Si.E	100	5	5A	25W(Tc=25℃)	150	40	134	-
2SD286	日电	PA	Si.TMe	180	7	10A	100W(Tc=25℃)	150	75	102	-
2SD287	日电	PA	Si.TMe	200	7	10A	100W(Tc=25℃)	150	75	102	-
2SD287A	日电	PA	Si.T	200	7	10A	100W(Tc=25℃)	150	80	102	2SB539A
2SD287B	日电	PA	Si.T	200	7	10A	100W(Tc=25℃)	150	80	102	2SB539B
2SD287C	日电	PA	Si.T	200	7	10A	100W(Tc=25℃)	150	80	102	2SB539C
2SD288	日电	PA	Si.T	80	5	3A	20W(Tc=25℃)	150	100	268	-
2SD289	日电	PA	Si.T	80	5	3A	20W(Tc=25℃)	150	100	267	-
2SD290	Sony	PA.SW	Si.TMe	80	-	5A	10W(Tc=25℃)	120	100	153	-
2SD291	Sony	RF.PA	Si.DJ	70	10	3A	18W(Tc=25℃)	150	100	153	-
2SD292	Sony	PA	Si.DJ	70	10	3A	18W(Tc=25℃)	150	100	153	-
2SD293	-	PA	Si.T	800	10	10A	125W(Tc=25℃)	150	20	102	-
2SD294	-	PA	Si.T	800	10	10A	125W(Tc=25℃)	150	40	102	-
2SD295	-	PA.SW	Si.T	800	10	30A	200W(Tc=25℃)	150	20	154	-
2SD296	-	PA.SW	Si.T	800	10	30A	200W(Tc=25℃)	150	40	154	-
2SD297	日电	PA.SW	Si.EMe	150	7	3A	25W(Tc=25℃)	150	70	134	-
2SD299	松下	PA.SW	Si.Me	1500	5	5A	16W(Tc=90℃)	115	>2	102	-
2SD300	松下	PA.SW	Si.Me	1500	5	5A	16W(Tc=90℃)	115	>3	102	水平偏向用
晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅）（放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com 本站不保证资料完整性及正确性，您在使用或置换时要严格核对，本数据表仅供参考。

2SD系列三极管参数表及代换