半导体制冷工作原理

七、反向偏压
(1) 现在如果我们把电池的正端接N而负端接P，则电子、电洞将受到E之吸引而远离接合面，空乏区增大，而不会有电子或电洞越过接合面产生接合，如下图(9)所示，此种外加电压之方式称为反向偏压。

        图(9)加上反向偏压E
(2) 当P-N接合面被加上反向偏压时，理想的情形应该没有反向电流(IR=0)才对，然而，由于温度的引响，热能在半导体中产生了少数的电子─电洞对，而于半导体中有少数载体存在。在P-N接合面被接上反向偏压时，N型半导体中的少数电洞和P 型半导体中的少数电子恰可以通过P-N接合面而结合，故实际的P-N接合再加上反向偏压时，会有一”极小”之电流存在。此电流称为漏电电流，在厂商的资料中多以IR表之。
[注] ：在实际应用时多将I R忽略,而不加以考虑。
(3) IR与反向偏压之大小无关，却与温度有关。无论或硅，每当温度升高10℃，IR就增加为原来的两倍。

八、崩溃 (Breakdown)
(1) 理想中，P-N接合加上反向偏压时，只流有一甚小且与电压无关之漏电电流IR.。但是当我们不断把反向电压加大时，少数载体将获得足够的能量而撞击、破坏共价键，而产生大量的电子一对洞对。此新生产之对子及电洞可从大反向偏压中获得足够的能量去破坏其它共价键，这种过程不断重复的结果，反向电流将大量增加，此种现象称为崩溃。
(2) P-N接合因被加上“过大”的反向电压而大量导电时，若不设法限制通过P-N接合之反向电流，则P-N接合将会烧毁。