场效应管测量方法-场效应管好坏的测量

绝缘栅型场效应管(MOSFET)除了放大能力稍弱，在导通电阻、开关速度、噪声及抗干扰能力等方面较双极型三极管均有着明显的优势。

其中的大多数场效应管管，尤其是功率型场效应管管，内部集成有完好的保护电路，使用起来与双极型三极管一样方便。不过，保护单元的存在却又使得场效应管内部结构变得更加复杂，测量方法也与传统双极型三极管差不多。

一、基本类型MOS管测试

　　MOS管内部的保护环节有多种类型，这就决定了测量过程存在着多样性，常见的NMOS管内部结构如图1、图2所示。

　　图1、图2所示NMOS管的D-S间均并联有一只寄生二极管(InternalDiode)。与图1稍有不同，图2所示NMOS管的G-S之间还设计了一只类似于双向稳压管的元件"保护二极管"，由于保护二极管的开启电压较高，用万用表一般无法测量出该二极管的单向导电性。因此，这两种管子的测量方法基本类似，具体测试步骤如下：

　1．MOS管栅极与漏、源两极之间绝缘阻值很高，因此在测试过程中G-D、G-S之间均表现出很高的电阻值。而寄生二极管的存在将使D、S两只管脚间表现出正反向阻值差异很大的现象。选择指针万用表的R×1kΩ挡，轮流测试任意两只管脚之间的电阻值。当指针出现较大幅度偏转时，与黑笔相接的管脚即为NMOS管的S极，与红笔相接的管脚为漏极D，剩余第3脚则为栅极G，如图3所示。

　2．短接G、D、S三只电极，泄放掉G-S极间等效结电容在前面测试过程中临时存储电荷所建立起的电压UGS。图2所示MOS管的G-s极间接有双向保护二极管，可跳过这一步。

　3．万用表电阻挡切换到的R×10kΩ挡(内置9V电池)后调零。将黑笔接漏极D、红笔接源极S，经过上一步的短接放电后，UGS降为0V，MOS管尚未导通，其D-S间电阻RDS为∞，故指针不会发生偏转，如图4所示。

　4．有以下两种方法能够对MOS管的质量与性能好坏作出准确的判断：第一种方法：

　　①用手指碰触G-D极，此时指针向右发生偏转，如图3所示。手指松开后，指针略微有一些摆动。

　　②用手指捏住G-S极，形成放电通道，此时指针缓慢回转至电阻∞的位置，如图6所示。

　　图2所示MOS管的G-S间接有保护二极管，手指撤离G-D极后即使不去接触G-S极，指针也将自动回到电阻∞的位置。值得注意的是，测试过程中手指不要接触与测试步骤不相关的管脚，包括与漏极D相连的散热片，避免后续测量过程中因万用表指针偏转异常而造成误判。第二种方法：

　　①用红笔接源极S，黑笔接栅极G，对G-S之间的等效结电容进行充电，此时可以忽略万用表指针的轻微偏转，如图7所示。