共基极(Common-Base Configuration)的基本放大电路,如图1所示,
图 1
主要应用在高频放大或振荡电路,其低输入阻抗及高输出阻抗的特性也可作阻抗匹配用。电路特性归纳如下:输入端(EB之间)为正向偏压,因此输入阻抗低(约20~200);输出端(CB之间)为反向偏压,因此输出阻抗高(约100k~1M)。
电流增益:
虽然AI小于1,但是RL / Ri很大,因此电压增益相当高。
功率增益,由于AI小于1,所以功率增益不大。
共发射极放大电路与特性
图2共发射极放大组态的简化电路共射极(Common-Emitter的放大电路,如图2所示。
图 2
因具有电流与电压放大增益,所以广泛应用在放大器电路。其电路特性归纳如下:
输入与输出阻抗中等(Ri约1k~5k ;RO约50k)。
输入与输出阻抗中等(Ri约1k~5k ;RO约50k)。
共集电极(Common-Collector)接法的放大电路,如图3所示,
图 3
高输入阻抗及低输出阻抗的特性可作阻抗匹配用,以改善电压信号的负载效应。其电路特性归纳如下:
输入阻抗高(Ri约20 k );输出阻抗低(RO约20 )。
输入阻抗高(Ri约20 k );输出阻抗低(RO约20 )。
三极管三种放大电路特性比较
晶体管接法 | 电流增益 | 电压增益 | 输入阻抗 | 输出阻抗 | 应用电路 |
共发射极 | β》1 | Aν>1 反相放大 |
中 | 中高 | 信号放大器 |
共基极 | α≤1 最小 |
Aν>1 最大 |
最低 | 最高 | 高频电路 高频响应好 |
共集电极 | γ>1 最大 |
Aν≤1 最小 |
最高 | 最低 | 阻抗匹配 射极跟随器 |
共发射极放大电路偏压
图4 自给偏压方式 此电路不稳定
又称为基极偏压电路
最简单的偏压电路
最简单的偏压电路
容易受β值的变动影响
温度每升高10°C时,逆向饱和电流ICO增加一倍温度每升高1°C时,基射电压VBE减少2.5mV
β随温度升高而增加(影响最大)
β随温度升高而增加(影响最大)
图5 射极加上电流反馈电阻 改善特性 自给偏压方式 但还是不太稳定
图6
此为标准低频信号放大原理图电路路,见图6,其R1(下拉电阻)及R2为三极管偏压电阻(这种偏压叫做分压式偏置)为三极管基极提供必要偏置电流,R3为负载电阻,R4为电流反馈电阻(改善特性),C3为旁路电容,C1及C3为三极管输入及输出隔直流电容(直流电受到阻碍),信号放大值则为R3/R4倍数.设计上注意:晶体三极管Ft值需高于信号放大值与工作频率相乘积,选择适当三极管集电极偏压、以避免大信号上下顶部失真,注意C1及C3的容量大小对低频信号(尤其是脉波)有影响.在R4并联一个C2,放大倍数就会变大。而在交流时C2将R4短路。
为什么要接入R1及R4?
因为三极管是一种对温度非常敏感的半导体器件,温度变化将导致集电极电流的明显改变。温度升高,集电极电流增大;温度降低,集电极电流减小。这将造成静态工作点的移动,有可能使输出信号产生失真。在实际电路中,要求流过R1和R2串联支路的电流远大于基极电流IB。这样温度变化引起的IB的变化,对基极电位就没有多大的影响了,就可以用R1和R2的分压来确定基极电位。采用分压偏置以后,基极电位提高,为了保证发射结压降正常,就要串入发射极电阻R4。
R4的串入有稳定工作点的作用。如果集电极电流随温度升高而增大,则发射极对地电位升高,因基极电位基本不变,故UBE减小。从输入特性曲线可知,UBE的减小基极电流将随之下降,根据三极管的电流控制原理,集电极电流将下降,反之亦然。这就在一定程度上稳定了工作点。分压偏置基本放大电路具有稳定工作点的作用,这个电路具有工作点稳定的特性。当流过R1和R2串联支路的电流远大于基极电流IB(一般大于十倍以上)时,可以用下列方法计算工作点的参数值
图7 PNP三极管共射放大电路 |