2SC三极管参数-

型号	制造厂Mnf	用途App.	材料Type	最大额定值 (Ta=25℃)				结温	直流放大系数	封装外形	备注及替换
				VCBO	VEBO	Ic	Pc	Tj	hFE
				(V)	(V)	(mA)	(mW)	(℃)	hFE
2SC1204	日立	RF.AF	Si.EP	30	-	100	310	125	250	37A	-
2SC1205	日立	RF.Mix.	Si.P	30	-	100	310	125	120	37A	-
2SC1206	三菱	RF.PA	Si.EP	45	4.5	1.7A	25W(Tc=25℃)	175	50	209	-
2SC1206A	三菱	PA	Si.EP	45	4.5	1.7A	25W(Tc=25℃)	175	50	209	-
2SC1206B	三菱	PA	Si.EP	45	4.5	2A	25W(Tc=25℃)	175	50	209	-
2SC1207	三菱	PA	Si.EP	45	4.5	3A	30W(Tc=25℃)	175	50	209	-
2SC1207A	三菱	PA	Si.EP	-						209	-
2SC1207B	三菱	PA	Si.EP	45	4	4A	50W(Tc=25℃)	175	-	209	-
2SC1208	三菱	PA	Si.EP	36	5	10A	60W(Tc=25℃)	175	50	127	-
2SC1208A	三菱	PA	Si.EP	36	5	10A	60W(Tc=25℃)	175	-	127	-
2SC1209	三菱	PA	Si.EP	25	4	700	500	125	100	138B	2SA695
2SC1210	三菱	PA	Si.EP	45	4	500	500	125	100	138B	2SA696
2SC1211	三菱	RF.PA	Si.EP	65	4	500	500	125	100	138	2SA697
2SC1212	日立	PA	Si.EPa	50	4	1A	8W(Tc=25℃)	150	60-200	160	2SA743
2SC1212A	日立	PA	Si.EPa	80	4	1A	8W(Tc=25℃)	150	60-200	160	2SA743A
2SC1213	日立	AF	Si.EPa	35	4	500	400	125	60-320	138	2SA673
2SC1213A	日立	AF	Si.EPa	50	4	500	400	125	60-320	138	2SA673A
2SC1214	日立	AF	Si.EPa	50	4	500	600	125	60-320	138	-
2SC1215	松下	AF	Si.EP	30	3	50	400	150	100	138	-
2SC1216	日电	SW	Si.E	40	5	200	300	150	140	49C	-
2SC1217	日电	RF.SW	Si.E	150	5	300	750	175	70	84B	2SA712
2SC1218	日电	RF.SW	Si.E	80	5	500	750	175	80	84B	-
2SC1219	富士通	RF	Si.EP	30	5	500	200	125	160	138	-
2SC1220	富士通	RF	Si.EP	50	5	500	200	125	160	138	-
2SC1222	日电	RF.LN	Si.E	60	5	100	250	125	500	138	2SA640
2SC1223	三菱	PA	Si.EP	30	4	500	800	175	70	84B	-
2SC1224	三菱	SW.PA	Si.EP	130	5	800	7W(Tc=25℃)	150	100	132	-
2SC1226	松下	PA	Si.EP	40	5	2A	10W(Tc=25℃)	150	120	161	2SA699
2SC1226A	松下	PA	Si.EPa	50	5	2A	10W(Tc=25℃)	150	120	161	2SA699A
2SC1227	富士通	SW	Si.TMe	300	5	10A	100W(Tc=25℃)	175	50	102	-
2SC1228	富士通	SW	Si.TMe	500	5	10A	100W(Tc=25℃)	175	15	102	-
2SC1229	富士通	SW	Si.TMe	250	5	10A	100W(Tc=25℃)	175	50	102	-
2SC1230	富士通	SW	Si.TMe	450	5	10A	100W(Tc=25℃)	175	15	102	-
2SC1231	富士通	SW	Si.E	20	4	200	300	175	60	49C	-
2SC1232	富士通	PA	Si.E	45	3.5	1A	12W(Tc=25℃)	175	50	133	-
2SC1233	富士通	PA	Si.E	45	3.5	2A	20W(Tc=25℃)	175	50	133	-
2SC1235	三洋	RF.PA	Si.T	300	4	100	6.5W(Tc=25℃)	150	30-160	99	-
2SC1236	东芝	LN	Si.EP	20	2	30	200	175	70	140	-
2SC1237	东芝	PA	Si.EMe	85	4	2A	10W(Tc=25℃)	150	40	268	-
2SC1238	三菱	PA	Si.EP	35	4	150	5W(Tc=25℃)	175	50	312	-
2SC1239	三菱	PA	Si.EP	80	4.5	4A	12.5W(Tc=25℃)	175	50	97B	-
2SC1240	三菱	RF	Si.EP	40	3	50	350	175	70	138B	-
2SC1241	东芝	PA	Si.EP	40	4	1.5A	10W(Tc=25℃)	175	>10	135	-
2SC1241A	东芝	PA	Si.EP	35	3.5	2A	20W(Tc=25℃)	175	50	135	-
2SC1242	东芝	PA	Si.EP	40	4	3A	20W(Tc=25℃)	175	>10	135	-
2SC1242A	东芝	PA	Si.EP	35	3.5	4.5A	20W(Tc=25℃)	175	40	135	-
2SC1243	三菱	SW.PA	Si.EP	25	5	1.5A	7W(Tc=25C)	150	100	132	2SA703
2SC1244	三菱	SW	Si.EP	30	4	50	200	125	60	138B	-
2SC1246	富士通	RF	Si.EP	30	5	500	500	175	60-500	138	-
2SC1247	富士通	RF	Si.EP	50	5	500	500	175	60-500	138	-
2SC1247A	富士通	AF.PA	Si.EP	50	5	500	500	150	160	138	-
2SC1248	日电	LN	Si.E	20	3	30	300	150	100	145	-
2SC1249	日电	RF	Si.E	45	3	300	2.8W 50x50x1	150	80	146A	-
2SC1250	日电	RF	Si.E	45	3	300	2.8W 50x50x1	150	80	146B	-
2SC1251	日电	RF	Si.E	45	3	300	7W(Tc=25℃)	200	20-200	129	-
2SC1252	日电	RF	Si.E	45	3	300	800	200	20-200	84B	-
2SC1253	日电	RF	Si.E	45	3	300	800	200	20-200	84B	-
2SC1254	日电	RF	Si.E	45	4	30	250	200	100	50C	-
２SC1255	日电	RF	Si.E	30	3	100	3.5W(Tc=25℃)	200	100	129	-
2SC1256	日电	PA	Si.E	36	4	800	5.5W(Tc=25℃)	200	50	84C	-
2SC1257	日电	PA	Si.E	36	4	1.5A	14W(Tc=25℃)	200	50	184	-
2SC1258	日电	PA	Si.E	36	4	3A	28W(Tc=25℃)	200	50	184	-
2SC1259	日电	PA	Si.E	36	4	6A	58.3W(Tc=25℃)	200	50	149	-
2SC1260	日电	RF	Si.E	45	4	30	250	200	40-200	50C	-
2SC1261	富士通	LN	Si.EP	20	3	20	300	150	100	147	-
2SC1262	富士通	RF	Si.EP	45	3	300	2.8W 50x50x1	150	80	148	-
2SC1263	富士通	RF	Si.E	45	3	300	2.8W 50x50x1	150	80	148	-
2SC1264	富士通	RF	Si.E	30	3	100	400	150	100	147	-
2SC1265	日电	Diff	Si.E	20	3	50	300	175	100	189	-
2SC1266	日电	SW	Si.E	100	5.5	1.5A	2W	175	60	83	-
2SC1267	日电	RF	Si.E	45	3	300	7W(Tc=25℃)	200	80	129	-
2SC1268	日电	RF	Si.E	20	3	50	250	200	100	190	-
2SC1269	日电	RF	Si.E	20	3	50	250	200	100	190	-
2SC1270	日电	RF	Si.E	20	3	50	250	200	100	190	-
2SC1271	日电	RF	Si.E	20	3	30	250	200	100	190	-
2SC1271A	日电	RF	Si.E	20	3	30	250	200	100	190	-
2SC1272	日电	RF	Si.E	20	3	100	1W	200	80	190	-
2SC1273	日电	RF	Si.E	20	3	100	1W(Tc=25C)	175	80	190	-
2SC1274	日电	SW	Si.E	40	5	300	300	175	70	49C	-
2SC1275	日电	RF	Si.E	30	3	50	250	200	80	50C	-
2SC1276	日电	RF.SW	Si.E	40	5	100	200	125	120	138	-
2SC1277	日电	RF	Si.E	60	5	500	250	125	140	138	-
2SC1278	日电	RF.SW	Si.E	150	5	50	250	125	120	138	-
2SC1279	日电	RF.SW	Si.E	180	5	50	250	125	120	138	-
2SC1280	日电	RF	达林顿	15	10	300	250	125	20,000	138	-
2SC1280A	日电	RF	Si.E	40	10	300	250	125	30,000	138	-
2SC1281	冲	RF	Si.P	20	5	20	300	175	200	49C	-
2SC1282	冲	RF	"	70	5	20	300	175	73	49C	-
2SC1283	冲	RF	"	110	5	20	300	175	73	49C	-
2SC1284	三洋	Osc	Si.EP	30	3	50	200	125	25-200	138	-
2SC1285	三洋	RF.AF	Si	40	5	100	200	125	200	138	-
2SC1288	冲	RF.SW	Si.EP	7	3	60	200	175	50	144	-
2SC1290	冲	PA	Si.EP	40	3	200	750	175	70	84B	-
2SC1292	三菱	PA.SW	Si.EMe	300	5	2.5A	80W(Tc=25℃)	150	25	102	-
2SC1293	三洋	RF	Si.EP	25	3	50	300	125	15-120	138	-
2SC1295	三洋	PA	Si.TMe	1000	7	2A	40W(Tc=25℃)	150	-	102	-
2SC1296	三洋	SW	Si.T	1300	6	5A	50W(Tc=25℃)	150	>4	102	-
2SC1297	日电	PA	Si.E	50	4	3.5A	50W(Tc=25℃)	175	50	149	-
2SC1298	日电	PA	Si.E	50	4	5A	80W(Tc=25℃)	175	50	149	-
2SC1299	富士通	SW	Si.TMe	300	5	30A	200W(Tc=25℃)	175	40	191	-
2SC1300	富士通	SW	Si.TMe	500	5	30A	200W(Tc=25℃)	175	25	191	-
晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅）（放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com 本站不保证资料完整性及正确性，您在使用或置换时要严格核对，本数据表仅供参考。

2SC1001-2SC2000三极管参数表