2SC三极管参数-

型号	制造厂Mnf	用途App.	材料Type	最大额定值 (Ta=25℃)				结温	直流放大系数	封装外形	备注及替换
				VCBO	VEBO	Ic	Pc	Tj	hFE
				(V)	(V)	(mA)	(mW)	(℃)	hFE
2SC1901	富士通	RF	Si.EP	25	3	20	200	175	150	84C	-
2SC1902	富士通	RF	Si.EP	40	3	300	500	175	80	84C	-
2SC1903	富士通	AF.RF	Si.EP	150	5	50	1W	150	150	328	-
2SC1904	富士通	AF.RF	Si.EP	150	5	50	1W	150	150	328	-
2SC1905	松下	PA	Si.TP	350	7	200	15W(Tc=25℃)	150	100	268	-
2SC1906	日立	RF.Conv.	Si.EP	30	2	50	300	150	>40	138	-
2SC1907	日立	Osc.RF	Si.EP	30	2	50	300	150	>40	138	-
2SC1908	Sony	RF	Si.E	30	4	30	500	120	80	138	2SA925
2SC1909	日电	PA	Si.E	75	4	3A	10W(Tc=25℃)	150	60	268	-
2SC1910	东芝	Diff	Si.EP	15	2	80	200/unit	175	75	282A	-
2SC1911	东芝	Diff	Si.EP	20	2	30	150/unit	175	80	282A	-
2SC1912	东芝	Diff	Si.EP	20	2	30	150/unit	175	80	282B	-
2SC1913	松下	RF	Si.EP	150	5	1A	15W(Tc=25℃)	150	150	268	2SA913
2SC1913A	松下	PA	Si.E	180	5	1A	15W(Tc=25℃)	150	65-330	268	2SA913A
2SC1914	三菱	AF.RF	Si.EP	90	5	50	200	125	250-1200	138B	-
2SC1914A	三菱	AF.RF	Si.EP	120	5	50	200	125	250-800	138B	-
2SC1915	三菱	AF.RF	Si.EP	120	5	50	800	135	150-800	242	2SA905
2SC1916	三菱	RF.AF.LN	Si.EP	50	5	100	200	125	500	138	-
2SC1917	三菱	RF.AF.LN	Si.EP	35	5	100	200	125	500	138	-
2SC1918	三菱	RF.AF	Si.EP	35	5	100	200	125	500	138	-
2SC1919	三菱	LN	Si.EP	50	5	30	200	125	250-1200	138B	-
2SC1920	东芝	Diff	Si.EP	15	2	80	200/unit	175	75	282B	-
2SC1921	日立	RF	Si.T	250	5	50	600	150	30-300	251	-
2SC1922	日立	SW	Si.T	1500	6	2.5A	50W(Tc=25℃)	150	-	102	水平偏向用
2SC1923	东芝	RF.Conv.	Si.EP	40	4	20	100	125	40-200	138	-
2SC1924	日电	DifF.SW	Si.E	20	3	50	300	200	30-300	309B	2只复合管
2SC1925	日电	DifF.SW	Si.E	20	3	50	300	200	30-300	309A	2只复合管
2SC1926	日电	DifF.SW	Si.E	30	3	50	200/unit	200	80	309B	2只复合管
2SC1927	日电	DifF.SW	Si.E	30	3	50	300	200	80	309A	2只复合管
2SC1928	Sony	RF	Si.E	50	25	50	315	120	400	38	-
2SC1929	松下	PA	Si.P	300	6	400	25W(Tc=25℃)	150	150	268	-
2SC1930	富士通	RF	Si.EP	16	3	30	150	175	80	284	-
2SC1930A	富士通	RF	Si.EP	16	3	30	150	175	80	284	-
2SC1931	富士通	Diff	Si.EP	16	3	30	150/unit	175	80	263	-
2SC1932	富士通	Diff	Si.EP	16	3	30	200/unit	175	80	264A	-
2SC1933	富士通	Diff	Si.EP	15	3	40	200/unit	175	80	263	-
2SC1934	富士通	Diff	Si.EP	20	3	80	500/unit	175	80	285	-
2SC1935	富士通	RF	Si.EP	15	3	30	250	175	80	284	-
2SC1936	富士通	Diff	Si.EP	15	3	30	200/unit	175	80	263	-
2SC1937	富士通	RF	Si.EP	15	3	70	300	175	80	284	-
2SC1938	富士通	Diff	Si.EP	15	3	30	200/unit	175	80	264B	-
2SC1939	富士通	Diff	Si.EP	15	3	30	200/unit	175	80	264A	-
2SC1940	日电	PA	Si.E	120	5	50	1W	150	200	278	2SA915
2SC1941	日电	PA	Si.E	160	5	50	1W	150	200	278	2SA916
2SC1942	日立	SW	Si.T	1500	6	3A	50W(Tc=25℃)	150	-	102	水平偏向用
2SC1943	三菱	PA	Si.EP	35	4	400	3W(Tc=25℃)	175	50	255	-
2SC1944	三菱	PA	Si.EP	80	5	6A	20W(Tc=25℃)	150	50	301B	-
2SC1945	三菱	PA	Si.EP	80	5	6A	20W(Tc=25℃)	150	50	301A	-
2SC1946	三菱	PA	Si.EP	35	4	7A	50W(Tc=25℃)	175	50	272	-
2SC1946A	三菱	RF.PA	Si.EP	35	4	7A	50W(Tc=25℃)	175	50	272	-
2SC1947	三菱	PA	Si.EP	35	4	1A	10W(Tc=25℃)	175	50	84B	-
2SC1948	日电	RF.LN	Si.E	15	3	20	150	200	80	339	-
2SC1949	日电	RF.LN	Si.E	30	3	130	580	200	100	306	-
2SC1950	日电	RF.PA	Si.E	28	3	200	5W(Tc=25℃)	200	40	311	-
2SC1951	Sony	RF	Si.E	120	5	100	750	120	150	259	2SA917
2SC1952	日电	RF.LN	Si.E	45	3	300	800	200	80	84B	-
2SC1953	松下	AF.PA	Si.EP	150	5	100	1W	150	65-450	222	2SA914
2SC1954	富士通	RF	Si.EP	25	3	150	450	150	100	138	-
2SC1955	东芝	PA	Si.EP	35	3.5	800	7.5W(Tc=25℃)	175	>10	84B	-
2SC1956	东芝	PA	Si.EP	35	3.5	3.5A	35W(Tc=25℃)	175	50	135	-
2SC1957	日电	PA	Si.E	75	4	1A	750	150	90	225	-
2SC1959	东芝	AF.SW	Si.E	35	5	500	500	150	70-240	138	2SA562
2SC1960	富士通	SW	Si.EP	20	4	200	uJ0	150	60	275	-
2SC1961	Sony	RF	Si.E	35	3	25	300	100	100	138C	-
2SC1962	Sony	PA	Si.EPa	200	8	500	1950	120	70-350	174	-
2SC1963	Sony	RF	Si.PaMe	25	6	200	270	120	300	277	2只复合管
2SC1964	三菱	PA	Si.EP	80	4	3.5A	12.5W(Tc=25℃)	150	50	301B	-
2SC1965	三菱	PA	Si.EP	35	4	1A	15W(Tc=25℃)	175	50	97B	-
2SC1965A	三菱	PA	Si.E	40	4	2A	15W(Tc=25℃)	175	50	97B	-･ケ-ス接续
2SC1966	三菱	PA	Si.EP	35	3.5	1A	10W(Tc=25℃)	175	50	272	-
2SC1967	三菱	PA	Si.EP	35	4	2A	20W(Tc=25℃)	175	50	272	-
2SC1968	三菱	PA	Si.EP	35	4	5A	40W(Tc=25℃)	175	50	272	-
2SC1968A	三菱	PA	Si.EP	35	4	5A	40W(Tc=25℃)	175	50	272	-
2SC1969	三菱	PA	Si.EP	60	5	6A	20W(Tc=25℃)	150	50	301B	-
2SC1970	三菱	PA	Si.EP	40	4	600	5W(Tc=25℃)	150	50	301B	-
2SC1971	三菱	PA	Si.EP	35	4	2A	12.5W(Tc=25℃)	150	50	301A	-
2SC1972	三菱	PA	Si.EP	35	4	3.5A	25W(Tc=25℃)	150	50	301A	-
2SC1973	松下	RF.PA	Si.EP	55	4	500	1W	150	20-200	165	-
2SC1974	松下	PA	Si.EP	80	4	2A	15W(Tc=25℃)	150	60	268	-
2SC1975	松下	PA	Si.EP	120	5	2A	15W(Tc=25℃)	150	100	268	-
2SC1976	松下	RF.PA	Si.EP	36	4	ICM 500	750	135	70	165	-
2SC1977	松下	RF.PA	Si.EP	36	4	ICM 1A	5W(Tc=25℃)	150	50	222	-
2SC1978	松下	RF.PA	Si.EP	36	4	ICM 1.5A	15W(Tc=25℃)	150	80	268A	-
2SC1980	松下	LN	Si.EP	120	5	50	150	125	260-1040	138	2SA921
2SC1981	Sony	AF.SW	Si.E	50	30	100	300	120	500-2000	49C	-
2SC1982	Sony	RF	Si.PaMe	140	6	1A	625	150	120	181	-
2SC1983	三垦	PA	Si.TMe	80	6	3A	30W(Tc=25℃)	150	700	298	-
2SC1984	三垦	PA	Si.TMe	100	6	3A	30W(Tc=25℃)	150	700	298	-
2SC1985	三垦	PA	Si.TMe	80	6	6A	40W(Tc=25℃)	150	100	298	2SA770
2SC1986	三垦	PA	Si.TMe	100	6	6A	40W(Tc=25℃)	150	100	298	2SA771
2SC1987	日立	PA	Si.T	300	10	6A	50W(Tc=25℃)	150	50	153	-
2SC1988	日电	RF	Si.E	25	3	70	350	200	70	50C	-
2SC1989	松下	RF	Si.EP	30	3	30	150	125	100	138	-
2SC1990	松下	RF	Si.EP	30	3	15	150	125	100	138	-
2SC1991	日电	RF	Si.E	60	5	100	625	150	170	138D	-
2SC1992	日电	RF.AF	Si.E	50	6	100	300	150	235	138F	-
2SC1993	日电	RF.AF	Si.E	30	5	100	300	150	290	138F	-
2SC1994	日电	RF.AF.LN	Si.E	45	5	100	300	150	380	138F	-
2SC1995	日电	RF.AF.LN	Si.E	50	5	100	300	150	380	138F	-
2SC1996	日电	RF	Si.E	50	5	800	625	150	200	138F	-
2SC1997	日电	RF	Si.E	30	5	800	625	150	200	138F	-
2SC1998	日电	RF.AF	Si.E	80	6	100	500	150	140	138	-
2SC1999	日电	RF.AF	Si.E	50	6	100	500	150	140	138	-
2SC2000	日电	RF	Si.E	60	5	200	600	150	90	138	-
晶体管参数表说明：（材料：Ge锗，Si硅）（放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com 本站不保证资料完整性及正确性，您在使用或置换时要严格核对，本数据表仅供参考。

2SC1001-2SC2000三极管参数表