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2SC1001-2SC2000三极管参数表

发布时间：2009-02-12 14:32:58  来源：资料室  作者：  更新20260619 001450

型号 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC1703 - - - 600 - 15A 150W - 100 - -
2SC1706 日立 SW Si.T 200 5 50 200 175 30-300 49C -
2SC1707 日立 AF.SW Si.E 40 5 100 200 175 100-500 49C -
2SC1707A 日立 AF.SW Si.E 70 5 100 200 175 100-200 49C -
2SC1708 三菱 AF.LN.RF Si.EP 90 5 50 200 125 250-1200 138B 2SA847
2SC1708A 三菱 AF.LN.RF Si.EP 120 5 50 200 125 250-800 138B 2SA847A
2SC1709 富士通 SW Si.EP 30 5 300 300 150 60 275 -
2SC1710 富士通 RF Si.EP 15 3 130 1W(Tc=25℃) 175 80 261 -
2SC1711 富士通 LN Si.EP 20 3 30 200 175 80 262 -
2SC1711A 富士通 RF Si.EP 20 3 30 200 175 80 262 -
2SC1712 富士通 RF Si.EP 16 3 30 200 175 80 262 -
2SC1713 富士通 Diff Si.EP 16 3 30 200 175 80 263 -
2SC1714 富士通 Diff Si.EP 16 3 30 200 175 80 264A -
2SC1715 富士通 Diff Si.EP 16 3 30 200 175 80 264B -
2SC1716 富士通 Diff Si.EP 16 3 30 200 175 80 264A -
2SC1717 东芝 PA Si.EP 40 4 1A 10W(Tc=25℃) 175 50 97C -
2SC1718 东芝 PA Si.EP 35 3.5 4.5A 30W(Tc=25℃) 175 50 135 -
2SC1719 富士通 RF Si.EP 150 5 50 1W 175 35-500 90 -
2SC1720 富士通 RF Si.EP 150 5 50 1W 175 35-500 90 -
2SC1721 富士通 RF Si.EP 80 5 1A 500 150 35-200 type:70 138 -
2SC1722 日立 PA Si.T 300 5 200 12.5W(Tc=25℃) 150 50-300 268 -
2SC1723 日立 PA Si.T 300 5 200 15W(Tc=25℃) 150 40-200 268 -
2SC1724 东芝 PA Si.EP 35 3.5 800 7.5W(Tc=25℃) 175 100 135 -
2SC1725 东芝 PA Si.EP 35 3.5 1.4A 15W(Tc=25℃) 175 100 135 -
2SC1726 东芝 PA Si.EP 35 3.5 2.8A 30W(Tc=25℃) 175 100 135 -
2SC1727 Sony RF.Conv. Si.E 35 3 25 300 100 50-350 138C AGC
2SC1728 Sony RF.PA Si.E 100 6 1A 950 120 250 174 -
2SC1729 三菱 PA Si.EP 35 4 3.5A 35W(Tc=25℃) 175 50 272 -
2SC1730 日电 Osc.Mix Si.E 30 5 50 250 125 100 138 -
2SC1731 日电 Diff.SW Si.E 20 3 50 300 200 30-300 309A 2只复合管
2SC1732 日电 Diff.SW Si.E 20 3 50/unit 200/unit 200 30100 309A 2只复合管
2SC1733 日电 Diff. Si.E 30 3 50 300 200 80 310 2只复合管
2SC1734 日立 LN Si.E 40 6 30 100 150 160-500 49C -
2SC1735 三菱 AF.Drive Si.E 100 4 500 800 125 50-300 242 2SA850
2SC1736 三菱 RF.AF Si.EP 50 6 100 500 125 400 138F -
2SC1737 三菱 RF.AF Si.EP 35 6 100 500 125 500 138F -
2SC1738 三菱 RF.AF.LN Si.EP 35 6 100 500 125 600 138F -
2SC1739 ROHM RF.AF Si.EP 20 4 32 250 125 180 138 -
2SC1740 ROHM AF.RF.Osc.SW Si.EP 50 5 100 300 125 120-820 138 2SA933
2SC1741 ROHM AF.SW Si.EP 40 5 500 400 125 82-390 138 2SA854
2SC1741A ROHM AF Si.EP 50 5 500 400 125 82-390 138 -
2SC1742 东芝 LN Si.EP 20 2 30 150 175 120 237 -
2SC1743 东芝 LN Si.EP 20 3 30 175 175 70 280 -
2SC1744 东芝 PA Si.EP 35 3.5 10A 70W(Tc=25℃) 175 50 193 -
2SC1745 东芝 RF.LN Si.EP 60 5 50 150 150 450 49C -
2SC1746 东芝 RF.LN Si.EP 50 5 50 150 150 450 49C -
2SC1746A 东芝 RF.LN Si.EP 50 5 50 150 150 450 49C -
2SC1747 日立 RF Si.EPa 40 3 100 300 175 25-250 50C -
2SC1748 日电 SW Si.T 300 7 100 800 150 60 84C -
2SC1749 三菱 PA Si.TP 300 5 100 10W(Tc=25℃) 150 130 180 -
2SC1752 摩托罗拉 RF Si.E 300 6 500 625 150 125 138D -
2SC1753 摩托罗拉 RF Si.E 200 6 500 625 150 125 138D -
2SC1754 摩托罗拉 RF Si.E 40 12 500 625 150 100k 138 -
2SC1755 三洋 PA Si.TP 300 7 200 15W(Tc=25℃) 150 40-200 268 -
2SC1756 三洋 PA Si.TP 300 7 200 15W(Tc=25℃) 150 40-200 300 -
2SC1757 三洋 PA Si.TP 300 7 200 15W(Tc=25℃) 150 40-200 267 -
2SC1758 日电 RF Si.T 300 7 100 10W(Tc=25℃) 150 120 104 -
2SC1760 Sony RF.PA Si.E 100 6 1A 950 - 250 174B -
2SC1761 Sony RF.PA Si.E 20 6 2A 950 120 320 174B 2SA861
2SC1762 Sony SW Si.T 700 12 300 470 150 50 181 2SA911
2SC1763 东芝 PA Si.EP 65 4 7A 80W(Tc=25℃) 175 >10 281 -
2SC1764 东芝 PA Si.EP 65 4 12A 140W(Tc=25℃) 175 >10 281 -
2SC1765 东芝 PA Si.EP 35 3.5 800 7.5W(Tc=25℃) 175 >10 97C -
2SC1766 日立 AF Si.EPa 30 15 100 310 125 600 138D 2SA1033
2SC1768 三垦 PA Si.TMe 200 6 5A 50W(Tc=25℃) 150 1000 102 -
2SC1769 新日无 RF.LN Si.EP 30 5 50 200 125 250 138D -
2SC1770 新日无 RF.AF Si.EP 30 5 200 300 125 250 138D -
2SC1771 新日无 RF Si.EP 60 5 200 300 125 250 138D -
2SC1772 新日无 RF Si.EP 95 5 50 300 125 250 138 -
2SC1773 新日无 RF Si.EP 30 5 400 500 125 200 138D -
2SC1774 新日无 RF Si.EP 60 5 400 500 125 200 138D -
2SC1775 日立 RF Si.E 90 5 50 300 125 400-1200 138 2SA872
2SC1775A 日立 RF Si.E 120 5 50 300 125 400-1200 138 2SA872A
2SC1776 富士通 RF Si.EP 60 6 200 300 150 150 275 -
2SC1777 三垦 PA Si.EMe 70 6 6A 50W(Tc=25℃) 150 60 102 -
2SC1778 松下 RF.Conv.Osc Si.P 25 3 15 400 150 50 138E -
2SC1779 松下 RF Si.P 30 3 20 400 150 50 138E AGC
2SC1780 松下 RF Si.EP 25 3 15 150 125 50 278 -
2SC1781 日立 RF Si.E 70 5 500 350 175 80-240 49C -
2SC1782 三垦 PA Si.TMe 140 6 10A 100W(Tc=25℃) 150 60 102 -
2SC1783 三垦 PA Si.TMe 180 6 10A 100W(Tc=25℃) 150 60 102 -
2SC1784 三垦 PA Si.TMe 150 6 15A 100W(Tc=25℃) 150 20 102 -
2SC1785 三垦 PA Si.TMe 200 6 15A 100W(Tc=25℃) 150 20 102 -
2SC1786 三垦 PA Si.TMe 230 6 15A 100W(Tc=25℃) 150 20 102 -
2SC1787 松下 RF.LN Si.EP 35 5 30 150 125 540 276 2SA880
2SC1788 松下 PA Si.EP 25 7 500 625 150 160 138 2SA1128
2SC1789 松下 RF.Mix. Si.EP 25 3 50 400 150 100 138 -
2SC1790 日电 RF Si.EP 25 3 15 150 175 50 50C -
2SC1791 日电 PA Si.E 45 4 1A 11W(Tc=25℃) 200 60 184 -
2SC1792 日电 PA Si.E 45 4 2A 22W(Tc=25℃) 200 60 184 -
2SC1793 - 45 - 4A 42W 175 15-250 StX-M4 -
2SC1797 日电 PA Si.E 50 3.5 300 6W(Tc=25℃) 200 60 118B -
2SC1798 日电 PA Si.E 50 3.5 1A 11.6W(Tc=25℃) 200 60 118B -
2SC1799 日电 PA Si.E 50 3.5 2A 19.5W(Tc=25℃) 200 60 118B -
2SC1800 日电 PA Si.E 50 3.5 3A 29W(Tc=25℃) 200 60 118B -

晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
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