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2SC1001-2SC2000三极管参数表

发布时间：2009-02-12 14:32:58  来源：资料室  作者：  更新20260613 081816

型号 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC1801 新日无 RF Si.EP 30 3 30 150 125 60 138D -
2SC1802 新日无 RF Si.EP 30 3 20 150 125 60 138 -
2SC1803 日电 RF.LN Si.E 30 3 130 580 200 100 306 -
2SC1804 三菱 PA Si.EP 47 4 1A 10W(Tc=25℃) 175 50 273 -
2SC1805 三菱 PA Si.EP 45 4 2A 30W(Tc=25℃) 175 50 273 -
2SC1806 三菱 PA Si.EP 45 4 4A 50W(Tc=25℃) 175 50 273 -
2SC1807 三菱 RF.PA Si.EP 18 4 0.1A 300 175 10-180 50C -
2SC1808 三菱 RF.PA Si.EP 35 3.5 1A 10W(Tc=25℃) 175 10-180 312 -
2SC1809 ROHM RF.Mix.Osc.Conv Si.EP 25 4 20 150 125 39-180 138 -
2SC1810 Sony PA Si.T 700 12 300 950 120 50 174B -
2SC1811 Sony RF Si.E 240 5 100 750 120 150 259 2SA896
2SC1812 Sony RF Si.E 22 3 20 210 100 80 305A AGC
2SC1813 Sony RF Si.E PaMe 50 5 500 500 120 200 138D -
2SC1814 东芝 RF Si.E PaMe - - -
2SC1815 东芝 AF Si.E 60 5 150 400 125 70-700 138 2SA1015
2SC1816 Sony RF.PA Si.E 100 6 4A 16W(Tc=25℃) 150 100 268 -
2SC1817 Sony PA Si.E 45 4 5A 25W(Tc=25℃) 150 60 268 -
2SC1818 松下 PA Si.EMe 130 5 7A 100W(Tc=25℃) 150 150 102 -
2SC1819 松下 PA Si.TP 300 5 100 15W(Tc=25℃) 150 100 268 -
2SC1820 富士通 RF.PA Si.EP 55 3.5 500 3W(Tc=25℃) 175 50 84B -
2SC1821 富士通 RF.PA Si.EP 55 3.5 500 7W(Tc=25℃) 175 50 246 -
2SC1822 富士通 RF.PA Si.EP 55 3.5 1A 12W(Tc=25℃) 175 50 246 -
2SC1823 富士通 RF.PA Si.EP 55 3.5 2A 25W(Tc=25℃) 175 50 246 -
2SC1824 富士通 RF.PA Si.EP 55 3.5 4A 40W(Tc=25℃) 175 50 246 -
2SC1825 富士通 RF.PA Si.EP 55 3.5 8A 75W(Tc=25℃) 175 50 329 -
2SC1826 三垦 PA Si.TMe 80 6 4A 30W(Tc=25℃) 150 100 298 -
2SC1827 三垦 PA Si.TMe 100 6 4A 30W(Tc=25℃) 150 100 298 -
2SC1828 三垦 PA Si.TMe 800 6 1A 40W(Tc=25℃) 150 70 99 -
2SC1829 三垦 PA Si.TMe 200 6 5A 100W(Tc=25℃) 150 1000 102 -
2SC1830 三垦 PA Si.TMe 140 7 15A 150W(Tc=25℃) 150 >500 102 达林顿
2SC1831 三垦 PA Si.TMe 90 6 8A 100W(Tc=25℃) 150 1000 102 达林顿
2SC1832 三垦 PA Si.TMe 500 6 15A 150W(Tc=25℃) 150 300 102 达林顿
2SC1833 日电 RF.SW Si.E 60 8 200 300 150 160 138 -
2SC1834 日电 RF.SW Si.E 40 5 200 300 150 120 138 -
2SC1835 - 25 - 1A 8W 175 180 - -
2SC1836 - 25 - 5A 30W 175 180 - -
2SC1837 富士通 PA Si.EP 35 3.5 600 7.5W(Tc=25℃) 175 50 166 -
2SC1838 富士通 PA Si.EP 35 3.5 1.5A 15W(Tc=25℃) 175 50 166 -
2SC1840 日电 AF Si.E 40 5 100 500 125 400 138 -
2SC1841 日电 AF Si.E 120 5 50 500 125 600 138 -
2SC1842 日电 RF.LN Si.E 40 - 100 250 125 500 138 -
2SC1843 日电 RF.LN Si.E 60 - 100 250 125 400 138 -
2SC1844 日电 AF.LN Si.E 60 5 100 500 125 400 138 2SA991
2SC1845 日电 AF.LN Si.E 120 5 50 500 125 600 138 2SA992
2SC1846 松下 PA Si.EP 45 5 1A 1.2W 150 160 222 2SA885
2SC1847 松下 PA Si.EP 50 5 1.5A 1.2W 150 120 222 2SA886
2SC1848 松下 PA Si.EP 70 5 2A 1.2W 150 130 161 2SA887
2SC1849 松下 RF.AF Si.EP 30 5 100 350 135 250 138D -
2SC1850 松下 RF.AF Si.EP 60 5 100 350 135 250 138D -
2SC1851 松下 PA Si.EP 30 5 500 625 135 160 138D 2SA890
2SC1852 松下 PA Si.EP 60 5 500 625 135 160 138D 2SA891
2SC1853 松下 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 30 5 30 250 125 250 138 -
2SC1854 松下 RF.AF Si.EP 30 5 50 250 125 200 138 -
2SC1855 日立 RF Si.Pa 20 3 20 250 150 20-200 138C AGC
2SC1856 日立 RF Si.Pa 20 3 20 250 150 20-200 138C AGC
2SC1857 日立 RF Si.T 300 5 100 800 150 100 84B -
2SC1859 Sony RF Si.E PaMe 25 5 1.5A 500 120 180 138 -
2SC1860 日电 SW Si.E 150 7 2A 800 150 70 84B -
2SC1861 日电 SW Si.E 300 7 2A 800 150 60 84B -
2SC1862 日电 SW Si.T 450 7 2A 800 150 40 84B -
2SC1863 日电 SW Si.EMe 150 7 7A 40W(Tc=25℃) 150 >20 134 -
2SC1864 日电 SW Si.EMe 300 7 7A 40W(Tc=25℃) 150 >20 134 -
2SC1864A 日电 SW Si.EMe 300 7 7A 40W(Tc=25℃) 150 30 134 -
2SC1865 日电 SW Si.TMe 450 7 7A 40W(Tc=25℃) 150 >15 134 -
2SC1866 日电 SW Si.TMe 150 7 7A 80W(Tc=25℃) 150 >20 102 -
2SC1867 日电 SW Si.TMe 300 7 7A 80W(Tc=25℃) 150 >20 102 -
2SC1867A 日电 SW Si.TMe 300 7 7A 80W(Tc=25℃) 150 30 102 -
2SC1868 日电 SW Si.TMe 450 7 7A 80W(Tc=25℃) 150 >15 102 -
2SC1869 日电 SW Si.TMe 150 7 10A 100W(Tc=25℃) 150 >20 102 -
2SC1870 日电 SW Si.TMe 300 - 10A 100W(Tc=25℃) 150 >20 102 -
2SC1871 日电 SW Si.EMe 450 7 10A 100W(Tc=25℃) 150 >15 102 -
2SC1871A 日电 SW Si.TMe 500 7 10A 100W(Tc=25℃) 150 >15 102 -
2SC1872 日电 SW Si.TMe 150 7 30A 200W(Tc=25℃) 175 30-120 106 -
2SC1873 日电 SW Si.TMe 300 7 30A 200W(Tc=25℃) 175 20-120 106 -
2SC1874 日电 SW Si.TMe 500 7 30A 200W(Tc=25℃) 175 20-80 106 -
2SC1875 日电 SW Si.TMe 1500 6 3.5A 50W(Tc=25℃) 150 19 102 -
2SC1876 日立 RF.SW Si.E 100 7 500 800 175 >2000 84B 达林顿
2SC1879 日立 RF.SW Si.E 120 7 2A 800 175 >1000 84B 达林顿
2SC1880 日立 RF.SW Si.E 120 7 2A 15W(Tc=25C) 150 4000 268 达林顿
2SC1881 日立 RF.SW Si.E 60 7 3A 30W(Tc=25℃) 150 >1000 268 达林顿
2SC1882 日立 RF.SW Si.E 120 12 5A 800 175 5000 85B 达林顿
2SC1883 日立 RF.SW Si.E 120 7 5A 30W(Tc=25℃) 150 4000 268 达林顿
2SC1884 日立 RF.SW Si.E 120 7 8A 40W(Tc=25℃) 150 >1000 153 达林顿
2SC1885 松下 RF Si.EP 150 5 50 750 135 150 165 -
2SC1886 日立 RF.Mix.Osc Si.EP 30 2 50 200 125 80 138 -
2SC1887 日立 RF.Osc Si.EP 30 2 50 200 125 80 138 -
2SC1888 三垦 PA Si.TMe 80 6 3A 800 150 1000 84B -
2SC1889 三垦 PA Si.TMe 100 6 3A 800 150 1000 84B -
2SC1890 日立 AF Si.E 90 5 50 300 150 250-1200 138 2SA893
2SC1890A 日立 AF Si.E 120 5 50 300 125 250-1200 138 -
2SC1891 东芝 PA Si.TMe 1200 5 1.5A 50W(Tc=25℃) 150 20 102 水平偏向用
2SC1892 东芝 PA Si.TMe 1500 5 2.5A 50W(Tc=25℃) 150 20 102 水平偏向用
2SC1893 东芝 PA Si.TMe 1500 5 3.5A 50W(Tc=25℃) 150 20 102 水平偏向用
2SC1894 东芝 PA Si.TMe 1500 5 5A 50W(Tc=25℃) 150 20 102 水平偏向用
2SC1895 东芝 PA Si.TMe 1500 5 6A 50W(Tc=25℃) 150 20 102 水平偏向用
2SC1896 东芝 PA Si.TMe 1500 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 20 102 水平偏向用
2SC1897 新日无 RF Si.EP 30 6 1A 600 125 200 138 -
2SC1898 新日无 RF Si.EP 30 4 30 200 125 90 138C -
2SC1899 新日无 RF Si.P 30 4 20 200 125 90 138C -
2SC1900 新日无 RF.LN Si.P 120 6 50 300 125 300 138 -

晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
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