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2SC3001-2SC4000三极管参数表

发布时间：2009-02-12 14:30:09  来源：资料室  作者：  更新20260613 081817

型号 　 　 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 　 备注及替换 　
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC3101 三菱 PA Si.EP 35 4 1A 10W(Tc=25℃) 175 50 84B -
2SC3102 三菱 PA Si.EP 35 4 18A 170W(Tc=25℃) 175 50 303 -
2SC3103 三菱 PA Si.EP 20 3.5 1.5A 10W(Tc=25℃) 175 50 272 -
2SC3104 三菱 PA Si.EP 20 3.5 3A 20W(Tc=25℃) 175 50 272 -
2SC3105 三菱 PA Si.EP 35 3 10A 80W(Tc=25℃) 175 50 24 -
2SC3106 松下 PA Si.EP 36 3 600 10W(Tc=25℃) 175 80 345A -
2SC3107 松下 PA Si.EP 36 3 2A 20W(Tc=25℃) 175 90 345A -
2SC3108 松下 PA Si.EP 36 3 2A 30W(Tc=25℃) 175 50 345A -
2SC3109 松下 PA Si.EP 36 3 300 5W(Tc=25℃) 175 80 362 -
2SC3110 松下 RF Si.EP 15 2 30 200 125 100 176 -
2SC3111 松下 RF Si.EP 36 3 100 2W(Tc=25℃) 175 80 362 -
2SC3112 东芝 AF.RF.SW Si.E 50 5 150 400 125 1500 138 -
2SC3113 东芝 AF.RF.SW Si.E 50 5 150 200 125 1500 287 -
2SC3114 三洋 RF.AF Si.EP 60 15 150 400 150 250 138 2SA1246
2SC3115 日电 RF.AF.LN Si.E 120 5 50 200 150 500 176 -
2SC3116 三洋 RF.AF Si.EP 180 6 700 10W(Tc=25℃) 150 250 296 -
2SC3117 三洋 RF.AF Si.EP 180 6 1.5A 10W(Tc=25℃) 150 250 296 -
2SC3118 富士通 SW Si.EP 400 5 150 350 150 70 49C -
2SC3119 东芝 RF Si.P 25 3 20 150 125 100 176 AGC
2SC3120 东芝 RF Si.E 30 2 50 150 125 100 176 AGC
2SC3121 东芝 RF Si.EP 30 3 50 150 125 150 176 -
2SC3122 东芝 RF Si.P 30 3 20 150 125 150 176 AGC
2SC3123 东芝 RF Si.E 30 2 50 150 125 150 176 -
2SC3124 东芝 RF Si.E 30 3 50 150 125 100 176 -
2SC3125 东芝 RF Si.E 30 4 50 150 125 70 176 -
2SC3126 日立 RF.AF Si.E 12 3 50 200 150 80 240C -
2SC3127 日立 RF.AF Si.E 12 3 50 150 150 80 176 -
2SC3128 日立 RF.AF Si.E 12 3 50 350 150 80 138C -
2SC3129 日立 RF.AF Si.T 500 10 500 10W(Tc=25℃) 150 18 245 -
2SC3130 松下 RF.AF Si.EP 15 3 50 150 125 200 176 -
2SC3131 富士电机 SW Si.TP 600 15 10A 100W(Tc=25℃) 150 30 102 -
2SC3132 日立 SW Si.E 30 7 3A 10W(Tc=25℃) 150 10000 245 达林顿
2SC3133 三菱 PA Si.EP 60 5 6A 20W(Tc=25℃) 150 50 301A -
2SC3134 三洋 AF Si.EP 60 15 150 200 125 100-560 176 2SA1252
2SC3135 三洋 RF.AF Si.EP 60 15 200 250 150 250 92 2SA1253
2SC3136 东芝 RF Si.E 30 2 50 250 125 150 138C -
2SC3137 东芝 RF Si.EP 30 2 50 200 125 100 347A -
2SC3138 东芝 RF Si,T 200 5 50 150 125 120 176 2SA1255
2SC3139 日电 PA Si.E 50 3 1A 12W(Tc=25℃) 200 60 129 -
2SC3140 日电 PA Si.E 50 3 2A 17.5W(Tc=25℃) 200 60 129 -
2SC3141 日电 PA Si.E 50 3 4A 32W(Tc=25℃) 200 60 43 -
2SC3142 三洋 RF.Conv. Si,EP 25 3 30 150 125 80 176 -
2SC3143 三洋 RF.AF Si,EP 180 5 80 200 125 150 176 -
2SC3144 三洋 AF.PA Si,EP 70 5 3A 20W(Tc=25℃) 150 5000 268 达林顿
2SC3145 三洋 AF.PA Si,EP 70 5 5A 30W(Tc=25℃) 150 5000 268 达林顿
2SC3146 三洋 AF.PA Si,EP 70 5 7A 40W(Tc=25℃) 150 5000 268 达林顿
2SC3147 东芝 PA Si.E 36 3.5 14A 150W(Tc=25℃) 175 70 371 -
2SC3148 东芝 SW Si.T 900 7 3A 40W(Tc=25℃) 150 15 268 -
2SC3149 三洋 SW Si.TP 900 7 1.5A 40W(Tc=25℃) 150 >10 268 -
2SC3150 三洋 SW Si.TP 900 7 3A 50W(Tc=25℃) 150 >10 268 -
2SC3151 三洋 SW Si.TP 900 7 1.5A 60W(Tc=25℃) 150 >10 346 -
2SC3152 三洋 SW Si.TP 900 7 3A 80W(Tc=25℃) 150 >10 346 -
2SC3153 三洋 SW Si.TP 900 7 6A 100W(Tc=25℃) 150 >10 346 -
2SC3154 三洋 SW Si.TP 900 7 1.5A 70W(Tc=25℃) 150 >10 102 -
2SC3155 三洋 SW Si.TP 900 7 3A 90W(Tc=25℃) 150 >10 102 -
2SC3156 三洋 SW Si.TP 900 7 6A 120W(Tc=25℃) 150 >10 102 -
2SC3157 日电 SW Si.E 150 7 10A 60W(Tc=25℃) 150 80 370 -
2SC3158 日电 SW Si.T 500 7 7A 60W(Tc=25℃) 150 40 370 -
2SC3159 日电 SW Si.T 500 7 10A 80W(Tc=25℃) 150 35 370 -
2SC3160 日电 SW Si.E 200 7 7.5A 40w(Tc=25℃) 150 35 370 内藏阻尼二极管
2SC3161 富士通 RF Si.EP 25 3 70 150 125 100 176 -
2SC3162 新电元 SW Si.TP 500 7 3A 40W(Tc=25℃) 150 15 268 T3V40F3
2SC3163 新电元 SW Si.TP 500 7 6A 50W(Tc=25℃) 150 15 268 T6V40F3
2SC3164 新电元 SW Si.TP 500 7 10A 100W(Tc=25℃) 150 15 119 T10W40F3
2SC3165 新电元 SW Si.TP 500 7 3A 60W(Tc=25℃) 150 15 204 T3M40F3
2SC3166 新电元 SW Si.TP 500 7 6A 80W(Tc=25℃) 150 15 204 T6M40F3
2SC3167 新电元 SW Si.TP 500 7 10A 100W(Tc=25℃) 150 15 102 T10M40F3
2SC3168 新电元 SW Si.TP 500 7 20A 200W(Tc=25℃) 150 15 202 T20M40F3
2SC3169 松下 SW Si.TP 500 7 2A 25W(Tc=25℃) 150 15 364 -
2SC3170 松下 SW Si.TP 500 7 7A 40W(Tc=25℃) 150 15 364 -
2SC3171 松下 SW Si.TP 500 7 10A 100W(Tc=25℃) 150 15 365 -
2SC3172 东芝 RF Si.EP 30 3 50 200 125 150 347C -
2SC3173 三洋 SW Si.EP 330 6 7A 50W(Tc=25℃) 150 50 268 水平偏向用
2SC3174 三洋 SW Si.EP 330 6 7A 50W(Tc=25℃) 150 50 268 水平偏向用
2SC3175 三洋 SW Si.EP 400 6 7A 50W(Tc=25℃) 150 50 268 水平偏向用
2SC3176 三洋 SW Si.EP 400 6 7A 50W(Tc=25℃) 150 50 268 水平偏向用
2SC3177 松下 RF Si.EP 15 3 50 250 125 200 138 -
2SC3178 富士通 SW Si.TP 1200 7 2A 60W(Tc=25℃) 150 15 268 -
2SC3179 三垦 PA.SW Si.TP 60 5 4A 30W(Tc=25℃) 150 100 298 2SA1262
2SC3180 东芝 PA Si.T 80 - 6A 60W(Tc=25℃) 150 95 203 -
2SC3181 东芝 PA Si.T 120 - 8A 80W(Tc=25℃) 150 95 203 -
2SC3182 东芝 PA Si.T 140 - 10A 100W(Tc=25℃) 150 95 203 -
2SC3183 三洋 SW Si.TP 900 7 200 25W(Tc=25℃) 150 20 268 -
2SC3184 三洋 SW Si.TP 900 7 500 30W(Tc=25℃) 150 20 268 -
2SC3185 日电 PA Si.E 35 3 400 7W(Tc=25℃) 200 60 84B -
2SC3186 三垦 PA Si.TP 200 6 3A 30W(Tc=25℃) 150 2000 298 达林顿
2SC3187 松下 RF Si.EP 300 7 100 750 150 150 138 -
2SC3189 三洋 SW Si.EP 250 7 7.5A 50W(Tc=25℃) 150 25 268 水平偏向用
2SC3190 韩国电子 RF Si.EP 35 4 100 400 125 85 138 -
2SC3191 韩国电子 RF Si.EP 35 4 100 200 125 85 287 -
2SC3192 韩国电子 RF Si.EP 35 4 50 300 125 110 138 -
2SC3193 韩国电子 RF Si.EP 35 4 50 200 125 110 287 -
2SC3194 韩国电子 RF Si.EP 40 4 20 100 125 70 138 -
2SC3195 韩国电子 RF Si.EP 40 4 20 100 125 70 287 -
2SC3196 韩国电子 RF Si.P 40 4 50 250 125 120 138 AGC
2SC3197 韩国电子 RF Si.EP 30 4 50 300 125 70 138 -
2SC3198 韩国电子 RF,AF Si.EP 60 5 150 400 125 240 138 -
2SC3199 韩国电子 RF,AF Si.EP 50 5 150 200 125 240 287 -
2SC3200 韩国电子 RF.AF.LN Si.EP 120 5 100 300 125 400 138 -

晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
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