2sc三极管参数资料-

型号	制造厂Mnf	用途App.	材料Type	最大额定值 (Ta=25℃)				结温	直流放大系数	封装外形	备注及替换
				VCBO	VEBO	Ic	Pc	Tj	hFE
				(V)	(V)	(mA)	(mW)	(℃)	hFE
2SC101	东芝	RF	Si.Me	60	5.5	2A	60W(Tc=25℃)	150	-	101	-
2SC101A	东芝	RF	Si.TMe	70	5	5A	30W(Tc=25℃)	150	-	101	-
2SC102	东芝	RF	Si.TMe	50	-	7A	100W(Tc=25℃)	150	-	109	-
2SC103	东芝	SW	Si.P	25	5	50	250	175	35	49C	-
2SC103A	东芝	SW	Si.P	30	5	80	250	175	100	49C	-
2SC104	东芝	RF	Si.P	25	-	50	250	175	-	49C	-
2SC104A	东芝	RF	Si.P	30	5	80	250	175	60	49C	-
2SC105	东芝	RF	Si.P	30	5	80	250	175	35	49C	-
2SC106	东芝	SW.PA	Si.E	60	5	1.5A	15W(Tc=25℃)	150	20	83	-
2SC107	东芝	SW.PA	Si.E	60	5	1A	15W(Tc=25℃)	150	20	83	-
2SC108	东芝	RF.SW	Si.EMe	90	5	600	600	150	35	84A	-
2SC108A	东芝	RF.SW	Si.E	90	5	800	800	175	40-240	84B	-
2SC109	东芝	SW	Si.E	50	5	600	600	150	35	84A	-
2SC109A	东芝	RF.SW	Si.E	70	5	800	800	175	40-240	84B	-
2SC110	日立	RF.PA	Si.Me	40	5	200	750	175	-	84A	-
2SC111	日立	RF.PA	Si.Me	50	5	200	750	175	-	84A	-
2SC112	日立	SW	Si.Me	40	5	200	750	175	50	84A	-
2SC113	日立	SW	Si.Me	50	5	200	750	175	50	84A	-
2SC114	日立	SW	Si.Me	50	5	200	750	175	50	84A	-
2SC115	Sony	RF	Si.EMe	30	5	50	750	175	50	84B	-
2SC116	日立	RF.PA	Si.EMe	50	5	200	750	175	40	84A	-
2SC117	日立	SW.PA	Si.TP	75	5	600	13W(Tc=25℃)	175	40	83	-
2SC118	日立	PA	Si.TP	80	5	600	13W(Tc=25℃)	175	-	83	-
2SC119	日立	PA	Si.TP	75	5	600	13W(Tc=25℃)	175	-	83	-
2SC120	日电	RF	Si.E	40	1	25	250	150	40	84B	-
2SC121	日电	RF.Conv.MIX.Osc	Si.E	40	1	25	250	175	-	84B	-
2SC122	日电	RF.Conv.MIX.Osc	Si.E	40	1	25	250	175	-	84B	-
2SC123	日电	RF.Conv.MIX.Osc	Si.E	40	1	25	250	175	-	84B	-
2SC124	日电	RF.Conv.MIX.Osc	Si.E	40	1	25	250	175	40	84B	-
2SC125	Sony	RF.SW	Si.EMe	100	5	50	750	175	50	84C	-
2SC126	Sony	RF.SW	Si.EMe	140	5	50	750	175	50	84C	-
2SC127	日电	RF.Conv.Mix.Osc	Si.E	20	-	25	200	175	-	84B	-
2SC128	松下	SW	Ge.A	30	20	200	150	85	40	84A	-
2SC129	松下	SW	Ge.A	25	20	200	150	85	60	84A	-
2SC130	富士通	RF.Conv.Mix.	Si.EP	60	-	1A	20W(Tc=25℃)	175	40	83	-
2SC131	富士通	SW	Si.EP	40	5	300	350	175	60	49C	-
2SC132	富士通	SW	Si.EP	20	5	300	350	175	60	49C	-
2SC133	富士通	SW	Si.EP	20	5	300	350	175	60	49C	-
2SC134	富士通	SW	Si.EP	40	5	300	350	175	60	49C	-
2SC135	富士通	SW	Si.EP	20	5	300	350	175	60	49C	-
2SC136	富士通	SW	Si.EP	80	5	300	350	175	60	49C	-
2SC137	富士通	SW	Si.EP	25	5	300	350	175	50	49C	-
2SC138	日电	RF.PA	Si.E	60	5	500	800	175	50	85B	-
2SC138A	日电	RF.PA	Si.E	60	5	500	800	175	-	85B	-
2SC139	日电	RF.PA	Si.E	60	5	500	800	175	-	85B	-
2SC140	Sony	RF	Si.EMe	60	-	1A	1.7W	175	-	84C	-
2SC141	冲	RF	Si.EP	20	5	200	360	175	75	49C	-
2SC142	冲	RF.SW	Si.EP	30	5	200	360	175	75	49C	-
2SC143	冲	RF.SW	Si.EP	40	5	200	360	175	75	49C	-
2SC144	冲	RF.SW	Si.EP	50	5	200	360	175	65	49C	-
2SC144A	冲	RF.SW	Si.EP	60	5	200	360	175	65	49C	-
2SC145	冲	RF	Si.EP	30	5	200	360	175	-	49C	-
2SC146	冲	RF	Si.EP	50	5	200	360	175	-	49C	-
2SC146A	冲	RF	Si.EP	60	5	200	360	175	-	49C	-
2SC147	Sony	RF	Si.EMe	30	5	1A	750	175	50	84C	-
2SC149	日电	RF.IF.Conv.Osc	Si.E	120	6	300	800	175	45	84B	-
2SC150	日立	RF	Si.E	20	5	100	750	175	-	84B	-
2SC151	日立	RF	Si.E	40	5	100	750	175	20-120	84B	-
2SC152	日立	RF	Si.E	60	5	100	750	175	20-120	84B	-
2SC153	日立	RF	Si.E	120	5	100	750	175	65	84B	-
2SC154	日立	RF	Si.T	120	5	100	750	175	35-200	84B	-
2SC154A	日立	RF	Si.T	150	5	100	750	175	-	84B	-
2SC154B	日立	RF	Si.TPa	150	5	100	750	175	50	84C	-
2SC154C	日立	RF	Si.TPa	200	6	100	750	175	90	84C	-
2SC155	富士通	RF.Conv.Mix.Osc	Si.P	20	2	25	100	125	-	35	-
2SC156	富士通	RF.Conv.Mix.Osc	Si.P	20	2	25	100	125	-	35	-
2SC157	日立	RF	Si.GD	20	1	20	125	150	-	84A	-
2SC158	日立	RF	Si.GD	20	1	20	125	150	-	84A	-
2SC159	日立	RF	Si.GD	20	1	20	125	150	-	84A	-
2SC160	日立	RF	Si.GD	20	1	20	125	150	-	84A	-
2SC161	东芝	SW.PA	Si.Me	60	5.5	4A	50W(Tc=25℃)	150	25	102	-
2SC162	冲	RF	Si.EP	30	5	250	500	175	60	84A	-
2SC163	冲	RF	Si.EP	50	5	250	500	175	60	84A	-
2SC164	冲	RF	Si.EP	60	5	250	500	175	60	84A	-
2SC165	冲	RF	Si.EP	60	5	250	500	175	60	84A	-
2SC166	日立	RF.SW	Si.GD	30	5	30	200	175	80	49C	-
2SC167	日立	RF.SW	Si.GD	55	5	30	200	175	80	49C	-
2SC168	冲	RF.SW	Si.EP	20	5	200	250	175	85	49C	-
2SC169	冲	RF.SW	Si.EP	40	5	200	250	175	85	49C	-
2SC170	富士通	RF.PA	Si.P	25	3	50	110	175	40	49C	-
2SC171	富士通	RF.PA	Si.P	25	3	50	200	175	30	49C	-
2SC172	富士通	RF.PA	Si.P	25	5	50	300	175	30	49C	-
2SC172A	富士通	RF.PA	Si.P	40	5	50	360	200	-	49C	-
2SC173	Sony	RF.Conv.Mix.Osc	Ge.G	15	-	5	30	75	-	7	-
2SC174	富士通	RF.Conv.Mix.Osc	Si.P	30	5	25	200	175	-	50C	-
2SC174A	富士通	RF.Conv.Mix.Osc	Si.P	60	5	25	200	175	-	50C	-
2SC175	Sony	IF	Ge.G	15	-	5	30	75	-	7	-
2SC176	Sony	IF	Ge.G	15	-	5	30	75	-	7	-
2SC177	Sony	IF	Ge.G	15	-	5	30	75	-	7	-
2SC178	Sony	RF.Conv.Mix.Osc	Ge.G	15	-	5	30	75	-	7	-
2SC179	日立	SW	Ge.A	25	20	400	120	85	40	12A	-
2SC180	日立	SW	Ge.A	25	20	400	120	85	35	12A	-
2SC181	日立	SW	Ge.A	25	20	400	120	85	60	12A	-
2SC182	日电	RF.AF.PA	Si.E	25	5	150	150	150	80	23	-
2SC183	日电	RF.Conv.Mix	Si.E	20	5	30	100	125	75	23	-
2SC183A	日电	RF.V	Si.E	30	5	30	100	150	75	23	-
2SC184	日电	RF.Conv.Mix.Osc	Si.E	20	5	30	100	125	-	23	-
2SC185	日电	RF.Conv.Mix.Osc	Si.E	20	5	30	100	125	-	23	-
2SC186	富士通	RF.Conv.Mix.Osc	Si.P	20	2	25	85	120	-	12A	-
2SC187	富士通	RF.Conv.Mix.Osc	Si.P	20	2	25	85	120	-	12A	-
2SC188	富士通	RF.PA	Si.P	40	3	500	600	175	40	84B	-
2SC189	富士通	RF.SW.PA	Si.P	60	5	500	600	175	40	84B	-
2SC190	富士通	RF.SW.PA	Si.P	60	5	500	600	175	75	84B	-
2SC191	Sony	RF	Si.GD	60	1	10	250	150	-	84A	-
2SC192	Sony	RF	Si.GD	60	1	10	250	150	-	84A	-
2SC193	Sony	RF	Si.GD	60	1	10	250	150	-	84A	-
2SC194	Sony	RF	Si.GD	60	1	10	250	150	-	84A	-
2SC195	Sony	RF	Si.GD	30	1	10	250	150	-	84A	-
2SC196	Sony	RF	Si.GD	30	1	10	250	150	-	84A	-
2SC197	Sony	RF	Si.GD	30	1	10	250	150	-	84A	-
2SC198	富士通	RF.PA	Si.EP	50	5	500	800	175	-	85C	-
2SC198A	富士通	PA	Si.EP	50	5	500	800	175	-	85C	-
2SC199	东芝	SW	Si.Me	80	15	50	600	175	70	84B	-
2SC200	富士通	RF.Conv.Mix.	Si.EP	40	-	300	650	175	-	84C	-
晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅）（放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com 本站不保证资料完整性及正确性，您在使用或置换时要严格核对，本数据表仅供参考。

2SC01-2SC1000三极管参数表