2sc三极管参数资料-

型号	制造厂Mnf	用途App.	材料Type	最大额定值 (Ta=25℃)				结温	直流放大系数	封装外形	备注及替换
				VCBO	VEBO	Ic	Pc	Tj	hFE
				(V)	(V)	(mA)	(mW)	(℃)	hFE
2SC301	三菱	RF.SW	Si.EP	25	5	100	260	150	85	49B	-
2SC302	三菱	RF.SW	Si.EP	50	5	100	260	150	85	49B	-
2SC303	三菱	RF.PA	Si.EP	50	3	500	800	200	20	84B	-
2SC304	三菱	RF.PA	Si.EP	60	4	500	800	200	25	84B	-
2SC305	三菱	RF.PA	Si.EP	80	5	500	800	200	30	84B	-
2SC306	三菱	RF.SW	Si.EP	50	5	500	570	150	85	84B	-
2SC307	三菱	RF.SW	Si.EP	80	5	500	570	150	85	84B	-
2SC308	三菱	RF.SW	Si.EP	100	5	500	800	200	65	84B	-
2SC309	三菱	RF.SW	Si.EP	120	5	500	570	150	65	84B	-
2SC310	三菱	RF.SW	Si.EP	140	5	500	570	150	65	84B	-
2SC313	日立	RF.Conv.Mix.Osc	Si.EP	30	2	50	200	200	40	9	-
2SC314	日立	PA	Si.TMe	75	4	1.2A	2W	175	-	83	-
2SC315	日立	PA	Si.TMe	75	4	1.2A	2W	175	-	83	-
2SC316	松下	RF.Cnv.Mix.Osc.PA	Si.P	45	5	30	300	175	-	49C	-
2SC317	日立	SW	Si.Me	70	5	100	350	175	100	12A	-
2SC317A	日立	SW	Si.EMe	100	5	100	350	175	100	12A	-
2SC318	Sony	RF	Si.E	50	5	100	300	175	90	49C	-
2SC318A	Sony	RF.SW	Si.PaMe	50	5	100	300	175	90	49C	-
2SC319	日电	RF.Conv.Mix.Osc.PA	Si.PaMe	40	4	300	1.75W(Tc=25℃)	175	40	84B	-
2SC320	日电	RF.Conv.Mix.Osc.PA	Si.PaMe	40	4	500	2.5W(Tc=25℃)	175	40	84B	-
2SC321	日立	SW.RF	Si.EP	40	5	200	360	175	35-200	49C	-
2SC322	日立	SW.RF	Si.EP	40	5	200	360	175	40	49C	-
2SC323	东芝	SW.RF	Si.EP	40	5	100	250	175	50	49C	-
2SC324	富士通	RF.Conc.Mix.Osc	Si.P	20	3	25	200	175	-	49C	-
2SC325	冲	RF	Si.EP	12	3	50	250	175	-	50C	-
2SC326	冲	RF	Si.EP	20	3	50	250	175	-	50C	-
2SC327	冲	RF	Si.EP	30	3	50	250	175	-	50C	-
2SC328	冲	RF	Si.EP	30	3	20	200	175	-	50C	-
2SC329	冲	RF	Si.EP	30	3	20	200	175	-	50C	-
2SC330	冲	RF.LN	Si.EP	20	3	20	200	175	60	128	-
2SC331	冲	RF.LN	Si.EP	20	3	20	200	175	60	128	-
2SC332	冲	RF.SW	Si.EP	30	5	200	150	175	75	48C	-
2SC333	冲	RF.SW	Si.EP	40	5	200	150	175	75	48C	-
2SC334	冲	RF.SW	Si.EP	60	5	200	150	175	65	48C	-
2SC335	冲	RF.SW	Si.EP	50	5	200	250	175	75	49C	-
2SC336	冲	RF.SW	Si.EP	60	5	200	250	175	75	49C	-
2SC337	冲	RF	Si.P	20	5	20	360	175	73	49C	-
2SC338	冲	RF	Si.P	70	5	20	360	175	73	49C	-
2SC339	冲	RF	Si.P	110	5	20	360	175	73	49C	-
2SC340	冲	RF	Si.P	20	5	20	100	100	170	21	-
2SC341	冲	RF	Si.P	70	5	20	100	100	73	21	-
2SC342	冲	RF	Si.P	110	5	20	100	100	73	21	-
2SC343	冲	RF.SW	Si.EP	35	5	500	600	175	55	84A	-
2SC344	冲	RF.SW	Si.EP	60	5	500	600	175	55	84A	-
2SC345	冲	RF.SW	Si.EP	80	5	500	600	175	55	84A	-
2SC346	冲	RF.SW	Si.EP	45	5	700	600	175	70	84A	-
2SC347	冲	RF.SW	Si.EP	60	6	700	600	175	70	84A	-
2SC348	冲	RF.SW	Si.EP	60	5	700	600	175	70	84A	-
2SC349	冲	RF.SW	Si.EP	90	5	700	600	175	70	84A	-
2SC350	日立	RF.AF.LN	Si.Me	30	5	100	200	175	120	12A	-
2SC351	东芝	RF	Si.P	40	2	20	200	150	-	33	-
2SC352	Sony	RF	Si.EP	50	5	100	750	175	90	181	-
2SC352A	Sony	RF.SW	Si.PaMe	50	5	100	750	175	70	181	-
2SC353	Sony	RF.SW	Si.PaMe	100	5	100	750	175	90	181	-
2SC353A	Sony	RF.SW	Si.PaMe	100	5	100	750	175	70	181	-
2SC354	富士通	RF.PA	Si.TP	40	4	1.5A	7W(Tc=25℃)	200	100	84B	-
2SC355	富士通	PA	Si.TP	75	4	2.5A	15W(Tc=25℃)	200	100	111	-
2SC356	日电	SW	Si.E	30	5	200	300	175	60	46C	-
2SC360	东芝	RF	Si.P	30	5	100	250	175	-	49C	-
2SC361	东芝	RF.Conv.Mix.Osc	Si.P	25	5	100	200	125	40-160	33	-
2SC362	东芝	RF.Conv.Mix.Osc	Si.P	25	5	100	200	125	70-280	33	-
2SC363	东芝	RF.Conv.Mix.Osc	Si.P	25	5	100	200	125	150-500	33	-
2SC364	东芝	RF.Conv.Mix.Osc	Si.P	25	5	40	200	125	-	33	-
2SC366	东芝	RF.Conv.Mix.Osc	Si.E	60	5	400	400	125	70-240	138	-
2SC367	东芝	RF.Conv.Mix.Osc	Si.E	40	5	400	400	125	70-240	138	2SA467
2SC368	东芝	RF.Conv.Mix.Osc	Si.E	25	5	100	250	175	-	49C	-
2SC369	东芝	RF.Conv.Mix.Osc	Si.E	18	5	100	200	125	-	33	-
2SC370	东芝	RF.Conv.Mix.Osc	Si.E	30	4	100	200	125	-	33	-
2SC371	东芝	RF.Conv.Mix.Osc	Si.E	30	4	100	200	125	-	33	-
2SC372	东芝	RF.Conv.Mix.Osc	Si.E	60	5	150	400	125	70-400	138	2SA495
2SC373	东芝	RF.Conv.Mix.Osc	Si.E	60	5	150	400	125	200-400	138	-
2SC374	东芝	RF.Conv.Mix.Osc	Si.EP	30	4	100	200	125	-	33	-
2SC375	东芝	RF	Si.EP	20	2	50	200	125	-	33	-
2SC376	东芝	RF	Si.EP	70	4	100	200	125	-	33	-
2SC377	东芝	RF	Si.EP	35	4	30	200	125	-	33	-
2SC378	东芝	RF.Conv.Mix	Si.EP	35	4	30	200	125	40-240	33	-
2SC379	东芝	RF.Conv.Mix.Osc	Si.EP	30	4	100	200	125	-	33	-
2SC380	东芝	RF	Si.EP	35	4	50	300	125	40-240	138	-
2SC380A	东芝	IF	Si.P	35	4	30	200	125	40-240	33	-
2SC381	东芝	RF	Si.P	40	4	20	100	125	25-140	33	-
2SC382	东芝	RF	Si.P	40	4	50	250	125	>30	138	AGC
2SC383	东芝	RF	Si.EP	50	4	50	300	125	20-100	138	-
2SC384	东芝	RF.Conv.Mix.Osc	Si.EP	20	2	50	200	125	-	33	-
2SC385	东芝	RF.Conv.Mix.Osc	Si.EP	20	2	20	200	125	-	33	-
2SC385A	东芝	OSC	Si.EP	30	3	20	200	125	>20	33	-
2SC386	东芝	RF.Conv.Mix	Si.EP	20	2	20	200	125	-	33	-
2SC386A	东芝	OSC	Si.EP	20	3	20	200	125	40	33	-
2SC387	东芝	RF.Conv.Mix.Osc	Si.EP	20	2	50	200	125	-	33	-
2SC387A	东芝	RF.Conv.Mix.Osc	Si.EP	30	3	50	250	125	>20	138	-
2SC388	东芝	RF.Conv.Mix	Si.EP	20	2	20	200	125	-	138	-
2SC388A	东芝	RF	Si.EP	30	4	50	300	125	20-200	138	-
2SC389	东芝	RF	Si.P	20	3	20	150	150	-	50C	-
2SC390	东芝	RF	Si.EP	30	3	20	150	150	40-200	50C	-
2SC391	东芝	RF	Si.EP	20	2	20	150	150	-	50C	-
2SC392	东芝	RF	Si.EP	30	3	20	150	150	40-300	50C	AGC
2SC393	东芝	RF	Si.EP	20	2	20	200	150	-	50C	-
2SC394	东芝	RF.Conv.Mix	Si.EP	25	4	100	200	125	40-240	33	-
2SC395	东芝	SW	Si.EP	20	3	200	250	175	50	49C	-
2SC395A	东芝	SW	Si.EP	20	5	500	300	175	70-200	49C	-
2SC396	东芝	RF	Si.EP	30	3	200	250	175	-	49C	-
2SC397	东芝	RF.Conv.Mix.Osc	Si.EP	20	2	50	200	175	-	50C	-
2SC398	东芝	RF	Si.EP	20	3	20	200	150	20-200	50C	AGC
2SC399	东芝	RF.Conv	Si.EP	20	3	20	200	150	20-200	50C	AGC
2SC400	东芝	RF.SW	Si.E	30	5	100	250	175	60-350	49C	2SA500
晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅）（放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com 本站不保证资料完整性及正确性，您在使用或置换时要严格核对，本数据表仅供参考。

2SC01-2SC1000三极管参数表