各种数字集成电路功能特点简介

MOS逻辑电路

MOS逻辑电路的主要原件是金属-氧-半导体形成的场效晶体管 (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ；MOSFET)，它是靠电压场促使端点导通的组件，分为增强型及衰减型两种，但MOS逻辑电路采用增强型MOSFET来设计电路，增强型MOSFET又分为N-MOS及P-MOS，图S1-10a是N-MOS的符号，图S1-10b是P-MOS的符号。N-MOS在电路中加入正电压促使源极与汲极导通，P-MOS在电路中加入负电压或零电压促使源极与汲极导通，电压的大小决定源极与汲极间电阻的大小，完全导通约1kΩ，开路时约10¹⁰Ω，所以MOS可当作开关或电阻组件，如图S-10c所示。图S1-11为N-MOS非门电路，可以看到上方的N-MOS做为电阻，下方的N-MOS做为开关，当A为正极性电压时导通，为零电压时开路。

由于MOS可以构成开关或电阻组件，作为数字逻辑电路制成较简单，而且体积也较小，因此很多大型及超大型的数字集成电路都采用MOS组件，例如计算机的动态随机存取内存(DRAM)、单芯片微电脑等等。