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场效应管工作原理

发布时间:2008-12-16 21:36:10  来源:    作者:   更新20240229 070348

 场效应晶体管原理 Field Effect Transistor
特点:
a) 单一载体组件 (UNIPOLAR)(空穴或电子)。
b) 高输入阻抗 (MΩ→100MΩ )–减低负载效应。
c) 体积小–高包装密度,产品微型化。
d) 多用途–电阻,电容,开关,放大。
e) 高扇出数 (FAN OUT)。
f) 低信号噪声 (NOISE)。
g) 电压控制组件。
缺点:
a) 增益频宽乘积差(高频响应差)–( GAIN BANDWIDTH PRODUCT )–AV´BW
b) 操作速度较慢–数字式。
 
FET的类型识别:
FET可根据其闸极构造,工作形式及沟道划分为六个不同类型:


接面型FET—闸极与沟道为PN接面。
 
金属氧化物FET—闸极与沟道被金属气化绝缘体所分隔。
空乏式(也称:耗尽型)—当Vgs增加,漏极电流ID减少。
增强式—当Vgs增加,漏极电流ID增加。
N沟道 — 在沟道上电子为载流子。
P沟道 — 在沟道上电洞为载流子。
 
FET 之电路符号  (N沟道及P沟道):
 
I 接面型JFET:

 
II 空乏型MOSFET:
场效应管工作原理
 
III  增强型MOSFET:

 
a) 因全部JFET皆为空乏型,故不会称做空乏型JFET。
b) 所有N沟道FET之箭头皆指向沟道,P沟道则背向沟道。
c) 所有空乏型FET之沟道皆为连接线,增强型用断线。
d) JFET之闸极GATE与沟道连接,MOSFET之闸极与沟道分隔开。
 


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