场效应管工作原理

工作原理(N沟道)：
这类MOSFET场效应管的内部基本结构与空乏型相似，但基底扩展至二氧化硅(Si O2)绝缘层，使源极S和漏极D之间不再有小沟道存在。
 
这也是纯增强型MOSFET和纯空乏型MOSFET分别。
纯空乏型 (有沟道存在)为常开式Normally ON。
纯增强型 (无沟道存在)为常关式Normally OFF。
 
要使纯增强型由关转为开，必须在闸极供应足够的正电压，而负电荷感应而产生建立一条沟道，它从源极伸展到漏极。
 
闸极上的正电压产生负电 (N沟道)，换言之，正闸极电压增加，则增加沟道的导电性，在源极与漏极间可以流通更大电流。

 
       转移特性曲线　　　　 漏极特性曲线
定义：
临界电压 (VT) Threshold Voltage又称为开启电压，是刚足够使沟道形成的闸极与基底间的电压，而基底在制造时巳连接于源极，所以VGS >VT时，沟道形成。
                                       VGS <VT时，沟道消失。
从图中可见，VGS 约为4V时才开始有ID，因此临界电压VT约为4V，或用VT = 4V
 
互导gm：
VDS固定时，ID与VGS的变化比例。

 
输出阻抗rd：
VGS固定时，VDS与ID的变化比例。

 
总结：
a) MOSFET的输入阻抗Rin与晶体管比较为无限大，甚至比JFET还大，因为它那金属氧化物使它与闸极绝缘。
b) 噪声方面也比晶体管少，因为只有单一载流子在沟道流动。
c) P沟道与N沟道的构造也一样，袛是P与N刚相反，正与负也刚相反。
d) 由于这氧化金属非常薄。存在闸极与沟道上，所以对高电压非常敏感，很容易被静电击穿，为了要保护而又不会影响其特性，其中一个方法为装置静电保护。
静电保护：
为防止静电将分隔闸极与基底之二氧化硅绝缘层(金属氧化物)击穿。
因此，部份MOSFET在闸极与源极间加上两粒然纳二极管Zener Diode，
将闸极电压限制在 ±VZ之内，以免绝缘层击穿。

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