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工作原理(N沟道):
空乏型MOSFET的S和D极间,用D和S极扩散所用的同一型杂质,再扩散出一个沟道,如果G极电压是负的,就会在沟道内感应出正电荷来。由于场效应管是由多数载体形成的,感应出之正电荷会使沟道之导电性变小。
MOSFET与JFET最主要的不同是我们可用G极电压于负或正,却仍然具有闸极电流为零 (IG = 0) 的特性,因为空乏型MOSFET也可以在增强模式下操作,只需要加正的G极电压以便将负的电荷感应到N 型沟道内,如此沟道之导电性就会增加。
a) MOSFET之漏极特性曲线:

b) MOSFET之转移特性曲线:
使用MOSFET可以低噪声,有更高的输入阻抗(约1010至1015Ω),它可以替代空乏型JFET。


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