2.2TMS320F2812硬件结构介绍
2.2.1OSC与PLL方块
F2812芯片上设计了一个相位锁定模块(PLL),这个模块将会提供整个芯片所需频率源。PLL模块方块图如图2所示。PLL提供了4 位(PLLCR[3:0])的PLL倍率选择,共10种放大倍率,可动态改变CPU的频率频率。如表1所示为PLLCR 缓存器的格式,缓存器的位说明如表2所示。
XCLKIN:外部频率源输入。
OSCCLK:与XCLKIN的频率一样。
CLKIN:CPU维持正常工作所需的频率源。这是整个芯片的最高频率。
SYSCLKOUT:与CLKIN的频率一样,提供给外围电路使用。

图2 OSC与PLL方块图。
表1PLLCR缓存器位格式表:
| 15-4 | 3 2 1 0 |
| Reserved | DIV |
| R-0 | R/W-0 |
R:读取;R/W:可读可写;-0=重置后的值
NOTE:EALLOW-protected register
表2 PLLCR缓存器位说明表:
| 位 | 名称 |
功能描述 |
| 15-4 | Reserved | 保留 |
| 3-0 | DIV | DIV 可以控制(不论PLL是否在旁路状态皆可控制)及设定(仅在PLL 为非旁路状态时才可设定)PLL的频率比:
=0000,CLKIN =OSCCLK/2(PLL bypass) =0001,CLKIN =(OSCCLK*1.0)/2 =0010,CLKIN =(OSCCLK*2.0)/2 =0011,CLKIN =(OSCCLK*3.0)/2 =0100,CLKIN =(OSCCLK*4.0)/2 =0101,CLKIN =(OSCCLK*5.0)/2 =0110,CLKIN =(OSCCLK*6.0)/2 =0111,CLKIN =(OSCCLK*7.0)/2 =1000,CLKIN =(OSCCLK*8.0)/2 =1001,CLKIN =(OSCCLK*9.0)/2 =1010,CLKIN =(OSCCLK*10.0)/2 =1011-1111 ,保留 |

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